汕头华汕电子器件有限公司 N-Channel Enhancement Insulated Gate Bipolar Transistor HGH20N120A █ 主要用途 对应国外型号 FGA20N120FTD █ 外形图及引脚排列 感应加热和微波炉； 大功率电子电路中作开关应用。 █ 特性说明 TO-3P 低饱和压降、高输入阻抗。 采用先进的沟槽隔离技术，使器件具有良好的传导和开关性能， 并具有特殊雪崩击穿保护。 █ 绝对最大额定值 符号 符号说明 极限值 单位 VCES 集电极－发射极电压 1200 VGES 栅极－发射极电压 ±30 V V 集电极电流（TC = 25℃） 40 A 集电极电流（TC = 100℃） 20 A 脉冲集电极电流 80 A 二极管正向电流（TC = 25℃） 15 A 二极管脉冲最大正向电流 80 A 最大功耗（TC = 25℃） 200 W 最大功耗（TC = 100℃） 80 W 1―栅 极，G 2―集电极，C 3―发射极，E IC ICM (注1) IF IFM(注1) PD TJ 工作结温 -55 ～ +150 ℃ Tstg 储存温度 -55 ～ +150 ℃ 300 ℃ TL 最高管脚温度（浸锡面离塑封 体1／8英寸，时间5秒） 注1：脉冲宽度受最大结温限制。 █ 热特性 符号 符号说明 典型值 最大值 单位 RθJC(IGBT) 热阻（结到外壳） 0.44 ℃/W RθJC(Diode) 热阻（结到外壳） 2.24 ℃/W RθJA 热阻（结到环境） 40 ℃/W 汕头华汕电子器件有限公司 N-Channel Enhancement Insulated Gate Bipolar Transistor HGH20N120A 对应国外型号 FGA20N120FTD █ IGBT的电特性（Tc＝25°C，除非有特殊说明） 符号 参数说明 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 关态特性 BVCES 集电极－发射极击穿电压 VGE = 0V, IC = 250μA ICES 集电极截止电流 G－E 极之间的漏电流 VCE = 1200V, VGE = 0V VGE(th) G－E 极之间阈值电压 IC = 250μA, VCE = VGE VCE(sat) 集电极－发射极饱和压降 IC = 20A, VGE = 15V，TC = 25℃ IGES 1200 V VGE = ±30V, VCE = 0V 250 ±250 μA nA 6.5 V 2.7 V 导通特性 3.0 2.3 动态特性 Coes 输入电容 输出电容 Cres 反向传输电容 Cies VCE = 25V, VGE = 0V, f= 100KHz 840 130 pF pF 50 pF 40 70 80 350 0.9 2.2 3.1 186 15 79 230 20 110 ns ns ns ns mJ mJ mJ nC nC nC 典型值 最大值 单位 1.7 2.7 V 210 330 ns 27 40 A 2.8 6.6 µC 开关特性 td(on) tr td(off) tf Eon Eoff Ets Qg Qge Qgc 导通延迟时间 上升时间 关断延迟时间 下降时间 导通开关损耗 关断开关损耗 总开关损耗 总栅极电荷 栅极－发射极电荷 栅极－集电极电荷 VCC = 600V, IC = 20A, RG = 28Ω, VGE = 15V, Inductive Load, TC = 25℃ VCE = 600V, IC = 20A, VGE = 15V █ 二极管的电特性（Tc＝25°C，除非有特殊说明） 符号 参数说明 VFM 二极管正向电压 trr 二极管反向恢复时间 Irr 二极管反向恢复电流峰值 Qrr 二极管反向恢复电荷 测试条件 IF = 15A IES =15A,dI/dt = 200A/μs 最小值 汕头华汕电子器件有限公司 N-Channel Enhancement Insulated Gate Bipolar Transistor HGH20N120A █ 典型特性曲线 对应国外型号 FGA20N120FTD 汕头华汕电子器件有限公司 N-Channel Enhancement Insulated Gate Bipolar Transistor HGH20N120A █ 典型特性曲线 对应国外型号 FGA20N120FTD 汕头华汕电子器件有限公司 N-Channel Enhancement Insulated Gate Bipolar Transistor HGH20N120A █ 典型特性曲线 对应国外型号 FGA20N120FTD