单 N 沟道 MOSFET ELM33416CA-S ■概要 ■特点 ELM33416CA-S 是 N 沟道低输入电容，低工作电压， ·Vds=100V 低导通电阻的大电流 MOSFET。 ·Id=1.3A ·Rds(on) < 230mΩ (Vgs=10V) ·Rds(on) < 240mΩ (Vgs=5V) ■绝对最大额定值 项目 记号 Vds Vgs 漏极 - 源极电压 栅极 - 源极电压 Ta=25℃ Ta=100℃ 如没有特别注明时, Ta=25℃ 规格范围 单位 备注 100 V ±20 V Id 1.3 0.8 A 漏极电流（脉冲） Idm 18 A 崩溃电流 Ias 18 A 16.5 mJ 漏极电流（定常） 崩溃能量 L=0.1mH Eas 容许功耗 Tc=25℃ Tc=100℃ Pd 结合部温度及保存温度范围 Tj, Tstg 0.75 0.30 -55 ~ 150 3 W ℃ ■热特性 项目 最大结合部 - 环境热阻 记号 Rθja ■引脚配置图 典型值 最大值 166 ■电路图 D SOT-23(俯视图) 3 1 单位 ℃/W 2 引脚编号 引脚名称 1 GATE 2 3 SOURCE DRAIN G S 4-1 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 备注 单 N 沟道 MOSFET ELM33416CA-S ■电特性 项目 记号 条件 如没有特别注明时, Ta=25℃ 最小值 典型值 最大值 单位 备注 静态特性 漏极 - 源极击穿电压 BVdss Id=250μA, Vgs=0V 栅极接地时漏极电流 Idss 栅极漏电电流 Igss 1 Vds=80V,Vgs=0V, Ta=125℃ 10 Vds=0V, Vgs=±20V Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA Id(on) Vgs=10V, Vds=10V 漏极 - 源极导通电阻 Rds(on) Gfs 二极管正向压降 寄生二极管最大连续电流 Vsd Is V Vds=80V,Vgs=0V 栅极阈值电压 导通时漏极电流 正向跨导 100 1.0 18 Vgs=10V, Id=2A Vgs=5V, Id=1A Vds=10V, Id=2A 1.5 220 230 10 If=2A, Vgs=0V μA ±100 nA 2.0 V A 1 mΩ 1 S 1 V A 1 230 240 1.4 10 动态特性 输入电容 输出电容 反馈电容 栅极电阻 开关特性 总栅极电荷 栅极 - 源极电荷 栅极 - 漏极电荷 导通延迟时间 导通上升时间 关闭延迟时间 关闭下降时间 寄生二极管反向恢复时间 寄生二极管反向恢复电荷 Ciss Coss Vgs=0V, Vds=25V, f=1MHz Crss Rg Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz Qg Qgs Qgd Vgs=10V, Vds=50V, Id=2A td(on) tr Vgs=10V, Vds=50V , Id=2A td(off) Rgen=6Ω tf trr Qrr If=2A, dlf/dt=500A/μs 备注： 1．脉冲测试∶脉冲宽度≤300μ秒， 占空比≤2%。 2. 独立于工作温度。 3. 脉冲宽度受最大结合部温度的限制。 4. 占空比≤1%。 4-2 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 802 80 41 pF pF pF 2.5 Ω 15 nC 2 2 4 nC nC 2 2 16 330 39 ns ns ns 2 2 2 111 75 0.17 ns ns nC 2 单 N 沟道 MOSFET ELM33416CA-S ■标准特性和热特性曲线 � � � 4-3 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 单 N 沟道 MOSFET ELM33416CA-S � � � � � � � � � � 4-4 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。