N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 汕头华汕电子器件有限公司 对应国外型号 FQP6N90C HFP6N90 █ 主要用途 █ 外形图及引脚排列 高速开关应用。 TO-220 █ 极限值(Ta=25℃) Tstg——贮存温度………………………………………… -55~150℃ Tj——结温……………………………………………………… 150℃ 1―栅 极 G VDSS——漏极—源极电压………………………………………900V 2―漏 极 D VGS——栅极—源极电压……………………………………… ±30V 3―源 极 S I D ——漏极电流(T c =25℃)……………………………………6A IDM——漏极电流(脉冲) (注 1)…………………………………24A PD——耗散功率(Tc=25℃)………………………………………100W █ 电参数(Ta=25℃) 参数符号 BVDSS IDSS IGSS VGS(th) RDS(on) Ciss Coss Crss Td(on) Tr Td(off) Tf Qg Qgs Qgd IS VSD Rth(j-c) 符 号 说 明 漏—源极击穿电压 零栅压漏极电流 栅极泄漏电流 栅—源极开启电压 漏—源极导通电阻 输入电容 输出电容 反向传输电容 导通延迟时间 上升时间 断开延迟时间 下降时间 栅极总电荷 栅极—源极电荷 栅极—漏极电荷 源极—漏极二极管正向电流 源极—漏极二极管导通电压 热阻 *注 1:漏极电流受最大结温限制。 *注 2:脉冲测试,宽度≤300μS,占空比≤2% 最小值 典型值 最大值 900 2.5 1.95 1550 145 15 40 120 60 70 35 10 13 1 ±100 4.5 2.4 2010 190 20 80 240 120 140 45 6 1.4 0.75 单 位 V μA nA V Ω pF pF pF ns ns ns ns nC nC nC A V ℃/W 测 试 条 件 ID=250μA,VGS=0 VDS=900V,VGS=0 VGS=±30V,VDS=0 VDS=VGS,ID=250μA VGS=10V,ID=3A VDS=25V,VGS=0,f=1MHz VDD=450V,ID=6A RG=25Ω(注 2) VDS=720V, VGS=10V, ID=6A(注 2) IS=6A,VGS=0 结到外壳 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 汕头华汕电子器件有限公司 HFP6N90 █ 典型特性曲线 对应国外型号 FQP6N90C N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 汕头华汕电子器件有限公司 HFP6N90 █ 典型特性曲线 对应国外型号 FQP6N90C N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 汕头华汕电子器件有限公司 HFP6N90 █ 典型特性曲线 对应国外型号 FQP6N90C N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 汕头华汕电子器件有限公司 HFP6N90 █ 典型特性曲线 对应国外型号 FQP6N90C