H13001 - 华汕电子器件有限公司

NPN
汕头华汕电子器件有限公司
SILICON
TRANSISTOR
H13001
A1
█ 主要用途
█ 外形图及引脚排列
高压快速开关
█ 极限值(Ta=25℃)
TO-126
T stg ——贮存温度………………………………… -55~150℃
Tj——结温……………………………………… 150℃
P C — — 集 电极 耗 散 功 率( Tc=25℃ )… … … … …… … 1 0 W
VCBO ——集电极—基极电压…………………………
1―基 极,B
2―集电极,C
3―发射极,E
600V
VCEO——集电极—发射极电压…………………………… 400V
VEBO——发射极—基极电压…………………………………9V
IC——集电极电流(DC)……………………………… 0.25A
█ 电参数(Ta=25℃)
参数符号
符
号
说
明
最小值 典型值 最大值 单 位
测
试
条
BVCEO
集电极—发射极击穿电压
400
V
IC=10mA, IB=0
BVCBO
集电极—基极击穿电压
600
V
IC=1mA, IE=0
BVEBO
发射极—基极击穿电压
9
V
IE=1mA,IC=0
ICBO
集电极—基极截止电流
100
μA
VCB=500V, IE=0
IEBO
发射极—基极截止电流
100
μA
VEB=9V, IC=0
HFE
直流电流增益
40
10
件
VCE=10V, IC=20mA
VCE(sat)
集电极—发射极饱和压降
0.6
V
IC=100mA, IB=20mA
VBE(sat)
基极—发射极饱和压降
1.2
V
IC=100mA, IB=20mA
fT
MHz
8
特征频率
█ 分档及其标志
H1
H2
H3
H4
H5
10-16
14-21
19-26
24-31
29-40
VCE=10V,IC=20mA