NPN 汕头华汕电子器件有限公司 SILICON H8050 █ 主要用途 TRANSISTOR 对应国外型号 SS8050 █ 外形图及引脚排列 作便携式收音机 B 类推挽输出 2W 放大。 █ 极限值（Ta=25℃） TO-92 T stg ——贮存温度………………………………… -55~150℃ Tj——结温……………………………………………150℃ PC——集电极耗散功率…………………………………1W 1―发射极，E 2―基 极，B 3―集电极，C V CBO ——集电极—基极电压………………………………40V V CEO ——集电极—发射极电压……………………………25V V E B O ——发射极—基极电压………………………………6V I C ——集电极电流………………………………………1.5A █ 电参数（Ta=25℃） 参数符号 符 号 说 明 ICBO IEBO HFE 集电极—基极截止电流 发射极—基极截止电流 直流电流增益 VBE(ON) VCE(sat） VBE(sat) 基极—发射极导通电压 集电极—发射极饱和电压 基极—发射极饱和电压 集电极—基极击穿电压 集电极—发射极击穿电压 发射极—基极击穿电压 特征频率 BVCBO BVCEO BVEBO fT 最小值 典型值 最大值 单 位 0.1 0.1 500 85 40 μA μA 1 0.5 1.2 V V V V V V MHz 40 25 6 100 分档及其标志 B 85—160 C D E 120—200 160—300 270—500 测 试 条 件 VCB=35V, IE=0 VEB=6V, IC=0 VCE=1V, IC=100mA VCE=1V, IC=800mA VCE=1V, IC=10mA IC=800mA, IB=80mA IC=800mA， IB=80mA IC=100μA，IE=0 IC=2mA，IB=0 IE=100μA，IC=0 VCE=10V, IC=50mA 汕头华汕电子器件有限公司 █ 特性曲线 NPN SILICON H8050 TRANSISTOR 对应国外型号 SS8050