ＭＯＳＦＥＴ Ｍｏｄｕｌｅ−Ｄｕａｌ ＰＤＭ５００１

QS043-401M0545 (2/4)
ＭＯＳＦＥＴ Ｍｏｄｕｌｅ−Ｄｕａｌ
ＰＤＭ５００１
５００ Ａ，１００Ｖ
□ 回 路 図 ： ＣＩＲＣＵＩＴ
□ 外 形 寸 法 図 ： ＯＵＴＬＩＮＥ ＤＲＡＷＩＮＧ
S2端子
D2S1端子
D1端子
3-M8
94.0±1.0
80.0±1.0
62.0±0.25
49.0
15.0
6.0
110.0±1.0
93.0±0.25
80.0
CL
28.0
28.0
34.3MAX.
27.2 +0.2
-0.5
24.9
G1
S1
S2
6.0
G2
3.7
4.0
4-φ6.5
18.0
10.0
18.0
10.0
1.0
1.3
18.0
CL
6.5
Dimension:［mm］
Approximate Weight:620g
□ 最 大 定 格 ： ＭＡＸＩＭＵＭ ＲＡＴＩＮＧＳ （ＴＣ＝２５℃）
Ｉｔｅｍ
Ｓｙｍｂｏｌ
ド レ イ ン ・ ソ − ス 間 電 圧 Drain-Source Voltage
ＶＤＳＳ
ゲート・ソース間電圧
ＶＧＳＳ
Gate-Source Voltage
ド レ イ ン 電 流 Drain Current
ＩＤ
パルスドレイン電流
Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ
Ｒａｔｅｄ
ＶＧＳ＝０Ｖ
Duty=50％
Ｖ
±２０
Ｖ
５００
Ａ
ＩＤＭ
Total Power Dissipation
ＰＤ
１,２５０
動 作 接 合 温 度 Junction Temperature Range
Ｔｊ
−４０∼＋１５０
℃
−４０∼＋１２５
℃
２，０００
Ｖ（ＲＭＳ）
Pulsed Drain Current
保存温度
Storage Temperature Range
Ｔｓｔｇ
絶縁耐圧
Isolation Voltage
ＶＩＳＯ
締め付けトルク
Mounting Torque
Module Base to Heatsink
Busbar to Main Terminal
端子温度=80℃
Ｕｎｉｔ
３９０
１,０００
全損失
ＤＣ
Ｖａｌｕｅ
１００
Terminal to Base AC,1minute
３
３
Ｆｔｏｒ
□ ＭＯＳ−ＦＥＴ電 気 的 特 性 ：ＭＯＳ-ＦＥＴ ＥＬＥＣＴＲＩＣＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ
Ａ
Ｗ
Ｎ・ｍ
（ＴＣ＝２５℃）
Ｍｉｎ.
Ｔｙｐ.
Ｍａｘ.
Ｕｎｉｔ
ﾄﾞﾚｲﾝ遮断電流 Zero Gate Voltage Drain Current
ＩＤＳＳ
ＶＤＳ= 100V,ＶＧＳ= 0V
−
−
１.０
ｍＡ
ゲート漏れ電流 Gate-Source Leakage Current
ＩＧＳＳ
ＶＧＳ= ±20V,ＶＤＳ= 0V
−
−
０．５
ｍＡ
ＶＧS（ｔｈ）
ＶＤＳ=ＶＧＳ,ＩＤ=16mA
１.０
−
２.５
Ｖ
ﾄﾞﾚｲﾝ･ｿｰｽ間ｵﾝ抵抗(MOSFET部) Drain-Source On-Resistance
ＲＤＳ（ｏｎ）
ＶＧＳ=10V,ＩＤ=500A
−
0.5
0.56
mΩ
ﾄﾞﾚｲﾝ･ｿｰｽ間ｵﾝ電圧 Drain-Source On-Voltage
ＶＤＳ（ｏｎ）
Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ
ゲートしきい値電圧
Gate-Source Threshold Voltage
Ｓｙｍｂｏｌ
順伝達ｺﾝﾀﾞｸﾀﾝｽ Forward Transconductance
Ｇｆｓ
入 力 容 量 Input Capacitance
Ｃｉｓｓ
出
帰
Ｃｏｓｓ
Ｃｒｓｓ
ｔｒ
ｔd(ｏｎ)
ｔｆ
ｔd(ｏff)
力 容
還 容
量 Output Capacitance
量 Reverse Transfer Capacitance
上
昇
時
間 Rise
Time
スイッチング時間 ターンオン遅延時間 Turn-on Delay Time
Switching Time
下
降
時
間 Fall
Time
ターンオフ遅延時間 Turn-off Delay Time
□内蔵逆方向ダイオードの定格と特性： Ｓｏｕｒｃｅ-Ｄｒａｉｎ
Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ
Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ
VGS=10V,ID=500A
-
（端子間）
VDS=15V,ID=500A
ＶＧＳ=0V ＶＤＳ=10V
0.25
0.30
（0.55）
（0.62）
１３５
ｆ=1MHＺ
ＶＤＤ=50V
ＩＤ=250A
ＲＧ=1.0Ω
ＶＧＳ=-5V,+10V
Ｖ
S
−
１５５
−
ｎＦ
−
−
−
−
−
−
１２
５．３
３５０
１５０
６０
４５０
−
−
−
−
−
−
ｎＦ
ｎＦ
ｎｓ
ＤＩＯＤＥ ＲＡＴＩＮＧＳ ＆ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ（ＴＣ＝２５℃）
Ｓｙｍｂｏｌ
Ｍｉｎ.
Ｔｙｐ.
Ｍａｘ.
Ｕｎｉｔ
Duty=50％
ＤＣ 端子温度=80℃
−
−
−
−
−
−
５００
３９０
１,０００
Ａ
Ａ
Ａ
ＶＳＤ
ＩＳ=500A
−
０．８５
−
Ｖ
ｔｒｒ
ＩＳ=500A ,-ｄis/ｄt=1000A/μs
−
７０
−
ｎｓ
Ｍｉｎ.
Ｔｙｐ.
Ｍａｘ.
Ｕｎｉｔ
−
−
０.１０
℃／Ｗ
ソ−ス電流 Continuous Source Current
ＩＳ
パルスソ−ス電流 Pulsed Source Current
Pulsed Source Current
ダイオード順電圧
Diode Forward Voltage
Diode
Forward
Voltage
逆回復時間
Reverse
Recovery Time
ＩＳＭ
Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ
Reverse Recovery Time
□ 熱 的 特 性 ： ＴＨＥＲＭＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ
Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ
接合・ケ−ス間熱抵抗
Thermal Impedance, Junction to Case
Ｓｙｍｂｏｌ
Ｒth(j-c)
Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ
MOS-FET
０１
日本インター株式会社
QS043-401M0545 (3/4)
ＭＯＳＦＥＴ Ｍｏｄｕｌｅ−Ｄｕａｌ
ＰＤＭ５００１
５００ Ａ，１００Ｖ
Fig.2- Drain to Source On Voltage
vs. Gate to Source Voltage (Typical)
Fig.1- Output Characteristics (Typical)
TC=25℃
1000
V GS=10V
8V
6V
0.9
Drain to Source Voltage V DS (V)
800
DrainCurrent ID (A)
4V
600
3.5V
400
200
3V
0
0
0.4
0.8
TC=25℃
250μs PULSE TEST
1
250μs PULSE TEST
1.2
1.6
2
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
ID=500A
0.3
ID=250A
0.2
ID=120A
0.1
0
2.4
0
2
4
Fig.3- Drain to Source On Voltage
vs. Junction Temperature (Typical)
12
14
16
VGS=0V
f=1MHZ
TC=25℃
Ciss
0.5
100
ID=500A
Capacitance C (nF)
Drain to Source Voltage V DS (V)
10
500
250μs PULSE TEST
0.4
0.3
ID=250A
0.2
Coss
Crss
10
ID=120A
0.1
0
-50
0
50
100
1
150
0.5
1
Junction Temperature Tj (℃)
Fig.5- Gate Charge vs. Gate to Source Voltage (Typical)
ID=500A
10
VDD=50V
ID=250A
TC=25℃
12
50
40
8
30
20
4
3
Switching Time t (μs)
VDD=20V
Gate to Source Voltage VGS (V)
VDD=50V
60
10
30
50
Fig.6- Series Gate Impedance vs. Switching Time (Typical)
16
VDD=80V
70
3
Drain to Source Voltage VDS (V)
80
Drain to Source Voltage V DS (V)
8
Fig.4- Capacitance vs. Drain to Source Voltage (Typical)
VGS=10V
0.6
6
Gate to Source Voltage VGS (V)
Drain to Source Voltage VDS (V)
td(off)
tr
1
0.3
td(on)
0.1
tf
0.03
10
0
0
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
4500
0.01
1
Total Gate Charge Qg (nC)
3
10
30
Series Gate Impedance RG (Ω)
０１
日本インター株式会社
QS043-401M0545 (4/4)
ＭＯＳＦＥＴ Ｍｏｄｕｌｅ−Ｄｕａｌ
ＰＤＭ５００１
５００ Ａ，１００Ｖ
Fig.8- Source to Drain Diode
Forward Characteristics (Typical)
Fig.7- Drain Current vs. Switching Time (Typical)
1
1000
td(off)
Source Current I S (A)
Switching Time t (μs)
800
tr
0.3
td(on)
0.1
tf
TJ=25℃
TJ=125℃
600
400
0.03
200
VDD=50V
R G=1.0Ω
TC=25℃
0.01
5
10
30
100
300
0
500
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
Source to Drain Voltage VSD (V)
Drain Current ID (A)
Fig.9- Reverse Recovery Characteristics (Typical)
-IS=500A
TJ=125℃
trr
100
30
IRrM
200
400
600
800
1000
1200
-di/dt (A/μs)
Fig.10- Maximun Transient Thermal Impedance
1
(℃/W)
0
(J-C)
10
Transient Thermal Impedance Rth
Peak Reverse Recovery Current I RrM (A)
Reverse Recovery Time trr (ns)
300
3x10 -1
1x10 -1
3x10 -2
1x10 -2
3x10 -3
1x10 -3 -5
10
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
1
10 1
SQUARE WAVE PULSE DURATION t (s)
０１
日本インター株式会社