IGBT 7.5 kW 400 V ■回路図 CIRCUIT PVD75-12 ■外形寸法図 OUTLINE DRAWING （単位 Dimension：mm） 質量 Approximate Weight：400ｇ ■最大定格 Maximum Ratings（TC＝25℃） 種類 Type 3 Phase Rectification Diode Switch Thyristor Inverter 項 目 Item 繰り返しピーク逆電圧 Repetitive Peak Reverse Voltage 非繰り返しピーク逆電圧 Non-Repetitive Peak Reverse Voltage 平均出力電流 Average Rectified Out-Put Current サージ順電流 Surge Forward Current 電流二乗時間積 I Squared t 臨界順電流下降率 Critical Rate of fall of Forward Current 繰り返しピークオフ電圧 Repetitive Peak Off-State Voltage 非繰り返しピークオフ電圧 Non-Repetitive Peak Off-State Voltage 平均出力電流 Average Rectified Out-Put Current サージ順電流 Surge Forward Current 電流二乗時間積 I Squared t 臨界オン電流上昇率 Critical Rate of Rise of Turn-on Current ピークゲート電力損失 Peake Gate Power 平均ゲート電力損失 Average Gate Power ピークゲート電流 Peake Gate Current ピークゲート電圧 Peake Gate Voltage ピークゲート逆電圧 Peake Gate Reverse Voltage コレクタ・エミッタ間電圧 Collector-Emitter Voltage ゲート・エミッタ間電圧 Gate-Emitter Voltage 記号 Symbol 定 格 値 Rated Value VRRM 1600 VRSM 1700 V IO（AV） 35 IFSM 350 I2t 612 A2S −di/dt 200 （IFM=30A, ＶR=1000V） A/μs VDRM 1600 VDSM 1700 A V IO 35 ITSM 350 I2t 612 A2S di/dt 100 A/μs PGM 5 PG（AV） 1 IGM 2 VGM 10 VRGM 5 VCES 1200 VGES ±20 A W A V V コレクタ電流 Collector Current DC IC 50 1ms ICP 100 順電流 Forward Current DC IF 50 1ms IFM 100 PC 312 コレクタ損失 Collector Power Dissipation 単位 Unit ─ 626 ─ A W Ｉ Ｇ Ｂ Ｔ モ ジ ュ ー ル 種類 Type Brake Snubber Diode 項 目 Item コレクタ・エミッタ間電圧 Collector-Emitter Voltage ゲート・エミッタ間電圧 Gate-Emitter Voltage コレクタ電流 Collector Current 記号 Symbol 定 格 値 Rated Value VCES 1200 VGES ±20 単位 Unit V DC IC 25 1ms ICP 50 PC 186 W VRRM 1200 V コレクタ損失 Collector Power Dissipation 繰り返しピーク逆電圧 Repetitive Peak Reverse Voltage 直流順電流 Forward Current, DC サージ順電流 Surge Forward Current IF 15 IFSM 70 A A 接合温度 Junction Temperature Range 保存温度 Storage Temperature Range 絶縁耐圧（端子−ベース間） Isolation Voltage（Terminal to Base） 絶縁抵抗（端子−ベース間，DC 500V） Isolation Resistsnce（Terminal to Base, DC 500V） 締付トルク ベース取付部 Mounting Torque Module Base to Heatsink Tjw −40∼＋150 （125∼150℃はサイリスタ部に順・逆電圧印加しない事） Tstg −40∼＋125 Viso 2500（AC, 1 minute） 3000（AC, 1 Second） V （RMS） Riso 500 MΩ Ftor M4：1.4（14.3） N・m （kgf・cm） ℃ ■電気的特性 Electrical Characteristics（TC＝25℃） 種類 Type 3 Phase Rectification Diode 項 目 Characteristic ピーク逆電流 Peak Reverse Current ピーク順電圧 Peak Forward Voltage ピークオフ電流 Peak Off-State Current ピーク逆電流 Peak Reverse Current ピークオン電圧 Peak On-State Voltage 記号 Symbol ＊1 ＊1 トリガゲート電流 Gate Current to Trigger トリガゲート電圧 Gate Voltage to Trigger Switch Thyristor 非トリガゲート電圧 Gate Voltage to Non-Trigger 臨界オフ電圧上昇率 Critical Rate of Rise of Off-State Voltage ターンオフ時間 Turn-Off Time ターンオン時間 Turn-On Time 遅れ時間 Turn-On Time 立上り時間 Rise Time ラッチング電流 Latching Current 保持電流 Holding Current 最小 Min. 標準 Typ. 最大 Max. 単位 Unit ─ ─ 10 mA ─ ─ 1.40 V ─ ─ 50 ─ ─ 50 ─ ─ 1.30 Tj＝−40℃ ─ ─ 200 Tj＝25℃ ─ ─ 100 Tj＝125℃ ─ ─ 50 Tj＝−40℃ ─ ─ 4.0 Tj＝25℃ ─ ─ 2.5 Tj＝125℃ ─ ─ 2.0 0.25 ─ ─ V 500 ─ ─ V/μs ─ 100 ─ ─ 6 ─ ─ 2 ─ ─ 4 ─ IL ─ 100 ─ IH ─ 80 ─ IR VF IDM IRM 条 件 Test Conditions Tj＝150℃ VRM＝VRRM IF＝35A Tj＝125℃ VDM＝VDRM Tj＝125℃ VRM＝VRRM VTM IT＝35A IGT VD＝6V IT＝1A VGT VGD dv/dt tq VD＝6V IT＝1A mA Tj＝125℃ VD＝2/3VDRM Tj＝125℃ IT＝IO VD＝2/3VDRM VRM＝100V dv/dt＝20V/μs −di/dt＝20A/μs V mA V μs tgt td tr Tj＝25℃ VD＝2/3VDRM IG＝200mA diG/dt＝0.2A/μs mA ＊1：１アーム当たりの値を示す。Per 1 Arm. ─ 627 ─ 種類 Type Inverter Brake Snubber Diode 項 目 Characteristic コレクタ遮断電流 Collector-Emitter Cut-Off Current ゲート漏れ電流 Gate-Emitter Leakage Current コレクタ・エミッタ間飽和電圧 Collector-Emitter Saturation Voltage ゲートしきい値電圧 Gate-Emitter Threshold Voltage 入力容量 Input Capacitance 上昇時間 Rise Time ターン・オン時間 スイッチング時間 Turn-On Time Switching Time 下降時間 Fall Time ターン・オフ時間 Turn-Off Time ピーク順電圧 Peak Forward Voltage 逆回復時間 Reverse Recovery Time コレクタ遮断電流 Collector-Emitter Cut-Off Current ゲート漏れ電流 Gate-Emitter Leakage Current コレクタ・エミッタ間飽和電圧 Collector-Emitter Saturation Voltage ゲートしきい値電圧 Gate-Emitter Threshold Voltage 入力容量 Input Capacitance 上昇時間 Rise Time ターン・オン時間 スイッチング時間 Turn-On Time Switching Time 下降時間 Fall Time ターン・オフ時間 Turn-Off Time ピーク順電圧 Peak Forward Voltage 逆回復時間 Reverse Recovery Time 記号 Symbol 条 件 Test Conditions 最小 Min. 標準 Typ. 最大 Max. 単位 Unit ICES VCE＝1200V, VGE＝0V ─ ─ 1.0 mA IGES VGE＝±20V, VCE＝0V ─ ─ 1.0 μA VCE（sat） IC＝50A, VGE＝15V ─ 1.9 2.4 V VGE（th） IC＝50mA, VCE＝5V 4.0 ─ 8.0 V Cies VCE＝10V, VGE＝0V f＝1MHz ─ 4200 ─ pF ─ 0.25 0.45 ─ 0.40 0.70 ─ 0.25 0.35 ─ 0.80 1.10 tr ton tf μs toff VF IF＝50A ─ 1.9 2.4 V trr IF＝50A, VGE＝−10V di/dt＝75A/μs ─ 0.2 0.3 μs ICES VCE＝1200V, VGE＝0V ─ ─ 1.0 mA IGES VGE＝±20V, VCE＝0V ─ ─ 1.0 μA VCE（sat） IC＝25A, VGE＝15V ─ 2.0 3.3 V VGE（th） IC＝25mA, VCE＝20V 3.0 ─ 7.0 V Cies VCE＝10V, VGE＝0V f＝1MHz ─ 2500 ─ pF ─ 0.3 0.6 ─ 0.5 1.0 ─ 0.3 0.5 ─ 0.8 1.5 tr ton tf VCC＝600V RL＝24Ω VGE＝±15V RG＝91Ω μs toff VF IF＝15A ─ ─ 2.5 V trr IF＝15A di/dt＝50A/μs ─ ─ 0.3 μs 25℃ ─ 5.00 ─ 抵抗値 Resistance Ｔhermister VCC＝600V RL＝12Ω VGE＝±15V RG＝20Ω B定数 Ｂ-Value 75℃ 0.97 125℃ 0.27 kΩ 25℃/50℃ ─ 3375 ─ 25℃/85℃ ─ 3420 ─ ─ 10 ─ s 最小 Min. 標準 Typ. 最大 Max. 単位 Unit ─ ─ 0.75 ─ ─ 0.60 ─ ─ 0.40 ─ ─ 0.70 ─ ─ 0.67 熱時定数 Thermal Time Constant K ■熱的特性 Thermal Characteristics 項 目 Characteristic 条 件 Test Conditions ＊1 3 Phase Rectification Diode 熱抵抗 Thermal Impedance Rth（j-c） Switch Thyristor 接合部−ケース間 Junction to Case Inverter IGBT Inverter Free Wheeling Diode Brake IGBT ℃/W ＊1：１アーム当たりの値を示す。Per 1 Arm. ─ 628 ─ Ｉ Ｇ Ｂ Ｔ モ ジ ュ ー ル