CGH35240F 240 W，3100-3500 MHz，50 Ω输入/输出匹配，适用于S波段雷达系统的氮化镓HEMT Cree的CGH35240F是一款专为高能效、高增益和宽频带功能而设计的氮化镓（GaN） 高电子迁移率晶体管（HEMT），这让CGH35240F成为3.1-3.5GHz S波段雷达放大 器应用的理想选择。该晶体管以陶瓷/金属法兰封装的形式供应。 封装类型：44 0201 部件号：CGH 35240F 公版放大器在3.1-3.5GHz频率（TC = 25˚C）下的典型性能 3.1 GHz 3.2 GHz 3.3 GHz 3.4 GHz 3.5 GHz 单位 输出功率 250 240 225 225 220 W 增益 12.1 11.9 11.6 11.5 11.4 dB 60 59 48 % 参数 功率附加效率 注意： 以上数据是在300 μs脉宽、20%占空比、PIN = 42 dBm的条件下在CGH35240F-TB放大器电路中测得的。 特点 • 工作频率：3.1 - 3.5 GHz • 典型输出功率：240 W • PIN = 42.0 dBm 时的功率增益：11.6 dB • 50 Ω，内部匹配 • 脉冲振幅衰减：< 0.2 dB 修订版本1.1— —2012年4月 • 典型功率附加效率：57% 若有更改，恕不另行通知。 www.cree.com/rf 1 表面温度为25˚C时的绝对最大额定值（非同时出现） 参数 符号 额定值 单位 条件 脉宽 PW 1 ms 占空比 DC 50 % 漏源电压 VDSS 120 电压 25˚C 栅源电压 VGS -10、+2 电压 25˚C 耗散功率 PDISS 345 瓦 储存温度 TSTG -65、+150 ˚C 工作结温 TJ 225 ˚C IGMAX 60 mA 25˚C 25˚C 最大正向栅极电流 1 最大漏极电流 IDMAX 24 A TS 245 ˚C τ 40 in-oz RθJC 0.5 ˚C/W 85˚C TC -40、+150 ˚C 30秒 焊接温度2 螺杆扭矩 脉冲热阻，结点到表面 3 表面工作温度 3 注意： 1 2 3 为确保长期可靠地运行所需满足的电流限制。 请参考焊接应用说明，网址为：www.cree.com/products/wireless_appnotes.asp 在PDISS = 280 W、脉宽 = 300 μS、占空比 = 20%的条件下，针对CGH35240F测得。 电气特性（TC = 25˚C） 规格参数表 符号 最小值 典型值 最大值 单位 条件 栅极阈值电压 VGS(th) -3.8 -3.0 -2.3 VDC VDS = 10 V，ID = 57.6 mA 栅极静态电压 VGS(Q) – -2.7 – VDC VDS = 28 V，ID = 1.0 A 饱和漏极电流2 IDS 46.4 56.0 – A VDS = 6.0 V，VGS = 2.0 V 漏源击穿电压 VBR 120 – – VDC VGS = -8 V，ID = 57.6 mA DC特性1 射频特性3（除非另行说明，否则测量条件一律为TC = 25˚C，F0 = 3.1-3.5 GHz） 3.1 GHz下的输出功率1 POUT 210 250 – W VDD = 28 V，IDQ = 1.0 A，PIN = 42 dBm 3.3 GHz下的输出功率2 POUT 200 225 – W VDD = 28 V，IDQ = 1.0 A，PIN = 42 dBm 3.5 GHz下的输出功率3 POUT 180 220 – W VDD = 28 V，IDQ = 1.0 A，PIN = 42 dBm 3.1 GHz下的功率附加效率1 PAE 48 60 3.3 GHz下的功率附加效率2 PAE 48 3.5 GHz下的功率附加效率3 PAE 40 3.5 GHz下的功率增益1 GP 3.3 GHz下的功率增益2 GP – % VDD = 28 V，IDQ = 1.0 A，PIN = 42 dBm – % VDD = 28 V，IDQ = 1.0 A，PIN = 42 dBm 48 – % VDD = 28 V，IDQ = 1.0 A，PIN = 42 dBm 11.0 12.0 – dB VDD = 28 V，IDQ = 1.0 A，PIN = 42 dBm 10.8 11.5 – dB VDD = 28 V，IDQ = 1.0 A，PIN = 42 dBm GP 10.5 11.5 – dB VDD = 28 V，IDQ = 1.0 A，PIN = 42 dBm 小信号增益 S21 11.4 14 – dB VDD = 28 V，IDQ = 1.0 A，PIN = -10 dBm 输入回波损耗 S11 – -9 -4.5 dB VDD = 28 V，IDQ = 1.0 A，PIN = -10 dBm 输出回波损耗 S22 – -10 -6.0 dB VDD = 28 V，IDQ = 1.0 A，PIN = -10 dBm 脉冲振幅衰减 D – 0.1 – dB VDD = 28 V，IDQ = 1.0 A 3.5 GHz下的功率增益3 注： 1 封装之前直接在晶片上测得。 2 根据PCM数据按比例缩放而得。 3 在CGH35240F-TB中测得。脉宽 = 300 μS、占空比 = 20%。 版权所有© 2010-2012 Cree, Inc.保留所有权利。本文件中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree和Cree徽标是Cree, Inc.的注册商标。 2 CGH35240F Rev 1.1 Cree, Inc. 4600 Silicon Drive Durham, North Carolina, USA 27703 美国电话：+1.919.313.5300 传真：+1.919.869.2733 www.cree.com/rf 典型性能 CGH35240F的增益及回波损耗与频率之间的关系 在CGH35240-TB放大器电路中测得。 VDS = 28 V，IDS = 1 A Typical Sparameter 20 增益 (dB) 15 10 5 ORL (dB) 幅值（dB） 0 -5 IRL (dB) -10 -15 -20 -25 -30 2000 S21 S11 S22 2200 2400 2600 2800 3000 3200 3400 3600 3800 4000 频率（MHz） 260 16 250 15 240 14 230 13 220 12 210 11 200 10 190 180 9 Pout （W） 8 功率增益（dB） 170 160 3000 增益（dB） 输出功率（W） VDS GH35240F的典型脉冲输出功率及功率增益与频率之间的关系 在CGH35240-TB放大器电路中测得。 = 28 V，IDS = 1 A，PIN = 42 dBm，脉宽 = 300 μS，占空比 = 20% 7 3100 3200 3300 3400 3500 6 3600 频率（MHz） 版权所有© 2010-2012 Cree, Inc.保留所有权利。本文件中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree和Cree徽标是Cree, Inc.的注册商标。 3 CGH35240F Rev 1.1 Cree, Inc. 4600 Silicon Drive Durham, North Carolina, USA 27703 美国电话：+1.919.313.5300 传真：+1.919.869.2733 www.cree.com/rf 典型性能 CGH35240输出功率与输入功率之间的关系 Pout vs VDS = 28 V，IDS = 1 A，脉宽 =Pin 300 μS，占空比 = 20% 60 3.1 GHz 55 3.2 GHz 3.3 GHz 50 3.4 GHz 输出功率（dBm） 3.5 GHz 45 40 35 30 25 20 15 20 25 30 35 40 45 输入功率（dBm） CGH35240的PAE及增益与输入功率之间的关系 VDS = 28 V，IDS = 1 A，脉宽 = 300 μS，占空比 = 20% PAE vs Pin PAE - 3.1 GHz PAE（%） 增益 - 3.1 GHz PAE - 3.2 GHz PAE - 3.3 GHz 增益 - 3.2 GHz 增益 - 3.3 GHz PAE - 3.4 GHz 增益 - 3.4 GHz 18 PAE - 3.5 GHz 增益 - 3.5 GHz 60 16 50 14 40 12 30 10 20 8 10 6 0 15 20 25 30 35 40 45 50 增益（dB） 70 4 输入功率（dBm） 版权所有© 2010-2012 Cree, Inc.保留所有权利。本文件中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree和Cree徽标是Cree, Inc.的注册商标。 4 CGH35240F Rev 1.1 Cree, Inc. 4600 Silicon Drive Durham, North Carolina, USA 27703 美国电话：+1.919.313.5300 传真：+1.919.869.2733 www.cree.com/rf 典型性能 55.0 100 Pout （dBm） 输出功率（dBm） 54.5 90 PAE（%） 54.0 80 53.5 70 53.0 60 52.5 PAE（%） VDS CGH31240F的典型脉冲输出功率及功率附加效率与频率之间的关系， 在CGH35240-TB放大器电路中测得。 = 28 V，IDS = 1 A，PIN = 42 dBm，脉宽 = 300 μS，占空比 = 20% 50 PAE (%) PAE (%) 52.0 51.5 3000 3100 3200 40 3300 3400 3500 30 3600 频率（MHz） 典型脉冲衰减性能 CGH35240F Pulsed Power Performance 54.0 53.9 53.8 300 us 5 % 300 us 10 % 300 us 20 % 300 us 25 % 1 ms 5 % 1 ms 10 % 1 ms 20 % 1 ms 25 % 5 ms 5 % 5 ms 10 % 5 ms 20 % 5 ms 25 % 输出功率（dBm） 53.7 53.6 53.5 53.4 53.3 脉宽 占空比 (%) 衰减 (dB) 10 us 5-25 0.05 50 us 5-25 0.05 100 us 5-25 0.10 300 us 5-25 0.15 1 ms 5-25 0.30 5 ms 5-25 0.60 53.2 53.1 53.0 -1 0 1 2 3 4 5 6 时间（ms） 静电放电（ESD）分类 参数 符号 类别 测试方法 人体模型 HBM 1A (> 250 V) JEDEC JESD22 A114-D 充电设备模型 CDM II (200 < 500 V) JEDEC JESD22 C101-C 版权所有© 2010-2012 Cree, Inc.保留所有权利。本文件中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree和Cree徽标是Cree, Inc.的注册商标。 5 CGH35240F Rev 1.1 Cree, Inc. 4600 Silicon Drive Durham, North Carolina, USA 27703 美国电话：+1.919.313.5300 传真：+1.919.869.2733 www.cree.com/rf CGH35240F瞬变热阻曲线 1.0 0.9 Theta JC（oC/W） 0.8 0.7 0.6 0.5 10%占空比 - 耗散功率=230 W 0.4 20%占空比 - 耗散功率=230 W 50%占空比 - 耗散功率=230 W 0.3 10%占空比 - 耗散功率=345 W 0.2 1.00E-06 1.00E-05 1.00E-04 1.00E-03 1.00E-02 1.00E-01 1.00E+00 脉冲宽度（秒） CGH35240瞬变耗散功率下降曲线 CGH3x240F Pulsed Power Dissipation De-rating Curve 400 350 功耗（W） 300 100 us, 10 % 300 us, 20 % 1 ms, 20% 250 1 ms, 50 % 200 150 注1 100 50 0 0 25 50 75 100 125 150 175 200 225 250 最高表面温度（°C） 注1。超出最大表面工作温度的区域（见第2页）。 版权所有© 2010-2012 Cree, Inc.保留所有权利。本文件中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree和Cree徽标是Cree, Inc.的注册商标。 6 CGH35240F Rev 1.1 Cree, Inc. 4600 Silicon Drive Durham, North Carolina, USA 27703 美国电话：+1.919.313.5300 传真：+1.919.869.2733 www.cree.com/rf CGH35240F-TB公版放大器电路物料清单 编号 描述 数量 R1 电阻，511 Ω，+/- 1%，1/16W，0603 1 R2 电阻，5.1 Ω，+/- 1%，1/16W，0603 1 C1，C3 电容，10.0pF，+/-5%，250V，0603， 2 C2 电容，6.8pF，+/- 0.25 pF，250V，0603 1 C4，C11 电容，470pF，+/-5%，100V，0603，X 2 电容，33 uF，20%，G CASE 1 电容，33000PF，0805，100V，X7R 2 电容，1.0uF，100V，10%，X7R，1210 1 电容，10uF，16V，钽 1 电容，10pF，+/- 1%，250V，0805 2 电容，3300uF，+/-20%，100V，电解质 1 C15 C5，C12 C13 C6 C9，C10 C16 连接器，SMA，面板安装插孔，FL 2 J3 晶体支架，RT>PLZ，0.1CEN LK 9POS 1 J4 连接器，SMB，直式，插孔，SMD 1 J1，J2 W1 电缆，18 AWG，4.2 1 L1 FERRITE，22 OHM，0805，BLM21PG220SN1 1 PCB，RO4350，2.5 X 4.0 X 0.030 1 CGH35240F 1 Q1 CGH35240F-TB公版放大器电路 版权所有© 2010-2012 Cree, Inc.保留所有权利。本文件中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree和Cree徽标是Cree, Inc.的注册商标。 7 CGH35240F Rev 1.1 Cree, Inc. 4600 Silicon Drive Durham, North Carolina, USA 27703 美国电话：+1.919.313.5300 传真：+1.919.869.2733 www.cree.com/rf CGH35240F-TB公版放大器电路外形 CGH35240F-TB公版放大器电路电路原理图 电源电压输出 Ohm铁氧体磁珠 (CGH35240F) 射频输出 射频输入 版权所有© 2010-2012 Cree, Inc.保留所有权利。本文件中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree和Cree徽标是Cree, Inc.的注册商标。 8 CGH35240F Rev 1.1 Cree, Inc. 4600 Silicon Drive Durham, North Carolina, USA 27703 美国电话：+1.919.313.5300 传真：+1.919.869.2733 www.cree.com/rf CGH35240F的典型封装S参数（小信号，VDS = 28 V，IDQ = 1000 mA，角度以度为单位） 频率 Mag S11 Ang S11 Mag S21 Ang S21 Mag S12 Ang S12 Mag S22 Ang S22 500 MHz 0.909 -110.39 0.67 85.30 600 MHz 0.887 -133.63 0.68 52.25 0.001 7.79 0.931 -175.71 0.001 -22.14 0.926 700 MHz 0.861 -157.29 0.67 161.61 21.72 0.002 -50.42 0.925 140.70 800 MHz 0.831 178.80 900 MHz 0.800 154.60 0.65 -6.95 0.002 -74.38 0.924 120.94 0.64 -34.16 0.002 -110.45 0.924 1.0 GHz 0.770 130.18 101.95 0.63 -60.27 0.002 -135.64 0.924 83.44 46.75 1.2 GHz 0.723 80.74 0.64 -110.13 0.002 166.59 0.919 1.4 GHz 0.698 29.48 0.69 -160.34 0.002 127.53 0.896 9.09 1.6 GHz 0.618 -28.54 0.76 137.30 0.004 116.81 0.766 -28.92 1.8 GHz 0.443 -48.39 0.45 107.33 0.003 53.00 0.861 -47.01 2.0 GHz 0.569 -89.52 0.69 73.39 0.003 -0.59 0.915 -88.98 2.1 GHz 0.594 -111.61 0.83 51.20 0.004 -23.48 0.913 -108.69 2.2 GHz 0.606 -133.58 1.01 28.33 0.005 -45.69 0.908 -128.26 2.3 GHz 0.607 -155.92 1.25 4.25 0.007 -71.50 0.902 -148.11 2.4 GHz 0.595 -179.54 1.59 -21.28 0.009 -99.04 0.895 -168.80 2.5 GHz 0.561 154.35 2.11 -49.48 0.013 -129.12 0.883 169.09 2.6 GHz 0.499 124.82 2.87 -80.80 0.018 -161.39 0.861 144.62 2.7 GHz 0.376 85.52 4.03 -118.36 0.027 161.11 0.813 115.40 2.8 GHz 0.177 20.59 5.38 -164.13 0.039 115.01 0.690 79.55 2.9 GHz 0.165 -127.79 6.17 144.62 0.049 64.36 0.480 37.79 3.0 GHz 0.309 163.81 6.11 96.28 0.052 15.24 0.288 -7.26 3.1 GHz 0.354 118.49 5.80 52.70 0.052 -28.98 0.208 -64.36 3.2 GHz 0.329 74.79 5.47 11.41 0.052 -70.29 0.236 -120.98 3.3 GHz 0.286 23.15 5.19 -29.09 0.052 -110.99 0.302 -160.98 3.4 GHz 0.300 -38.01 4.94 -70.05 0.052 -151.88 0.354 167.78 3.5 GHz 0.406 -96.34 4.55 -112.29 0.050 165.57 0.350 142.39 3.6 GHz 0.565 -143.08 4.00 -154.80 0.046 122.85 0.300 127.36 3.7 GHz 0.708 177.87 3.32 163.85 0.040 81.34 0.271 127.66 3.8 GHz 0.799 143.73 2.64 125.19 0.033 42.95 0.321 129.68 3.9 GHz 0.847 113.69 2.09 89.39 0.027 7.05 0.410 122.23 4.0 GHz 0.868 85.65 1.65 56.14 0.022 -25.45 0.497 108.92 4.2 GHz 0.853 30.51 1.10 -6.76 0.016 -84.72 0.622 78.62 4.4 GHz 0.803 -32.21 0.75 -69.35 0.012 -148.46 0.700 47.77 4.6 GHz 0.765 -101.68 0.51 -131.73 0.008 147.89 0.743 16.36 4.8 GHz 0.770 -166.93 0.32 167.88 0.005 101.70 0.762 -17.52 5.0 GHz 0.785 141.18 0.20 113.11 0.004 59.25 0.747 -56.70 5.2 GHz 0.786 100.39 0.13 60.03 0.005 5.11 0.676 -106.08 5.4 GHz 0.761 65.91 0.08 -1.66 0.007 -83.46 0.447 -179.99 5.6 GHz 0.691 35.57 0.03 -48.77 0.005 159.03 0.055 2 122.03 5.8 GHz 0.608 11.51 0.02 -59.15 0.004 57.07 0.310 23.86 6.0 GHz 0.604 -18.74 0.01 -102.12 0.003 -9.32 0.594 -75.04 请从http://www.cree.com/products/wireless_s-parameters.asp下载“.s2p”格式的s参数文件。 版权所有© 2010-2012 Cree, Inc.保留所有权利。本文件中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree和Cree徽标是Cree, Inc.的注册商标。 9 CGH35240F Rev 1.1 Cree, Inc. 4600 Silicon Drive Durham, North Carolina, USA 27703 美国电话：+1.919.313.5300 传真：+1.919.869.2733 www.cree.com/rf CGH35240F产品尺寸（封装类型 — 440201） 注： 1. 按照ANSI Y14.5M ‒ 1994规定的标示尺寸和公差。 2. 控制尺寸：英寸。 3. 胶型盖最多可以超出盖子边缘0.020"。 4. 盖子与包装盒粘贴时的任一方向误差不得大于0.008"。 英寸 DIM 引脚： 1. 栅极 2. 漏极 最小 毫米 最大 型 最小 注 最大 型 3. 光源 版权所有© 2010-2012 Cree, Inc.保留所有权利。本文件中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree和Cree徽标是Cree, Inc.的注册商标。 10 CGH35240F Rev 1.1 Cree, Inc. 4600 Silicon Drive Durham, North Carolina, USA 27703 美国电话：+1.919.313.5300 传真：+1.919.869.2733 www.cree.com/rf 免责声明 本文所列规格随时可能出现更改，恕不另行通知。Cree, Inc.相信本数据手册中所含的信息是准确、可靠的。然而，如若使用此信息导致 侵犯第三方的专利或其他权利，Cree对此不承担任何责任。Cree并未就其专利或专利权授予默示许可或其他形式的许可。Cree对于其产 品针对任何特定用途的适用性不作任何担保、表示或保证。所给出的“典型”参数是Cree对大量产品预计的平均值，此数据仅供参考。 在不同的应用中，这些数值会与表中所列数据有所不同，实际性能也会随着时间的推移而变化。所有工作参数均应由客户的技术专家针对 每项具体应用进行验证。Cree产品无意用作也未授权用作以下应用中的部件，事实上也未针对类似应用而设计：植入人体的外科植入物 或者用于支撑或延续生命的应用；Cree产品故障会导致人员伤亡的应用；以及规划、建设、维护或直接运作核设施的应用。 有关详细信息，请联系： Cree, Inc. 4600 Silicon Drive Durham, North Carolina, USA 27703 www.cree.com/rf Sarah Miller 市场与出口 Cree射频组件 1.919.407.5302 Ryan Baker 市场营销 Cree射频组件 1.919.407.7816 Tom Dekker 销售总监 Cree射频组件 1.919.407.5639 版权所有© 2010-2012 Cree, Inc.保留所有权利。本文件中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree和Cree徽标是Cree, Inc.的注册商标。 11 CGH35240F Rev 1.1 Cree, Inc. 4600 Silicon Drive Durham, North Carolina, USA 27703 美国电话：+1.919.313.5300 传真：+1.919.869.2733 www.cree.com/rf