2SK2724 DS

お客様各位
カタログ等資料中の旧社名の扱いについて
2010 年 4 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジ
が合併し、両社の全ての事業が当社に承継されております。従いまして、本資料中には旧社
名での表記が残っておりますが、当社の資料として有効ですので、ご理解の程宜しくお願い
申し上げます。
ルネサスエレクトロニクス ホームページ（http://www.renesas.com）
2010 年 4 月 1 日
ルネサスエレクトロニクス株式会社
【発行】ルネサスエレクトロニクス株式会社（http://www.renesas.com）
【問い合わせ先】http://japan.renesas.com/inquiry
ご注意書き
1.
本資料に記載されている内容は本資料発行時点のものであり、予告なく変更することがあります。当社製品
のご購入およびご使用にあたりましては、事前に当社営業窓口で最新の情報をご確認いただきますとともに、
当社ホームページなどを通じて公開される情報に常にご注意ください。
2.
本資料に記載された当社製品および技術情報の使用に関連し発生した第三者の特許権、著作権その他の知的
財産権の侵害等に関し、当社は、一切その責任を負いません。当社は、本資料に基づき当社または第三者の
特許権、著作権その他の知的財産権を何ら許諾するものではありません。
3.
当社製品を改造、改変、複製等しないでください。
4.
本資料に記載された回路、ソフトウェアおよびこれらに関連する情報は、半導体製品の動作例、応用例を説
明するものです。お客様の機器の設計において、回路、ソフトウェアおよびこれらに関連する情報を使用す
る場合には、お客様の責任において行ってください。これらの使用に起因しお客様または第三者に生じた損
害に関し、当社は、一切その責任を負いません。
5.
輸出に際しては、「外国為替及び外国貿易法」その他輸出関連法令を遵守し、かかる法令の定めるところに
より必要な手続を行ってください。本資料に記載されている当社製品および技術を大量破壊兵器の開発等の
目的、軍事利用の目的その他軍事用途の目的で使用しないでください。また、当社製品および技術を国内外
の法令および規則により製造・使用・販売を禁止されている機器に使用することができません。
6.
本資料に記載されている情報は、正確を期すため慎重に作成したものですが、誤りがないことを保証するも
のではありません。万一、本資料に記載されている情報の誤りに起因する損害がお客様に生じた場合におい
ても、当社は、一切その責任を負いません。
7.
当社は、当社製品の品質水準を「標準水準」、
「高品質水準」および「特定水準」に分類しております。また、
各品質水準は、以下に示す用途に製品が使われることを意図しておりますので、当社製品の品質水準をご確
認ください。お客様は、当社の文書による事前の承諾を得ることなく、「特定水準」に分類された用途に当
社製品を使用することができません。また、お客様は、当社の文書による事前の承諾を得ることなく、意図
されていない用途に当社製品を使用することができません。当社の文書による事前の承諾を得ることなく、
「特定水準」に分類された用途または意図されていない用途に当社製品を使用したことによりお客様または
第三者に生じた損害等に関し、当社は、一切その責任を負いません。なお、当社製品のデータ・シート、デ
ータ・ブック等の資料で特に品質水準の表示がない場合は、標準水準製品であることを表します。
標準水準：
コンピュータ、OA 機器、通信機器、計測機器、AV 機器、家電、工作機械、パーソナル機器、
産業用ロボット
高品質水準： 輸送機器（自動車、電車、船舶等）、交通用信号機器、防災・防犯装置、各種安全装置、生命
維持を目的として設計されていない医療機器（厚生労働省定義の管理医療機器に相当）
特定水準：
航空機器、航空宇宙機器、海底中継機器、原子力制御システム、生命維持のための医療機器（生
命維持装置、人体に埋め込み使用するもの、治療行為（患部切り出し等）を行うもの、その他
直接人命に影響を与えるもの）（厚生労働省定義の高度管理医療機器に相当）またはシステム
等
8.
本資料に記載された当社製品のご使用につき、特に、最大定格、動作電源電圧範囲、放熱特性、実装条件そ
の他諸条件につきましては、当社保証範囲内でご使用ください。当社保証範囲を超えて当社製品をご使用さ
れた場合の故障および事故につきましては、当社は、一切その責任を負いません。
9.
当社は、当社製品の品質および信頼性の向上に努めておりますが、半導体製品はある確率で故障が発生した
り、使用条件によっては誤動作したりする場合があります。また、当社製品は耐放射線設計については行っ
ておりません。当社製品の故障または誤動作が生じた場合も、人身事故、火災事故、社会的損害などを生じ
させないようお客様の責任において冗長設計、延焼対策設計、誤動作防止設計等の安全設計およびエージン
グ処理等、機器またはシステムとしての出荷保証をお願いいたします。特に、マイコンソフトウェアは、単
独での検証は困難なため、お客様が製造された最終の機器・システムとしての安全検証をお願いいたします。
10.
当社製品の環境適合性等、詳細につきましては製品個別に必ず当社営業窓口までお問合せください。ご使用
に際しては、特定の物質の含有･使用を規制する RoHS 指令等、適用される環境関連法令を十分調査のうえ、
かかる法令に適合するようご使用ください。お客様がかかる法令を遵守しないことにより生じた損害に関し
て、当社は、一切その責任を負いません。
11.
本資料の全部または一部を当社の文書による事前の承諾を得ることなく転載または複製することを固くお
断りいたします。
12.
本資料に関する詳細についてのお問い合わせその他お気付きの点等がございましたら当社営業窓口までご
照会ください。
注 1.
本資料において使用されている「当社」とは、ルネサスエレクトロニクス株式会社およびルネサスエレク
トロニクス株式会社がその総株主の議決権の過半数を直接または間接に保有する会社をいいます。
注 2.
本資料において使用されている「当社製品」とは、注 1 において定義された当社の開発、製造製品をいい
ます。
データ・シート
MOS形電界効果パワートランジスタ
MOS Field Effect Power Transistors
2SK2724
NチャネルパワーMOSFET
スイッチング用
工業用
本製品はNチャネル縦型パワーMOSFETで，スイッチング特性が優れており， 外形図（単位：mm）
各種アクチュエータ駆動回路やスイッチング電源用途に最適です。
10.0±0.3
特 徴
3.2±0.2
4.5±0.2
2.7±0.2
○低入力容量です。
4±0.2
Ciss = 1200 pF標準
○ゲートカットオフ電圧幅が狭い。
VGS（off） = 1.0∼2.0 V（＠VDS = 10 V, ID = 1 mA）
○ゲート保護ダイオードを内蔵。
0.7±0.1
○実装が容易なフルモールドパッケージです。
13.5MIN.
RDS（on）2 = 40 mΩ最大（＠VGS = 4 V, ID = 18 A）
3±0.1
15.0±0.3
RDS（on）1 = 27 mΩ最大（＠VGS = 10 V, ID = 18 A）
12.0±0.2
○4 V駆動で低オン抵抗です。
1.3±0.2
1.5±0.2
2.54
2.54
2.5±0.1
0.65±0.1
1. Gate
2. Drain
3. Source
1 2 3
MP-45F（ISOLATED TO-220）
絶対最大定格（TA = 25 ℃）
項 目
略 号
条 件
定 格
単 位
ドレイン・ソース間電圧
VDSS
VGS = 0
60
V
ゲート・ソース間電圧
VGSS
VDS = 0
±20
V
ドレイン電流（直流）
ID（DC）
TC = 25 ℃
±35
A
ドレイン電流（パルス）
ID（pulse）
PW≦10μs，Duty≦1 %
±140
A
全損失
PT
TA = 25 ℃
2.0
W
全損失
PT
TC = 25 ℃
30
W
チャネル温度
Tch
150
℃
保存温度
Tstg
−55∼＋150
℃
内部等価回路
Drain
Body
Diode
Gate
Gate Protection
Diode
Source
本製品のゲート・ソース間に内蔵されている保護ダイオードは取り扱い時における静電気保護用です。実使用回路
において，ゲート・ソース間に過大な電圧が印加される恐れがある場合には保護回路をつけてご使用下さい。
本資料の内容は，後日変更する場合があります。
資料番号
D10515JJ2V0DS00（第２版）
発行年月 April 1996
P
© NEC Corporation 1995
2SK2724
電気的特性（TA = 25 ℃）
項 目
略 号
条 件
MIN.
TYP.
MAX.
単 位
10
μA
±10
μA
2.0
V
ドレインしゃ断電流
IDSS
VDS = 60 V, VGS = 0
ゲート漏れ電流
IGSS
VGS = ±20 V, VDS = 0
ゲートカットオフ電圧
VGS（off）
VDS = 10 V, ID = 1 mA
1.0
1.5
順伝達アドミタンス
︱yfs︱
VDS = 10 V, ID = 18 A
10
23
ドレイン・ソース間オン抵抗
RDS（on）1
VGS = 10 V, ID = 18 A
20
27
mΩ
ドレイン・ソース間オン抵抗
RDS（on）2
VGS = 4 V, ID = 18 A
33
40
mΩ
入力容量
Ciss
VDS = 10 V
1200
pF
出力容量
Coss
VGS = 0
570
pF
帰還容量
Crss
f = 1 MHz
270
pF
オン時遅延時間
td（on）
ID = 18 A
35
ns
立ち上がり時間
tr
VGS（on） = 10 V
280
ns
オフ時遅延時間
td（off）
VDD = 30 V
160
ns
下降時間
tf
RG = 10Ω
170
ns
ゲート全電荷量
QG
ID = 35 A
50
nC
ゲート・ソース間電荷量
QGS
VDD = 48 V
4.5
nC
ゲート・ドレイン間電荷量
QGD
VGS = 10 V
22
nC
内部ダイオード順電圧
VF（S-D）
IF = 35 A, VGS = 0
1.0
V
内部ダイオード逆回復時間
trr
IF = 35 A, VGS = 0
70
ns
逆回復電荷量
Qrr
di/dt = 100 A/μs
130
nC
Test Circuit1 Switching Time
Test Circuit2 Gate Charge
D.U.T.
IG = 2 mA
D.U.T.
RL
RG
RG = 10Ω
PG.
VGS
VGS
0
Wave Form
VGS(on)
10 %
90 %
VDD
PG.
90 %
ID
90 %
ID
VGS
0
Wave Form
ID
0
10 %
10 %
td(on)
tr
td(off)
tf
t
ton
t = 1μs
Duty Cycle≦1 %
2
S
toff
50Ω
RL
VDD
2SK2724
DERATING FACTOR OF FORWARD BIAS
SAFE OPERATING AREA
TOTAL POWER DISSIPATION vs.
CASE TEMPERATURE
PT - Total Power Dissipation - W
dT - Percentage of Rated Power - %
35
100
80
60
40
20
0
20
40
60
80
30
25
20
15
10
5
0
100 120 140 160
20
40
60
80
100 120 140 160
TC - Case Temperature - ℃
TC - Case Temperature - ℃
FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA
DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
1000
Pulsed
d
=1
m
ite
ID(DC)
=35A
00
μ
s
on
)
Li
ID - Drain Current - A
10
PW
G
S=
ID(pulse)=140A
(V
100
D
S(
PW
=1
PW
Po
m
P
s
Li we
W
=
m r
=2 10
ite D
m
0
d( iss
0m s
PT ip
s
=3 ati
0W on
)
R
ID - Drain Current - A
V)
200
10
Tc=25℃
Single Pulse
1
0.1
1
10
100
VGS=20V
100
VGS=10V
VGS=4V
0
1
2
3
4
VDS - Drain to Source Voltage - V
VDS - Drain to Source Voltage - V
FORWARD TRANSFER CHARACTERISTICS
ID - Drain Current - A
1000
Pulsed
Tch=-25℃
25℃
100
125℃
10
1
VDS=10V
0
5
10
15
VGS- Gate to Source Voltage - V
3
2SK2724
TRANSIENT THERMAL RESISTANCE vs. PULSE WIDTH
rth(t) - Transient Thermal Resistance - ℃/W
1 000
Rth(ch-a)=62.5℃/W
100
10
1
Rth(ch-c)=4.2℃/W
0.1
0.01
Single Pulse
0.001
10μ
100μ
1m
10 m
100 m
1
10
100
1 000
1 000
100
VDS=10V
Pulsed
Tch=-25℃
25℃
75℃
125℃
10
1
1
10
100
1 000
RDS(on) - Drain to Source On-State Resistance - mΩ
ID- Drain Current - A
4
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
Pulsed
60
80
Pulsed
60
40
VGS=4V
20
0
VGS=10V
1
10
ID - Drain Current - A
100
ID=18A
40
20
0
10
20
30
VGS - Gate to Source Voltage - V
DRAIN TO SOURCE ON-STATE
RESISTANCE vs. DRAIN CURRENT
GATE TO SOURCE CUTOFF VOLTAGE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
VGS(off) - Gate to Source Cutoff Voltage - V
｜yfs ｜ - Forward Transfer Admittance - S
FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs.
DRAIN CURRENT
RDS(on) - Drain to Source On-State Resistance - mΩ
PW - Pulse Width - s
VDS = 10 V
ID = 1 mA
2.0
1.5
1.0
0.5
0
- 50
0
50
100
150
Tch - Channel Temperature - ℃
SOURCE TO DRAIN DIODE
FORWARD VOLTAGE
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
Pulsed
80
ISD - Diode Forward Current - A
60
VGS=4V
40
20
VGS=10V
100
10
1
VGS=0
0.1
ID = 18A
0
- 50
0
50
100
0
150
Tch - Channel Temperature -℃
td(on), tr, td(off), tf - Switching Time - ns
Ciss, Coss, Crss - Capacitance - pF
SWITCHING CHARACTERISTICS
1 000
VGS = 0
f = 1 MHz
Ciss
1 000
Coss
100
10
0.1
Crss
1
10
100
td(on)
100
tf
tr
td(off)
10
1.0
0.1
ID - Drain Current - A
trr - Reverse Recovery time - ns
di/dt =100A/μs
50
VGS = 0
100
10
1.0
10
IF - Diode Current - A
100
VDS - Drain to Source Voltage - V
REVERSE RECOVERY TIME vs.
DRAIN CURRENT
1.0
0.1
VDD =30V
VGS(on) =10V
RG =10Ω
10
100
1.0
VDS - Drain to Source Voltage - V
1000
1.5
VSD - Source to Drain Voltage - V
CAPACITANCE vs. DRAIN TO
SOURCE VOLTAGE
10 000
1.0
0.5
DYNAMIC INPUT/OUTPUT CHARACTERISTICS
16
80
ID=35A
14
12
60
VGS
40
VDS
VDD=12V
30V
48V
10
8
6
20
4
2
0
20
40
60
Qg - Gate Charge - nC
0
80
5
VGS - Gate to Source Voltage - V
RDS(on) - Drain to Source On-State Resistance - mΩ
2SK2724
2SK2724
参考資料
資 料 名
資料番号
NEC半導体デバイスの信頼性品質管理
TEM-521
NEC半導体デバイスの品質水準
IEI-620
半導体デバイス実装マニュアル
C10535J
半導体デバイスパッケージ・マニュアル
C10943X
半導体総合セレクションガイド
X10678J
半導体デバイスの品質保証ガイド
MEI-603
パワーMOS FET整流回路
TEA-572
パワーMOS FET応用回路集
TEA-576
パワーMOS FETの安全動作領域について
TEA-578
パワーMOS FETを用いたDCモータ駆動回路について
TEP-512
4V駆動パワーMOS FETの特徴と応用
TEA-568
パワーデバイスの自動実装対応について
TEA-571
パワートランジスタの取付方法と取付部品一覧
TEI-603
UPC1100, UPC1150の使い方
IEP-772
表面実装用MP-3形パワーデバイス
TEM-522
高アバランシェア耐量MOS FETシリーズ
TEA-579
6
2SK2724
〔メ モ〕
7
2SK2724
○文書による当社の承諾なしに本資料の転載複製を禁じます。
○本資料に記載された製品の使用もしくは本資料に記載の情報の使用に際して，当社は当社もしくは第三
者の知的所有権その他の権利に対する保証または実施権の許諾を行うものではありません。上記使用に
起因する第三者所有の権利にかかわる問題が発生した場合，当社はその責を負うものではありませんの
でご了承ください。
○当社は品質，信頼性の向上に努めていますが，半導体製品はある確率で故障が発生します。当社半導体
製品の故障により結果として，人身事故，火災事故，社会的な損害等を生じさせない冗長設計，延焼対
策設計，誤動作防止設計等安全設計に十分ご注意願います。
○当社は，当社製品の品質水準を「標準水準」，「特別水準」およびお客様に品質保証プログラムを指定
して頂く「特定水準」に分類しております。また，各品質水準は以下に示す用途に製品が使われること
を意図しておりますので，当社製品の品質水準をご確認の上ご使用願います。
標準水準：コンピュータ，OA機器，通信機器，計測機器，AV機器，家電，工作機械，パーソナル機
器，産業用ロボット
特別水準：輸送機器（自動車，列車，船舶等），交通用信号機器，防災／防犯装置，各種安全装置，
生命維持を直接の目的としない医療機器
特定水準：航空機器，航空宇宙機器，海底中継機器，原子力制御システム，生命維持のための医療機
器，生命維持のための装置またはシステム等
当社製品のデータ・シート／データ・ブック等の資料で，特に品質水準の表示がない場合は標準水準製
品であることを表します。当社製品を上記の「標準水準」の用途以外でご使用をお考えのお客様は，必
ず事前に当社販売窓口までご相談頂きますようお願い致します。
○この製品は耐放射線設計をしておりません。
M4 94.11
お問い合わせは，最寄りの N E C へ
【営業関係お問い合わせ先】
半 導 体 第 一 販 売 事 業 部
半 導 体 第 二 販 売 事 業 部
半 導 体 第 三 販 売 事 業 部
〒108-01 東京都港区芝五丁目７番１号（NEC本社ビル）
東 京 (03)3454-1111 (大代表)
中 部 支 社 半 導 体 販 売 部
〒460
名古屋 (052)222-2170
半導体第一販売部
関 西 支 社 半導体第二販売部
半導体第三販売部
〒540 大阪市中央区城見一丁目４番24号（NEC関西ビル）
北
東
岩
山
郡
い
長
土
水
神
群
太
海 道 支
北 支
手 支
形 支
山 支
わ き 支
岡 支
浦 支
戸 支
奈 川 支
馬 支
田 支
社
社
店
店
店
店
店
店
店
社
店
店
札 幌
仙 台
盛 岡
山 形
郡 山
いわき
長 岡
土 浦
水 戸
横 浜
高 崎
太 田
名古屋市中区錦一丁目17番１号（NEC中部ビル）
(011)231- 0161
(022)261- 5511
(0196)51- 4344
(0236)23- 5511
(0249)23- 5511
(0246)21- 5511
(0258)36- 2155
(0298)23- 6161
(0292)26- 1717
(045)324- 5511
(0273)26- 1255
( 0276)46- 4011
宇
小
長
松
上
甲
埼
立
千
静
北
福
都 宮 支
山 支
野 支
本 支
諏 訪 支
府 支
玉 支
川 支
葉 支
岡 支
陸 支
井 支
店
店
社
店
店
店
社
社
社
社
社
店
宇都宮
小 山
長 野
松 本
諏 訪
甲 府
大 宮
立 川
千 葉
静 岡
金 沢
福 井
大 阪 (06) 945-3178
大 阪 (06) 945-3200
大 阪 (06) 945-3208
(028)621- 2281
(0285)24- 5011
(026)235- 1444
(0263)35- 1666
(0266)53- 5350
(0552)24- 4141
(048)641- 1411
(0425)26- 5981
(043)238- 8116
(054)255- 2211
(0762)23- 1621
(0776)22- 1866
富
三
京
神
中
鳥
岡
四
新
松
九
北
山 支
重 支
都 支
戸 支
国 支
取 支
山 支
国 支
居 浜 支
山 支
州 支
九 州 支
店
店
社
社
社
店
店
社
店
店
社
店
富 山
津
京 都
神 戸
広 島
鳥 取
岡 山
高 松
新居浜
松 山
福 岡
北九州
(0764)31- 8461
(0592)25- 7341
(075)344- 7824
(078)333- 3854
(082)242- 5504
(0857)27- 5311
(086)225- 4455
(0878)36- 1200
(0897)32- 5001
(089)945- 4111
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【本資料に関する技術お問い合わせ先】
8
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川
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半導体販売技術本部
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京
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大
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阪
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C95.12