お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 2010 年 4 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジ が合併し、両社の全ての事業が当社に承継されております。従いまして、本資料中には旧社 名での表記が残っておりますが、当社の資料として有効ですので、ご理解の程宜しくお願い 申し上げます。 ルネサスエレクトロニクス ホームページ（http://www.renesas.com） 2010 年 4 月 1 日 ルネサスエレクトロニクス株式会社 【発行】ルネサスエレクトロニクス株式会社（http://www.renesas.com） 【問い合わせ先】http://japan.renesas.com/inquiry ご注意書き 1. 本資料に記載されている内容は本資料発行時点のものであり、予告なく変更することがあります。当社製品 のご購入およびご使用にあたりましては、事前に当社営業窓口で最新の情報をご確認いただきますとともに、 当社ホームページなどを通じて公開される情報に常にご注意ください。 2. 本資料に記載された当社製品および技術情報の使用に関連し発生した第三者の特許権、著作権その他の知的 財産権の侵害等に関し、当社は、一切その責任を負いません。当社は、本資料に基づき当社または第三者の 特許権、著作権その他の知的財産権を何ら許諾するものではありません。 3. 当社製品を改造、改変、複製等しないでください。 4. 本資料に記載された回路、ソフトウェアおよびこれらに関連する情報は、半導体製品の動作例、応用例を説 明するものです。お客様の機器の設計において、回路、ソフトウェアおよびこれらに関連する情報を使用す る場合には、お客様の責任において行ってください。これらの使用に起因しお客様または第三者に生じた損 害に関し、当社は、一切その責任を負いません。 5. 輸出に際しては、「外国為替及び外国貿易法」その他輸出関連法令を遵守し、かかる法令の定めるところに より必要な手続を行ってください。本資料に記載されている当社製品および技術を大量破壊兵器の開発等の 目的、軍事利用の目的その他軍事用途の目的で使用しないでください。また、当社製品および技術を国内外 の法令および規則により製造・使用・販売を禁止されている機器に使用することができません。 6. 本資料に記載されている情報は、正確を期すため慎重に作成したものですが、誤りがないことを保証するも のではありません。万一、本資料に記載されている情報の誤りに起因する損害がお客様に生じた場合におい ても、当社は、一切その責任を負いません。 7. 当社は、当社製品の品質水準を「標準水準」 、 「高品質水準」および「特定水準」に分類しております。また、 各品質水準は、以下に示す用途に製品が使われることを意図しておりますので、当社製品の品質水準をご確 認ください。お客様は、当社の文書による事前の承諾を得ることなく、「特定水準」に分類された用途に当 社製品を使用することができません。また、お客様は、当社の文書による事前の承諾を得ることなく、意図 されていない用途に当社製品を使用することができません。当社の文書による事前の承諾を得ることなく、 「特定水準」に分類された用途または意図されていない用途に当社製品を使用したことによりお客様または 第三者に生じた損害等に関し、当社は、一切その責任を負いません。なお、当社製品のデータ・シート、デ ータ・ブック等の資料で特に品質水準の表示がない場合は、標準水準製品であることを表します。 標準水準： コンピュータ、OA 機器、通信機器、計測機器、AV 機器、家電、工作機械、パーソナル機器、 産業用ロボット 高品質水準： 輸送機器（自動車、電車、船舶等） 、交通用信号機器、防災・防犯装置、各種安全装置、生命 維持を目的として設計されていない医療機器（厚生労働省定義の管理医療機器に相当） 特定水準： 航空機器、航空宇宙機器、海底中継機器、原子力制御システム、生命維持のための医療機器（生 命維持装置、人体に埋め込み使用するもの、治療行為（患部切り出し等）を行うもの、その他 直接人命に影響を与えるもの） （厚生労働省定義の高度管理医療機器に相当）またはシステム 等 8. 本資料に記載された当社製品のご使用につき、特に、最大定格、動作電源電圧範囲、放熱特性、実装条件そ の他諸条件につきましては、当社保証範囲内でご使用ください。当社保証範囲を超えて当社製品をご使用さ れた場合の故障および事故につきましては、当社は、一切その責任を負いません。 9. 当社は、当社製品の品質および信頼性の向上に努めておりますが、半導体製品はある確率で故障が発生した り、使用条件によっては誤動作したりする場合があります。また、当社製品は耐放射線設計については行っ ておりません。当社製品の故障または誤動作が生じた場合も、人身事故、火災事故、社会的損害などを生じ させないようお客様の責任において冗長設計、延焼対策設計、誤動作防止設計等の安全設計およびエージン グ処理等、機器またはシステムとしての出荷保証をお願いいたします。特に、マイコンソフトウェアは、単 独での検証は困難なため、お客様が製造された最終の機器・システムとしての安全検証をお願いいたします。 10. 当社製品の環境適合性等、詳細につきましては製品個別に必ず当社営業窓口までお問合せください。ご使用 に際しては、特定の物質の含有･使用を規制する RoHS 指令等、適用される環境関連法令を十分調査のうえ、 かかる法令に適合するようご使用ください。お客様がかかる法令を遵守しないことにより生じた損害に関し て、当社は、一切その責任を負いません。 11. 本資料の全部または一部を当社の文書による事前の承諾を得ることなく転載または複製することを固くお 断りいたします。 12. 本資料に関する詳細についてのお問い合わせその他お気付きの点等がございましたら当社営業窓口までご 照会ください。 注 1. 本資料において使用されている「当社」とは、ルネサスエレクトロニクス株式会社およびルネサスエレク トロニクス株式会社がその総株主の議決権の過半数を直接または間接に保有する会社をいいます。 注 2. 本資料において使用されている「当社製品」とは、注 1 において定義された当社の開発、製造製品をいい ます。 データ・シート MOS 形電界効果トランジスタ MOS Field Effect Transistor µ PA1770 P チャネル パワーMOS FET スイッチング用 工業用 µPA1770 は，デュアル・タイプの P チャネル縦型 MOS FET で，オン抵抗特性が優れており，ポータブル機器のパ ワー・マネジメント回路等に最適です。 特 徴 オーダ情報 ○ 2 素子内蔵の小型パッケージです。 オーダ名称 パッケージ ○ 低 ON 抵抗です。 µPA1770G Power SOP8 RDS(ON)1 = 37 mΩ 最大（VGS = –4.5 V, ID = –3.0 A） RDS(ON)2 = 39 mΩ 最大（VGS = –4.0 V, ID = –3.0 A） RDS(ON)3 = 59 mΩ 最大（VGS = –2.5 V, ID = –3.0 A） ○ 低入力容量です。 Ciss = 1300 pF 標準 ○ ゲート保護ダイオードを内蔵 ○ 8 ピン SOP 外形と小型パッケージのため実装面積が低減できます。 絶対最大定格（TA = 25°°C，全端子を接続した条件で測定） 項 目 略号 ドレイン・ソース間電圧 VDSS ゲート・ソース間電圧 VGSS ドレイン電流（直流） ID(DC) ドレイン電流 (パルス) ID(pulse) 全損失 全損失 単位 –20 V A PW ≤ 10µs, Duty Cycle ≤ 1% 1 素子通電時 0.40 W 2 素子通電時 0.75 W 1 素子通電時 1.7 W 2 素子通電時 2.0 W Tch 150 °C Tstg –55∼+150 °C PT 注2 PT 保存温度 定格 # 12 # 6.0 # 24 注1 チャネル温度 条 件 V A 注1. 1600 mm ×1.6 mm の FR-4 基板実装時，ドレイン・パッド・サイズ：4.5 mm2×35 µm，TA = 25°C 2. 1200 mm2×2.2 mm のセラミック基板実装時，TA = 25°C 2 本資料の内容は，予告なく変更することがありますので，最新のものであることをご確認の上ご使用ください。 資料番号 G14055JJ1V0DS00（第 1 版） 発行年月 November 1999 NS CP(K) 1999 µPA1770 電気的特性（TA = 25°°C，全端子を接続した条件で測定） 項 目 略号 ドレイン・ソース間オン抵抗 ゲート・カットオフ電圧 条 件 MIN. TYP. MAX. 単位 RDS(on)1 VGS = –4.5 V, ID = –3.0 A 28 37 mΩ RDS(on)2 VGS = –4.0 V, ID = –3.0 A 29.5 39 mΩ RDS(on)3 VGS = –2.5 V, ID = –3.0 A 44 59 mΩ VGS(off) VDS = –10 V, ID = 1 mA –0.5 –1.0 –1.5 V VDS 5.0 11 –1 µA # 10 µA 順伝達アドミタンス | ドレインしゃ断電流 IDSS VDS = –20 V, VGS = 0 V ゲート漏れ電流 IGSS VGS = 入力容量 Ciss VDS = –10 V, 1300 pF 出力容量 Coss VGS = 0 V, 325 pF 帰還容量 Crss f = 1 MHz 155 pF オン時遅延時間 td(on) ID = –3.0 A, 25 ns 立ち上がり時間 tr VGS(on) = –4.5 V, 110 ns オフ時遅延時間 td(off) VDD = –10 V, 130 ns 立ち下がり時間 tf RG = 10 Ω 140 ns ゲート全電荷量 QG ID = –6.0 A, 11 nC ゲート・ソース間電荷量 QGS VDD = –16 V, 2.0 nC ゲート・ドレイン間電荷量 QGD VGS = –4.5 V 4.0 nC 内部ダイオード順電圧 yfs | = –10 V, ID = –3.0 A # 12 V, VDS = 0 V S VF(S-D) IF = 6.0 A, VGS = 0 V 0.8 V 内部ダイオード逆回復時間 trr IF = 6.0 A, VGS = 0 V 60 ns 逆回復電荷量 Qrr di/dt = 100 A/µs 40 nC TEST CIRCUIT 1 SWITCHING TIME TEST CIRCUIT 2 D.U.T. D.U.T. RL RG RG = 10 Ω PG. VGS VGS Wave Form 0 PG. VDD 90 % 90 % 10 % 0 10 % ID Wave Form τ = 1µ s Duty Cycle ≤ 1 % tr td(on) ton IG = 2 mA RL 50 Ω VDD 90 % ID τ 2 VGS(on) 10 % ID VGS 0 GATE CHARGE td(off) tf toff データ・シート G14055JJ1V0DS00 µPA1770 特性曲線（TA = 25 °C，全端子を接続した条件で測定） TRANSIENT THERMAL RESISTANCE vs. PULSE WIDTH rth(t) - Transient Thermal Resistance - ˚C/W 1000 Rth(ch-A) = 73.5 ˚C/W 100 10 1 0.1 0.01 0.001 0.00001 Mounted on ceramic Single Pulse substrate of 1200 mm 2 × 2.2 mm Single Pulse , 1 unit 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 10 100 1000 100 10 VDS = −10 V Pulsed TA = −50˚C TA = −25˚C TA = 25˚C TA = 75˚C TA = 125˚C TA = 150˚C 1 0 −0.1 −1 −10 −100 RDS(on) - Drain to Source On-state Resistance - mΩ ID - Drain Current - A DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs. DRAIN CURRENT 80 Pulsed VGS = −2.5 V 60 VGS = −4.0 V 40 VGS = −4.5 V 20 0 −0.1 −1 −10 −100 VGS(off) - Gate to Source Cut-off Voltage - V |yfs| - Forward Transfer Admittance - S FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs. DRAIN CURRENT RDS(on) - Drain to Source On-state Resistance - mΩ PW - Pulse Width - s DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs. GATE TO SOURCE VOLTAGE 80 Pulsed 70 ID = −6.0 A 60 50 40 ID = −3.0 A 30 20 10 0 −2 0 −4 −6 −8 −10 VGS - Gate to Source Voltage - V GATE TO SOURCE CUT-OFF VOLTAGE vs. CHANNEL TEMPERATURE −1.5 VDS = −10 V ID = 1 mA −1.0 −0.5 −0 −75 −50 −25 ID - Drain Current - A 0 25 50 75 100 125 150 Tch - Channel Temperature - ˚C データ・シート G14055JJ1V0DS00 3 SOURCE TO DRAIN DIODE FORWARD VOLTAGE DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs. CHANNEL TEMPERATURE 100.0 100 VF(S−D) - Diode Forward Current - A 80.0 60.0 VGS = −2.5 V VGS = −4.0 V 40.0 VGS = −4.5 V 20.0 0.0 −50 ID = −3.0 A −25 0 25 50 75 100 VGS = −2.5 V 10 VGS = 0 V 1 0.1 0.01 0.00 125 150 0.50 Tch - Channel Temperature - ˚C SWITCHING CHARACTERISTICS 1000 Ciss Coss 100 Crss 10 1 −0.1 VGS = 0 V f = 1 MHz −1 −10 td(on), tr, td(off), tf - Switching Time - ns 10000 1000 td(off) 100 tf tr td(on) 10 VDD = −16 V VGS = −4.5V RG = 10 Ω 1 −0.1 −100 −1 DYNAMIC INPUT/OUTPUT CHARACTERISTICS trr - Reverse Recovery Time - ns di/dt = 100 A/ns VGS = 0 V 1000 100 10 1 10 100 VDS - Drain to Source Voltage - V REVERSE RECOVERY TIME vs. DRAIN CURRENT 1 0.1 −30 −6 −25 −5 VGS −20 VDD = −16 V VDD = −10 V VDD = −4 V −15 −2 −5 0 0 −1 VDS 2 4 6 8 10 12 QG - Gate Charge - nC データ・シート G14055JJ1V0DS00 −4 −3 −10 ID - Drain Current - A 4 −10 ID - Drain Current - A VDS - Drain to Source Voltage - V 10000 1.50 1.00 VSD - Source to Drain Voltage - V CAPACITANCE vs. DRAIN TO SOURCE VOLTAGE Ciss, Coss, Crss - Capacitance - pF Pulsed 14 0 16 VGS - Gate to Source Voltage - V RDS(on) - Drain to Source On-state Resistance - mΩ µPA1770 µPA1770 DERATING FACTOR OF FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA TOTAL POWER DISSIPATION vs. AMBIENT TEMPERATURE PT - Total Power Dissipation - W dT - Percentage of Rated Power - % 2.8 100 80 60 40 20 0 20 40 60 80 Mounted on ceramic substrate of 1200 mm 2 × 2.2 mm 2.4 2.0 2 unit 1 unit 1.6 1.2 0.8 0.4 0 100 120 140 160 TA - Ambient Temperature - ˚C −30 PW TA = 25 ˚C Single Pulse ID - Drain Current - A µs 1 s m 10 PW m 0 10 s = (a RDS t V (o n) G L S = im −4 ite .5 d V) 0 = = ID(DC) m s Po we −1 100 120 140 160 DRAIN CURRENT vs. DRAIN TO SOURCE VOLTAGE Pulsed VGS = −4.5 V −20 VGS = −4.0 V −15 VGS = −2.5 V −10 d ite Lim −0.1 0 80 −5 n Mounted on ceramic substrate of 2 1200 mm × 2.2 mm −0.1 1unit tio ipa iss rD ID - Drain Current - A 10 PW PW −10 60 −25 = ID(pulse) 40 TA - Ambient Temperature - ˚C FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA −100 20 −1 −10 −100 −0 −0 −0.2 −0.4 −0.6 −0.8 −1.0 −1.2 VDS - Drain to Source Voltage - V VDS - Drain to Source Voltage - V FORWARD TRANSFER CHARACTERISTICS ID - Drain Current - A −100 VDS = −10 V Pulsed −10 −1 −0.1 TA = 150˚C TA = 125˚C TA = 75˚C −0.01 −0.001 0 TA = 25˚C TA = −25˚C TA = −50˚C −1 −2 −3 VGS - Gate to Source Voltage - V データ・シート G14055JJ1V0DS00 5 µPA1770 外形図（単位：mm） Power SOP8 内部等価回路 8 5 (1/2 回路) 1 ; Source 1 2 ; Gate 1 7, 8 ; Drain 1 Drain 3 ; Source 2 4 ; Gate 2 5, 6 ; Drain 2 備考 1.44 4.4 Gate 0.8 +0.10 –0.05 0.15 1.27 0.40 0.78 Max. +0.10 –0.05 Body Diode 6.0 ±0.3 4 5.37 Max. 0.05 Min. 1.8 Max. 1 0.5 ±0.2 0.10 Gate Protection Diode Source 0.12 M この製品のゲート・ソース間に内蔵されている保護ダイオードは取り扱い時における静電気保護用です。 実使用回路において，ゲート・ソース間に過大な電圧が印加される恐れがある場合には保護回路をつけてご使 用ください。 6 データ・シート G14055JJ1V0DS00 µPA1770 〔メ モ〕 データ・シート G14055JJ1V0DS00 7 µPA1770 • 本資料の内容は予告なく変更することがありますので，最新のものであることをご確認の上ご使用くだ さい。 • 文書による当社の承諾なしに本資料の転載複製を禁じます。 • 本資料に記載された製品の使用もしくは本資料に記載の情報の使用に際して，当社は当社もしくは第三 者の知的財産権その他の権利に対する保証または実施権の許諾を行うものではありません。上記使用に 起因する第三者所有の権利にかかわる問題が発生した場合，当社はその責を負うものではありませんの でご了承ください。 • 本資料に記載された回路，ソフトウエア，及びこれらに付随する情報は，半導体製品の動作例，応用例 を説明するためのものです。従って，これら回路・ソフトウエア・情報をお客様の機器に使用される場 合には，お客様の責任において機器設計をしてください。これらの使用に起因するお客様もしくは第三 者の損害に対して，当社は一切その責を負いません。 • 当社は品質，信頼性の向上に努めていますが，半導体製品はある確率で故障が発生します。当社半導体 製品の故障により結果として，人身事故，火災事故，社会的な損害等を生じさせない冗長設計，延焼対 策設計，誤動作防止設計等安全設計に十分ご注意願います。 • 当社は，当社製品の品質水準を「標準水準」，「特別水準」およびお客様に品質保証プログラムを指定 して頂く「特定水準」に分類しております。また，各品質水準は以下に示す用途に製品が使われること を意図しておりますので，当社製品の品質水準をご確認の上ご使用願います。 標準水準：コンピュータ，OA機器，通信機器，計測機器，AV機器，家電，工作機械，パーソナル機 器，産業用ロボット 特別水準：輸送機器（自動車，列車，船舶等），交通用信号機器，防災／防犯装置，各種安全装置， 生命維持を直接の目的としない医療機器 特定水準：航空機器，航空宇宙機器，海底中継機器，原子力制御システム，生命維持のための医療機 器，生命維持のための装置またはシステム等 当社製品のデータ・シート／データ・ブック等の資料で，特に品質水準の表示がない場合は標準水準製 品であることを表します。当社製品を上記の「標準水準」の用途以外でご使用をお考えのお客様は，必 ず事前に当社販売窓口までご相談頂きますようお願い致します。 M7 98.8 お問い合わせ先 【技術的なお問い合わせ先】 ＮＥＣ半導体テクニカルホットライン（インフォメーションセンター） （電話：午前 9:00∼12:00，午後 1:00∼5:00） 電 話 FAX E-mail ：044-548-8899 ：044-548-7900 ：[email protected] 【営業関係お問い合わせ先】 半導体第一販売事業部 半導体第二販売事業部 半導体第三販売事業部 中 関 部 西 支 支 社 社 北海道支社 東北支社 岩手支店 郡山支店 長岡支店 水戸支店 群馬支店 太田支店 宇都宮支店 〒108-8001 東京都港区芝５−７−１ （日本電気本社ビル） (03)3454-1111 半導体第一販売部 半導体第二販売部 〒460-8525 愛知県名古屋市中区錦１−17−１ （日本電気中部ビル） (052)222-2170 (052)222-2190 半導体第一販売部 半導体第二販売部 半導体第三販売部 〒540-8551 大阪府大阪市中央区城見１−４−24 （日本電気関西ビル） (06)6945-3178 (06)6945-3200 (06)6945-3208 札 幌 仙 台 盛 岡 郡 山 長 岡 水 戸 高 崎 太 田 宇都宮 (011)231-0163 (022)267-8740 (019)651-4344 (024)923-5511 (0258)36-2155 (029)226-1717 (027)326-1255 (0276)46-4011 (028)621-2281 甲府支店 長野支社 静岡支社 立川支社 埼玉支社 千葉支社 神奈川支社 三重支店 北陸支社 甲 府 松 本 静 岡 立 川 大 宮 千 葉 横 浜 津 金 沢 (055)224-4141 (0263)35-1662 (054)254-4794 (042)526-5981,6167 (048)649-1415 (043)238-8116 (045)682-4524 (059)225-7341 (076)232-7303 京都支社 神戸支社 中国支社 鳥取支店 岡山支店 四国支社 九州支社 京 都 神 戸 広 島 鳥 取 岡 山 松 山 福 岡 (075)344-7824 (078)333-3854 (082)242-5504 (0857)27-5311 (086)225-4455 (089)945-4149 (092)261-2806 C99.7