PowerModul e Conv er t er/Br ake MG020200 特 長 Feat ur e 煙小型 DI Pパッケージ 煙絶縁タイプ 煙高耐圧 煙高放熱性 煙 Smal lDI PPackage 煙I s ol at edPackag 煙 Hi ghVol t age 煙 Hi ghHeatDi s s i pat i on 用 途 Appl i cat i on 煙I nv er t er v oAmpl i f i er 煙 Ser 煙汎用インバータ 煙サーボアンプ ■電極図 TERMI NALS ■外観図 OUTLI NE 38.0 4.8 32.2 ） 30.4 5.5 1.6 9.5 2.3 13.85 3.5 1.2 0.9 φ3.5 ⑤ 15.2 0.5 ① 13.85 0.5 （28.2） ⑥ ） 5° 0∼ （ 15.2 24.5 ⑩ 4.０ （0∼5° 31.0 品名略号 Type No. インデックスマーク Index mark MG020200 0000 HEAT SINK SIDE 管理番号 （例） Control No. p （SPM〈2014.07〉） www. s hi ndengen. c o. j p/ pr oduc t / s emi / ロット記号（例） Date code 01 MG020200 ■定格表 RATI NGS ●絶対最大定格 Abs ol ut eMaxi mum Rat i ngs （指定のない場合 Tc＝2 5 ℃/ unl e s so t he r wi s es pe c i f i e d） er t er コンバータ部／Conv ダイオード／Di ode 項 目 I t em 接合部温度 Oper at i ngJunct i onT emper at ur e 記号 Sy mbol 条 件 Condi t i ons 規格値 Rat i ngs 単位 Uni t Tj 1 5 0 ℃ せん頭逆電圧 mum Rev er s eVol t age Maxi VRM 6 0 0 V 非繰り返しせん頭サージ逆電圧 Repet i t i v ePeakSur geVol t age Non- VRSM 0 0 8 V 出力電流 Av er ageRect i f i edFor war dCur r ent I o せん頭サージ順電流 PeakSur geFor war dCur r ent 電流二乗時間積 r entSquar edTi me Cur 3 7 ℃ ５０Hz正弦波，抵抗負荷，Tc＝1 50Hzs i newav e,Res i s t ancel oad,T c=137˚ C I FSM 2 I t 2 0 A ＝25℃，一素子当たりの規格値 50Hz正弦波，非繰り返し 1サイクルせん頭値，Tj 50Hzsi newave,Nonr epet i t i ve1cycl epeakval ue,Tj =25˚ C,Rat i ngofperdi ode 2 0 0 A 1 ms≦ t＜ 5 ms ，Tj ＝2 5 ℃，一素子当たりの規格値 ,Tj =25˚ C,Rat i ngofperdi ode 1ms≦ t＜ 5ms 1 4 0 A2s 最大瞬間接合部温度は 1 5 0 ℃（a tTc≦ 1 3 7 ℃） ですが、安全動作させるための平均動作接合部温度は Tj≦ 1 2 5 ℃（a tTc≦ 1 1 2 ℃） でご使用ください。 ブレーキ部／Br ake I GBT 項 目 I t em 記号 Sy mbol 条 件 Condi t i ons 規格値 Rat i ngs 単位 Uni t チャネル温度 emper at ur e ChannelT Tc h 1 5 0 ℃ コレクタ・エミッタ電圧 Col l ect or Emi t t erVol t age VCES 6 0 0 V ゲート・エミッタ電圧 eEmi t t erVol t age Gat VGES ±2 0 V 2 8 A 5 6 A 1 1 3 W 規格値 Rat i ngs 単位 Uni t 1 5 0 ℃ 6 0 0 V コレクタ電流（直流） Cont i nuousCol l ect orCur r ent( DC) I C コレクタ電流（ピーク） Cont i nuousCol l ect orCur r ent( Peak) I CP 全損失 T ot alPowerDi s s i pat i on PT パルス幅 10 μs ,dut y=1/ 100 Pul s ewi dt h10µs ,dut y=1/ 100 ブレーキ部／Br ake ダイオード／Di ode 項 目 I t em 接合部温度 Oper at i ngJunct i onT emper at ur e せん頭逆電圧 Maxi mum Rev er s eVol t age 出力電流 Av er ageRect i f i edFor war dCur r ent せん頭サージ順電流 PeakSur geFor war dCur r ent 電流二乗時間積 Cur r entSquar edTi me 記号 Sy mbol 条 件 Condi t i ons Tj VRM I o ５０Hz正弦波，抵抗負荷，Tc＝1 3 7 ℃ 50Hzs i newav e,Res i s t ancel oad,T c=137˚ C I FSM 2 I t 3 A 5 0 Hz正弦波，非繰り返し 1サイクルせん頭値，Tj ＝2 5 ℃ 50Hzs i newav e,Nonr epet i t i v e1cy cl epeakv al ue,Tj =25˚ C 9 0 A 1 ms≦ t＜ 5 ms ，Tj ＝2 5 ℃，一素子当たりの規格値 1ms≦ t＜ 5ms ,Tj =25˚ C,Rat i ngofperdi ode 2 8 A2s 最大瞬間接合部温度は 1 5 0 ℃（a tTc≦ 1 3 7 ℃） ですが、安全動作させるための平均動作接合部温度は Tj≦ 1 2 5 ℃ （a tTc≦ 1 1 2 ℃） でご使用ください。 モジュール共通／Modul e 項 目 I t em 保存温度 St or ageT emper at ur e 絶縁耐圧 Di el ect r i cSt r engt h 締め付けトルク Mount i ngT or que p （SPM〈2014.07〉） 記号 Sy mbol 条 件 Condi t i ons Ts t g 規格値 Rat i ngs 単位 Uni t −4 0〜1 2 5 ℃ Vdi s 一括端子・ケース間，AC1分間印加 T er mi nal st ocas e,AC1mi nut e 2 . 5 kV TOR 主端子・取付用（推奨値：0. 8N ・m） Mai nt er mi nalf i t t i ngpar t( Recommendedt or que: 0. 8N ・m) 1 . 5 N・m www. s hi ndengen. c o. j p/ pr oduc t / s emi / 02 MG020200 ■定格表 RATI NGS ●電気的・熱的特性 El ect r i calChar act er i s t i cs （指定のない場合 Tc＝2 5 ℃/ unl e s so t he r wi s es pe c i f i e d） er t er コンバータ部／Conv ダイオード／Di ode 項 目 I t em 順電圧 For war dVol t age 逆電流 Rev er s eCur r ent 記号 Sy mbol VF I R 規格値 Rat i ngs MI N TYP MAX 条 件 Condi t i ons 単位 Uni t I A, F＝7 パルス測定，一素子当たりの規格値 Pul s emeas ur ement ,Rat i ngofperdi ode ─ ─ 1 . 0 5 V VR＝6 0 0 V, パルス測定，一素子当たりの規格値 Pul s emeas ur ement ,Rat i ngofperdi ode ─ ─ 1 0 μA ブレーキ部／Br ake I GBT 項 目 I t em コレクタ・エミッタ降伏電圧 l ect or Emi t t erBr eakdownVol t age Col 記号 Sy mbol i ngs 規格値 Rat MI N TYP MAX 条 件 Condi t i ons V mA, VGE＝0 V （BR） CES I C＝1 単位 Uni t 6 0 0 ─ ─ V コレクタ遮断電流 oGat eVol t ageCol l ect orCur r ent Zer I CES VCE＝6 0 0 V, VGE＝0 V ─ ─ 1 0 μA ゲート漏れ電流 Gat eSour ceLeakageCur r ent I GES VGE＝±2 0 V, VCE＝0 V ─ ─ ±1 μA I 8 A, VGE＝1 5 V C＝2 ─ 2 . 8 4 . 0 I 5 A, VGE＝1 5 V C＝1 ─ 2 . 1 2 . 7 コレクタ・エミッタ間オン電圧 St at i cCol l ect or Emi t t erSat ur at i onVol t age VCE （s a t ） V ゲートしきい値電圧 Gat eThr es hol dVol t age VTH I mA, VCE＝1 0 V C＝1 5 . 0 6 . 5 8 . 0 V ゲート全電荷量 T ot alGat eChar ge Qg VCC＝4 0 0 V, VGE＝1 5 V, I 8 A C＝2 ─ 3 8 ─ nC 入力容量 I nputCapaci t ance Ci e s ─ 1 0 5 0 ─ 帰還容量 Rev er s eT r ans f erCapaci t ance Cr e s VCE＝1 0 V, VGE＝0 V, f ＝1 MHz ─ 2 9 ─ 出力容量 Out putCapaci t ance Co e s ─ 1 8 5 ─ ターンオン遅延時間 T ur nonDel ayTi me t d （o n） ─ 1 3 0 ─ t r ─ 2 9 5 ─ ─ 2 1 0 ─ ─ 5 3 0 ─ 上昇時間 Ri s eTi me ターンオフ遅延時間 T ur nof fDel ayTi me 降下時間 Fal lTi me I 8 A, VCC＝3 0 0 V, L＝1 0 0 μH, C＝2 ＝1 5 V , V ＝1 5 V , R ＝5 0 Ω V G E G E G t d （o f f ） t f pF ns ブレーキ部／Br ake ダイオード／Di ode 項 目 I t em 順電圧 For war dVol t age 記号 Sy mbol VF 規格値 Rat i ngs MI N TYP MAX 条 件 Condi t i ons 単位 Uni t パルス測定 Pul s emeas ur ement ─ ─ 1 . 6 5 V 6 0 0 V, パルス測定 Pul s emeas ur ement ─ ─ 1 0 μA ─ ─ 5 0 ns I A, F＝3 逆電流 Rev er s eCur r ent I R VR＝ 逆回復時間 Rev er s eRecov er yTi me t r r I . 5A, I . 0A, 0 . 2 5 I F＝0 R＝1 R モジュール共通／Modul e 項 目 I t em 記号 Sy mbol コンバータ部 Conv er t er 熱抵抗 Ther malRes i s t ance p （SPM〈2014.07〉） θj c 規格値 Rat i ngs MI N TYP MAX 条 件 Condi t i ons 接合部・ケース間 Junct i ont ocas e ブレーキ部 Br ake www. s hi ndengen. c o. j p/ pr oduc t / s emi / Di ode ─ ─ 0 . 2 8 I GBT ─ ─ 1 . 1 Di ode ─ ─ 2 . 4 単位 Uni t ℃/ W 03 MG020200 ■特性図 CHARACTERI STI C DI AGRAMS コンバータ部／Conv er t er ode ダイオード／Di 順電力損失曲線 ディレーティングカーブ Forward Voltage Forward Power Dissipation Derating Curve Tc １０ Tc＝１５０℃ （MAX） Tc＝１５０℃ （TYP） Tc＝ ２５℃ （MAX） Tc＝ ２５℃ （TYP） 1 ０.１ ０ Pulse measurement per diode ０． ５ 1 １.５ ２ Forward Voltage VF〔V〕 Tj＝１50℃ sine wave ４０ ３０ ２０ １０ ０ ０ ２.５ ５ １０ １５ ２０ ２５ Average Rectified Forward Current IO〔A〕 ２５ ２０ sine wave VR＝VRM with heatsink １５ １０ HEAT SINK 9.5mm 3.7mm ５０ Forward Power Dissipation PF〔W〕 Forward Current IF〔A〕 １００ Average Rectified Forward Current IO〔A〕 順方向特性 Tc ５ ０ ０ ２０ ４０ ６０ ８０ １００ １２０ １４０ １６０ Case Temperature Tc〔 ℃〕 せん頭サージ順電流減少率−接合部温度 過渡熱抵抗 Peak Surge Forward Capability Peak Surge Forward Current Derating vs Junction Temperature Transient Thermal Impedance １０ms１０ms １cycle Non-repetitive Tj＝２５℃ per diode １５０ １００ ５０ ０ １ １０ Number of Cycles〔cycle〕 １００ ８０ ６０ ４０ １ ０.１ ０.０１ 9.5mm HEAT SINK Tc ０.００１ ２０ ０ ０ １０ 3.7mm ２００ Transient Thermal Impedance θjc〔℃/W〕 １００ Sine wave IFSM Peak Surge Forward Current IFSM〔A〕 ２５０ Peak Surge Forward Current Derating〔%〕 せん頭サージ順電流耐量 ２５ ５０ ７５ １００ １２５ Junction Temperature Tj〔℃〕 １５０ ０.０００１ １０-４ １０-3 １０-2 １０-1 １０0 Time t〔s〕 １０1 １０2 １０3 ブレーキ部／Br ake I GBT 出力特性 出力特性 伝達特性 Typical Output Characteristics Typical Output Characteristics Transfer Characteristics ４０ ３２ VGE=１０V １６ TC=２５℃ TYP Pulse measurement ８ ０ ０ ２ ４ ６ ８ Collector・Emitter Voltage VCE〔V〕 p （SPM〈2014.07〉） １０ VGE=１５V ４８ ４０ ３２ ２４ VGE=１０V １６ TC=１５０℃ TYP Pulse measurement ８ ０ ０ ２ ４ ６ ８ Collector・Emitter Voltage VCE〔V〕 www. s hi ndengen. c o. j p/ pr oduc t / s emi / １０ Collector current IC〔A〕 IC〔A〕 ４８ ２４ ５６ ５６ VGE=１５V Collector current Collector current IC〔A〕 ５６ ４８ TC=１５０℃ TC=２５℃ ４０ ３２ ２４ １６ VCE=１０V TYP Pulse measurement ８ ０ ０ ５ １０ １５ Gate・Emitter Voltage VGE〔V〕 ２０ 04 MG020200 ブレーキ部／Br ake GBT I 安全動作領域 過渡熱抵抗 Gate Threshold Voltage vs Case Temperature Safe Operating Area Transient Thermal Impedance １００ ５６ ２８ ７ ６.５ ６ ５.５ ５ VCE＝１０V IC=１mA TYP ４.５ ４ −４０ −２０ ０ ２０ ４０ ６０ ８０ １００ Case Ｔemperature Tc〔℃〕 １２５ １０ PT Limited 100μs １ 1ms IS/B Limited ０． １ ０． ０１ １ 10ms DC Tc＝２５℃ Single pulse 10 100 Collector・Emitter Voltage VCE〔V〕 １０ １ ０.１ ０.００１ １０-４ ６００ HEAT SINK 6.9mm ０.０１ １０-3 １０-2 １０-1 １０0 Time t〔s〕 キャパシタンス特性 全損失減少率 −ケース温度 ゲートチャージ特性 Capacitance Characteristics Power Derating - Case Temperature Gate Charge Characteristics Ｃoｓ Ｃoe ｓ Ｃrｓ Ｃre ｓ １０ Tc＝ ２ ５℃ Tc＝ ２ ５℃ f＝ １MHz f＝ １MHz TYP TYP １００ ２００ ３００ Collector・Emitter Voltage VCE〔V〕 Power Derating〔%〕 Capacitance Cies Coes Cres〔pF〕 １００ １ ０ ８０ Ｃｉ ｓ eｓ １０００ ５００ １００ １００００ ４００ ５００ Drain・Source Voltage VCE〔Ｖ〕 ６００ ４００ ６０ ４０ ２０ ０ ０ ２５ ５０ ７５ １００ １２５ Case Temperature Tc〔℃〕 １５０ Tc １０1 １０2 １０3 IC=２８A TYP VCE DS VＧE ＧS VCC=４００Ｖ ２００Ｖ １００V ２５ Gate・Source Voltage VGE〔V〕 ７.５ ５００ 1.2mm Pulse measurement Drain Current IC〔A〕 Gate Threshold Voltage ＶTH〔Ｖ〕 ８ Transient Thermal Impedance θjc〔℃/W〕 ゲートしきい値電圧 −ケース温度 ２０ ３００ １５ ２００ １０ １００ ５ ０ ０ １０ ２０ ３０ ４０ ５０ Total Gate Charge Qg〔nC〕 ０ ６０ スイッチングタイム−コレクタ電流 Switching Time-Collector Current １０００ tsw〔ns〕 tf tr Switching Time td(off) td(on) Vcc=３００V L=１００μH VGE=±１５V RG=５ ０Ω２５℃ Tc＝ Tc=２ ５℃ f＝ １MHz TYPTYP １００ ５０ ０ ８ １６ ２４ ３２ Collector Current p （SPM〈2014.07〉） ４０ ４８ IC〔A〕 ５６ www. s hi ndengen. c o. j p/ pr oduc t / s emi / 05 MG020200 順方向特性 順電力損失曲線 ディレーティングカーブ Forward Voltage Forward Power Dissipation Derating Curve Forward Power Dissipation PF〔W〕 Average Rectified Forward Current IO〔A〕 ブレーキ部／Br ake ode ダイオード／Di Forward Current IF〔A〕 １０ Tc＝１５０℃ （MAX） Tc＝１５０℃ （TYP） Tc＝ ２５℃ （MAX） Tc＝ ２５℃ （TYP） 1 ０.１ ０ Pulse measurement per diode ０． ５ 1 １.５ ２ ２.５ ３ Forward Voltage VF〔V〕 ３.５ ５ ４ ３ ２ １ ０ ０ ４ sine wave Tj =150℃ ０.５ １ １.５ ２ ２.５ ３ ３.５ Average Rectified Forward Current IO〔A〕 ３５ . ３ ２５ . ２ １.５ sine wave VR=VRM with heatsink 5.0mm １ 4.3mm ６ ５０ HEAT SINK Tc ０５ . ０ ０ ２０ ４０ ６０ ８０ １００ １２０ 過渡熱抵抗 Peak Surge Forward Current Derating vs Junction Temperature １００ Transient Thermal Impedance １００ １０ms１０ms １cycle Non-repetitive Tj＝２５℃ ８０ ６０ ４０ ２０ ０ １ １０ Number of Cycles〔cycle〕 p （SPM〈2014.07〉） １００ ８０ ６０ ４０ ２０ ０ ０ ２５ ５０ ７５ １００ １２５ Junction Temperature Tj〔℃〕 www. s hi ndengen. c o. j p/ pr oduc t / s emi / １５０ １００ １０ １ ０.１ 5.0mm ０.０１ ０.００１ １０-４ １０-3 １０-2 １０-1 4.3mm IFSM Peak Surge Forward Current IFSM〔A〕 Sine wave Transient Thermal Impedance θjc〔℃/W〕 せん頭サージ順電流減少率 - 接合部温度 Peak Surge Forward Capability Peak Surge Forward Current Derating〔％〕 せん頭サージ順電流耐量 １２０ １４０ １６０ Case Temperature Tc〔 ℃〕 １０0 Time t〔s〕 HEAT SINK Tc １０1 １０2 １０3 06 ご 注 意 1. ご採用に際しては、別途仕様書をご請求の上、ご確認をお願いいたします。 2. 本資料に記載されている当社製品の品質水準は、一般的な信頼度が要求される標準用途を意図しています。 その製品の故障や誤動作が直接生命や人体に影響を及ぼすような極めて高い品質、信頼度を要求される特 別、特定用途の機器、装置にご使用の場合には必ず事前に当社へご連絡の上、確認を得て下さい。 当社の 製品の品質水準は以下のように分類しております。 【標準用途】 コンピュータ、OA 等の事務機器、通信用端末機器、計測器、AV 機器、アミューズメント機器、家電、 工作機器、パーソナル機器、産業用機器等 【特別用途】 輸送機器（車載、船舶等）、基幹用通信機器、交通信号機器、防災/防犯機器、各種安全機器、医療 機器等 【特定用途】 原子力制御システム、航空機器、航空宇宙機器、海底中継機器、生命維持のための装置、システム 等 3. 当社は品質と信頼性の向上に絶えず努めていますが、必要に応じ、安全性を考慮した冗長設計、延焼防止 設計、誤動作防止設計等の手段により結果として人身事故、火災事故、社会的な損害等が防止できるようご 検討下さい。 4. 本資料に記載されている内容は、製品改良などのためお断りなしに変更することがありますのでご了承下さ い。製品のご購入に際しましては事前に当社または特約店へ最新の情報をご確認下さい。 5. 本資料の使用によって起因する損害または特許権その他権利の侵害に関しては、当社は一切その責任を負 いません。 6. 本資料によって第三者または当社の特許権その他権利の実施に対する保証または実施権の許諾を行うもの ではありません。 7. 本資料に記載されている製品が、外国為替及び外国貿易管理法に基づき規制されている場合、輸出には同 法に基づく日本国政府の輸出許可が必要です。 8. 本資料の一部または全部を当社に無断で転載または複製することを堅くお断りいたします。 Notes 1. 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Shindengen products are grouped into the following three applications according the quality grade. 【Standard applications】 Computers, office automation and other office equipment, communication terminals, test and measurement equipment, audio/visual equipment, amusement equipment, consumer electronics, machine tools, personal electronic equipment, industrial equipment, etc. 【Special applications】 Transportation equipment (vehicles, ships, etc.), trunk-line communication equipment, traffic signal control systems, anti-disaster/crime systems, safety equipment, medical equipment, etc. 【Specific applications】 Nuclear reactor control systems, aircraft, aerospace equipment, submarine repeaters, life support equipment and systems, etc. 3. Although Shindengen continuously endeavors to enhance the quality and reliability of its products, customers are advised to consider and take safety measures in their design, such as redundancy, fire containment and anti-failure, so that personal injury, fires, or societal damages can be prevented. 4. Please note that all information described or contained herein is subject to change without notice due to product upgrades and other reasons. When buying Shindengen products, please contact the Company s offices or distributors to obtain the latest information. 5. Shindengen shall not bear any responsibility with regards to damages or infringement of any third-party patent rights and other intellectual property rights incurred due to the use of information on this website. 6. The information and materials on this website neither warrant the use of Shindengen's or any third party s patent rights and other intellectual property rights, nor grant license to such rights. 7. 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