ダーリントン 2SB1351

(2 k Ω)(1 0 0Ω) E
2SB1351
シリコンPNPエピタキシャルプレーナ型トランジスタ
VCEO
−60
V
IEBO
VEBO
−6
V
V(BR)CEO
−12(パルス−20)
A
hFE
VCE＝−4V, IC＝−10A
2000min
VCB＝−60V
−10max
μA
VEB＝−6V
−10max
mA
IC＝−10mA
−60min
V
IB
−1
A
VCE(sat)
IC＝−10A, IB＝−20mA
− 1.5max
PC
30(Tc＝25℃)
W
VBE(sat)
IC＝−10A, IB＝−20mA
− 2.0max
Tj
150
℃
fT
−55∼＋150
℃
COB
V
130typ
MHz
VCB＝−10V, f＝1MHz
170typ
pF
1.35±0.15
1.35±0.15
–10
IB1
(mA)
5
–20
0.7typ
20
B C E
0.6typ
1.5typ
I C – V BE 温 度 特 性（ 代 表 例 ）
–4 m A
コレクタ飽和電圧 V C E (s e t ) (V)
ース
ス温
温度
）
度）
）
–5
（ケ
–1A
ケー
–5A
–1
–10
−3
–5
I C =–10A
0˚C
I B =–1mA
温度
–10
–15
–2
12
–2m A
ース
–3 mA
–15
コレクタ電流 I C (A)
–1
0m
A
A
–6m
(V CE = – 4V)
–20
–3
–20
製品質量 約2.0ｇ
イ．品名
ロ．ロット番号
tf
(μs)
tstg
(μs)
V CE (sat) – I B 特 性（ 代 表 例 ）
I C – V CE 特性（ 代 表 例 ）
コレクタ電流 I C (A)
ton
(μs)
IB2
(mA)
（ケ
–10
4
VBB2
(V)
˚C（
–40
VBB1
(V)
IC
(A)
2.4±0.2
2.2±0.2
5˚C
RL
(Ω)
0.85 +0.2
-0.1
0.45 +0.2
-0.1
2.54
2.54
■代表的スイッチング特性（エミッタ接地）
VCC
(V)
ø3.3±0.2
イ
ロ
V
VCE＝−12V, IE＝1A
4.2±0.2
2.8 c0.5
25
Tstg
10.1±0.2
4.0±0.2
ICBO
単位
0.8±0.2
V
規格値
±0.2
−60
試 験 条 件
3.9
VCBO
記 号
外形図 FM20(TO220F)
(Ta＝25℃)
単 位
IC
C
8.4±0.2
■電気的特性
(Ta＝25℃)
規 格 値
記 号
等価回路
用途：プリンタヘッド、ソレイド、リレー、モータ駆動、一般用
16.9±0.3
■絶対最大定格
B
13.0min
ダーリントン
0
0
–1
–2
–3
–4
–5
0
–0.1
–6
–1
コレクタ・エミッタ間電圧 V CE (V)
–10
h FE – I C 特性（代表例 ）
5000
–1
–5
–10
–20
25
5000
˚C
–30
˚C
1000
500
–0.3 –0.5
–1
コレクタ電流 I C (A)
–5
–10
–20
0.5
0.3
1
10
30
熱
100x100x2
板
付
コレクタ電流 I C (A)
150x150x2
放
放熱板なし
自然空冷
大
–0.5
限
–1
20
無
80
s
120
s
Typ
m
DC
–5
自然空冷
シリコーングリス
放熱板はアルミ
寸法単位はmm
1m
10
–10
160
1000
P c – Ta定 格
–30
200
100
時間 t(ms)
ASO 曲 線（ 単 発 パ ル ス ）
(V CE = – 12V)
–2.4
1
コレクタ電流 I C (A)
f T – I E 特性（代 表 例 ）
240
5
–2
5
最大許容損失 P C (W)
1000
800
–0.3
12
˚C
過渡熱抵抗 θ j- a (˚C/W)
10000
直流電流増幅率 h F E
直流電流増幅率 h F E
(V C E = – 4V)
20000
Typ
–1
θ j-a – t特 性
h FE – I C 温 度 特 性（ 代 表 例 ）
20000
10000
0
ベース・エミッタ間電圧 V B E (V)
(V CE = – 4V)
遮断周波数 f T (MH Z )
0
–100
ベース電流 I B (mA)
10
50x50x2
40
–0.1
放熱板なし
2
0
0.05 0.1
0.5
1
エミッタ電流 I E (A)
42
5
10
20
–0.05
–2
–5
–10
–50
コレクタ・エミッタ間電圧 V C E (V)
–100
0
0
25
50
75
100
周囲温度 Ta( ˚C)
125
150