2sa1488a ds jp

2SA1488/1488A
シリコンPNPエピタキシャルプレーナ型トランジスタ (2SC3851/3851Aとコンプリメンタリ)
−6
V
IEBO
VEB=−6V
IC
−4
A
V(BR)CEO
IC=−25mA
−80
−60
V
μA
−100max
−80min
−60min
IB
−1
A
hFE
VCE=−4V, IC=−1A
40min
PC
25(Tc=25℃)
W
VCE(sat)
IC=−2A, IB=−0.2A
−0.5max
Tj
150
℃
fT
VCE=−12V, IE=0.2A
15typ
MHz
−55∼+150
℃
COB
VCB=−10V, f=1MHz
90typ
pF
V
1.35±0.15
–10
–2
5
B C E
0.25typ
0.75typ
V CE (sat) – I B 特 性( 代 表 例 )
I C – V CE 特性( 代 表 例 )
–4
I C – V BE 温 度 特 性( 代 表 例 )
A
–50m A
–30mA
–20mA
–2
–10mA
–1
I B =–5mA
–3
–1.0
–0.5
–2
(ケ
–40m A
–3
–1
I C =–3A
12
–60m
コレクタ電流 I C (A)
A
コレクタ飽和電圧 V C E (s a t ) (V)
0m
(V C E = – 4V)
–4
–1.5
–8
コレクタ電流 I C (A)
0.25typ
200
–200
–2A
–1A
0
0
–1
–2
製品質量 約2.0g
イ.品名
ロ.ロット番号
tf
(μs)
tstg
(μs)
–3
–4
–5
0
–0.1
–6
–0.5
コレクタ・エミッタ間電圧 V CE (V)
–0.1
–0.5
0
–1
0
500
–1.0
–1.5
θ j-a – t特 性
h FE – I C 温 度 特 性( 代 表 例 )
(V CE = – 4V)
–0.5
ベース・エミッタ間電圧 V B E (V)
ベース電流 I B (A)
h FE – I C 特性(代 表 例 )
ース
温度
)
ース
温度
˚C(
)
ケー
ス温
度)
6
ton
(μs)
IB2
(mA)
IB1
(mA)
VBB2
(V)
−30
–12
VBB1
(V)
IC
(A)
2.4±0.2
2.2±0.2
5˚C
RL
(Ω)
0.85 +0.2
-0.1
0.45 +0.2
-0.1
2.54
2.54
■代表的スイッチング特性(エミッタ接地)
VCC
(V)
4.0±0.2
1.35±0.15
C(ケ
Tstg
ø3.3±0.2
イ
ロ
V
0.8±0.2
VCB=
VEBO
4.2±0.2
2.8 c0.5
±0.2
ICBO
V
10.1±0.2
μA
−100max
3.9
−100max
単位
25˚
−80
−60
規 格 値
2SA1488A
2SA1488
試 験 条 件
16.9±0.3
VCEO
記 号
8.4±0.2
■電気的特性
(Ta=25℃)
規 格 値
記号
単 位
2SA1488 2SA1488A
VCBO
V
−80
−60
13.0min
■絶対最大定格
用途:オーディオ、一般用
外形図 FM20(TO220F)
(Ta=25℃)
(V C E = – 4V)
5
200
25 ˚C
100
Typ
100
50
–0.5
–0.1
–1
–4
– 30 ˚C
50
20
–0.02
–0.1
f T – I E 特性(代 表 例 )
60
0.7
1
10
コレクタ電流 I C (A)
30
20
1000
P c – Ta定 格
30
1m
100ms
50
Typ
100
時間 t(ms)
–10
–5
遮断周波数 f T (MH Z )
–4
ASO 曲 線( 単 発 パ ル ス )
(V CE = – 12V)
40
–1
1
コレクタ電流 I C (A)
コレクタ電流 I C (A)
10
m
自然空冷
シリコーングリス
放熱板はアルミ
寸法単位はmm
s
s
最大許容損失 P C (W)
20
–0.01
過渡熱抵抗 θ j -a (˚C /W)
直流電流増幅率 h F E
直流電流増幅率 h F E
125 ˚C
DC
–1
–0.5
放熱板なし
自然空冷
20
無
限
150x150x2
1 00x 1 0
10
0x
大
放
熱
板
付
2
50x50x2
10
–0.1
放熱板なし
2
0
0.005 0.01
–0.05
0.05
0.1
0.5
エミッタ電流 I E (A)
1
3
3
5
10
50
コレクタ・エミッタ間電圧 V C E (V)
100
0
0
25
50
75
100
125
150
周囲温度 Ta( ˚C)
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