データシート

C
等価回路
2SD2081
シリコンNPN三重拡散プレーナ型トランジスタ（2SB1259とコンプリメンタリ）
用途：ソレノイド、モータ駆動、一般用
V
ICBO
VCEO
120
V
IEBO
VEBO
6
V
V(BR)CEO
A
hFE
VCE＝4V, IC＝5A
2000min
μA
VEB＝6V
10max
mA
IC＝10mA
120min
A
VCE(sat)
IC＝5A, IB＝5mA
1.5max
VBE(sat)
IC＝5A, IB＝5mA
2.0max
V
150
℃
fT
VCE＝12V, IE＝−0.5A
60typ
MHz
−55∼＋150
℃
COB
VCB＝10V, f＝1MHz
95typ
pF
30(Tc＝25℃)
Tj
4.2±0.2
2.8 c0.5
ø3.3±0.2
イ
ロ
V
3.9
PC
10.1±0.2
V
W
1
IB
Tstg
10max
VCB＝120V
16.9±0.3
10(パルス15)
IC
単位
4.0±0.2
120
規格値
試 験 条 件
0.8±0.2
VCBO
記 号
外形図 FM20(T0220F)
(Ta＝25℃)
単 位
±0.2
■電気的特性
(Ta＝25℃)
規 格 値
記 号
13.0min
■絶対最大定格
(2kΩ) (200Ω) E
8.4±0.2
ダーリントン
B
1.35±0.15
1.35±0.15
0.85 +0.2
-0.1
0.45 +0.2
-0.1
2.54
2.54
2.4±0.2
2.2±0.2
製品質量 約2.0g
イ．品名
ロ．ロット番号
B C E
V CE (sat) – I B 特 性（ 代 表 例 ）
I C – V CE 特性（代 表 例 ）
15
I C – V BE 温 度 特 性（ 代 表 例 ）
5mA
0
0
1
2
3
4
5
12
0
6
0.2
0.5
コレクタ・エミッタ間電圧 V CE (V)
1
5
10
50
20000
500
100
1
5
）
（ケース
5
5000
12
5˚
C
25
1000
500
過渡熱抵抗 θ j - a (˚C /W)
直流電流増幅率 h F E
1000
0.5
3
10000
5000
0.1
2
θ j-a – t特 性
(V C E =4V)
20000
Typ
50
30
0.03
1
ベース・エミッタ間電圧 V B E (V)
h FE – I C 温 度 特 性（ 代 表 例 ）
(V CE =4V)
10000
0
ベース電流 I B (mA)
h FE – I C 特性（代表 例 ）
˚C
–3
0˚
C
100
50
30
0.03
10
0.1
コレクタ電流 I C (A)
0.5
1
5
10
1
0.5
0.2
1
10
コレクタ電流 I C (A)
f T – I E 特性（代表 例 ）
100
1000
時間 t(ms)
ASO 曲 線（ 単 発 パ ル ス ）
P c – Ta定 格
(V CE =12V)
120
30
30
10
DC
熱
板
付
0.5
放
1
20
大
40
s
限
60
1m
s
無
コレクタ電流 I C (A )
5
80
m
最大許容損失 P C (W)
10
Typ
100
遮断周波数 f T (MH Z )
直流電流増幅率 h F E
0
100 200
− 3 0 ˚C
2
温度）
）
温度
1A
I B =0.5mA
ス温度
4
（ケー
5A
1
ース
5
I C =10A
6
2 5 ˚C
0. 7m A
2
（ケ
1mA
コレクタ電流 I C (A)
2m A
10
8
コレクタ飽和電圧 V C E (s a t ) (V)
コレクタ電流 I C (A)
3mA
5˚C
A
m
50
mA
(V CE =4V)
10
3
10
10
放熱板なし
自然空冷
20
0.1
放熱板なし
2
0
–0.05 –0.1
–0.5
–1
エミッタ電流 I E (A)
–5
–10
0.05
3
5
10
50
100
コレクタ・エミッタ間電圧 V C E (V)
200
0
0
25
50
75
100
125
150
周囲温度 Ta( ˚C)
145