2sd2015 ds jp

等価回路
2SD2015
シリコンNPN三重拡散プレーナ型トランジスタ
VCEO
120
V
IEBO
VEBO
6
V
V(BR)CEO
IC
4
A
hFE
VCE=2V, IC=2A
2000min
10max
μA
VEB=6V
10max
mA
IC=10mA
120min
VCB=150V
V
IB
0.5
A
VCE(sat)
IC=2A, IB=2mA
1.5max
PC
25(Tc=25℃)
W
VBE(sat)
IC=2A, IB=2mA
2.0max
V
Tj
150
℃
fT
VCE=12V, IE=−0.1A
40typ
MHz
−55∼+150
℃
COB
VCB=10V, f=1MHz
40typ
pF
Tstg
10.1±0.2
V
1.35±0.15
1.35±0.15
IC
(A)
VBB1
(V)
VBB2
(V)
IB1
(mA)
IB2
(mA)
ton
(μs)
tstg
(μs)
tf
(μs)
40
20
2
10
–5
10
–10
0.6typ
5.0typ
2.0typ
製品質量 約2.0g
イ.品名
ロ.ロット番号
B C E
V CE (sat) – I B 特 性( 代 表 例 )
I C – V CE 特性(代 表 例 )
I C – V BE 温 度 特 性( 代 表 例 )
3
IB
2.4±0.2
2.2±0.2
RL
(Ω)
(V CE =4V)
4
0.8mA
A
0.85 +0.2
-0.1
0.45 +0.2
-0.1
2.54
2.54
VCC
(V)
m
=1
ø3.3±0.2
イ
ロ
■代表的スイッチング特性(エミッタ接地)
4
4.2±0.2
2.8 c0.5
4.0±0.2
ICBO
0.8±0.2
V
単位
±0.2
150
規格値
試 験 条 件
3.9
VCBO
記 号
外形図 FM20(T0220F)
(Ta=25℃)
単 位
8.4±0.2
■電気的特性
(Ta=25℃)
規 格 値
記 号
(3kΩ) (500Ω) E
用途:ソレノイド、リレー、モータ駆動、一般用
16.9±0.3
■絶対最大定格
B
13.0min
ダーリントン
C
0
0
1
2
3
4
5
0
6
0.2
1
コレクタ・エミッタ間電圧 V CE (V)
10
50
Typ
1000
500
100
(V CE =4V)
5000
12
5˚
C
˚C
1000
25
500
–3
0˚
C
100
0.1
0.5
1
50
0.03 0.05
4
0.1
コレクタ電流 I C (A)
0.5
1
4
)
温度)
ス温度
(ケース
)
温度
1
0.5
1
5
10
50
100
500 1000
時間 t(ms)
コレクタ電流 I C (A)
f T – I E 特性(代表 例 )
2
5
過渡熱抵抗 θ j- a ( ˚C/W)
直流電流増幅率 h FE
10000
ASO 曲 線( 単 発 パ ル ス )
P c – Ta定 格
(V CE =12V)
30
10
60
5
10
100ms
50
1m
m
30
s
0µ
自然空冷
シリコーングリス
放熱板はアルミ
寸法単位はmm
s
s
40
コレクタ電流 I C (A)
遮断周波数 f T (MH Z )
DC
Typ
30
20
最大許容損失 P C (W)
直流電流増幅率 h F E
20000
10000
1
θ j-a – t特 性
h FE – I C 温 度 特 性( 代 表 例 )
20000
0.03
0
ベース・エミッタ間電圧 V B E (V)
(V CE =4V)
50
0
100
ベース電流 I B (mA)
h FE – I C 特性(代表例 )
5000
ース
1
5
(ケー
3A
2A
1A
2 5 ˚C
1
2
− 3 0 ˚C
1
I C =4 A
(ケ
0.3mA
5˚C
2
3
2
12
0.4mA
コレクタ電流 I C (A)
0.5mA
3
コレクタ電流 I C (A)
コレクタ飽和電圧 V C E (s a t ) (V)
0.6mA
1
0.5
放熱板なし
自然空冷
0.1
20
無
限
150x150x2
1 00x 1 0
10
0x
大
放
熱
板
付
2
50x50x2
10
放熱板なし
0.05
0
–0.02
2
0.03
–0.05 –0.1
–0.5
–1
エミッタ電流 I E (A)
–4
5
10
50
100
コレクタ・エミッタ間電圧 V C E (V)
200
0
0
25
50
75
100
125
150
周囲温度 Ta( ˚C)
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