等価回路 2SD2015 シリコンNPN三重拡散プレーナ型トランジスタ VCEO 120 V IEBO VEBO 6 V V(BR)CEO IC 4 A hFE VCE＝2V, IC＝2A 2000min 10max μA VEB＝6V 10max mA IC＝10mA 120min VCB＝150V V IB 0.5 A VCE(sat) IC＝2A, IB＝2mA 1.5max PC 25(Tc＝25℃) W VBE(sat) IC＝2A, IB＝2mA 2.0max V Tj 150 ℃ fT VCE＝12V, IE＝−0.1A 40typ MHz −55∼＋150 ℃ COB VCB＝10V, f＝1MHz 40typ pF Tstg 10.1±0.2 V 1.35±0.15 1.35±0.15 IC (A) VBB1 (V) VBB2 (V) IB1 (mA) IB2 (mA) ton (μs) tstg (μs) tf (μs) 40 20 2 10 –5 10 –10 0.6typ 5.0typ 2.0typ 製品質量 約2.0g イ．品名 ロ．ロット番号 B C E V CE (sat) – I B 特 性（ 代 表 例 ） I C – V CE 特性（代 表 例 ） I C – V BE 温 度 特 性（ 代 表 例 ） 3 IB 2.4±0.2 2.2±0.2 RL (Ω) (V CE =4V) 4 0.8mA A 0.85 +0.2 -0.1 0.45 +0.2 -0.1 2.54 2.54 VCC (V) m =1 ø3.3±0.2 イ ロ ■代表的スイッチング特性（エミッタ接地） 4 4.2±0.2 2.8 c0.5 4.0±0.2 ICBO 0.8±0.2 V 単位 ±0.2 150 規格値 試 験 条 件 3.9 VCBO 記 号 外形図 FM20(T0220F) (Ta＝25℃) 単 位 8.4±0.2 ■電気的特性 (Ta＝25℃) 規 格 値 記 号 (3kΩ) (500Ω) E 用途：ソレノイド、リレー、モータ駆動、一般用 16.9±0.3 ■絶対最大定格 B 13.0min ダーリントン C 0 0 1 2 3 4 5 0 6 0.2 1 コレクタ・エミッタ間電圧 V CE (V) 10 50 Typ 1000 500 100 (V CE =4V) 5000 12 5˚ C ˚C 1000 25 500 –3 0˚ C 100 0.1 0.5 1 50 0.03 0.05 4 0.1 コレクタ電流 I C (A) 0.5 1 4 ） 温度） ス温度 （ケース ） 温度 1 0.5 1 5 10 50 100 500 1000 時間 t(ms) コレクタ電流 I C (A) f T – I E 特性（代表 例 ） 2 5 過渡熱抵抗 θ j- a ( ˚C/W) 直流電流増幅率 h FE 10000 ASO 曲 線（ 単 発 パ ル ス ） P c – Ta定 格 (V CE =12V) 30 10 60 5 10 100ms 50 1m m 30 s 0µ 自然空冷 シリコーングリス 放熱板はアルミ 寸法単位はmm s s 40 コレクタ電流 I C (A) 遮断周波数 f T (MH Z ) DC Typ 30 20 最大許容損失 P C (W) 直流電流増幅率 h F E 20000 10000 1 θ j-a – t特 性 h FE – I C 温 度 特 性（ 代 表 例 ） 20000 0.03 0 ベース・エミッタ間電圧 V B E (V) (V CE =4V) 50 0 100 ベース電流 I B (mA) h FE – I C 特性（代表例 ） 5000 ース 1 5 （ケー 3A 2A 1A 2 5 ˚C 1 2 − 3 0 ˚C 1 I C =4 A （ケ 0.3mA 5˚C 2 3 2 12 0.4mA コレクタ電流 I C (A) 0.5mA 3 コレクタ電流 I C (A) コレクタ飽和電圧 V C E (s a t ) (V) 0.6mA 1 0.5 放熱板なし 自然空冷 0.1 20 無 限 150x150x2 1 00x 1 0 10 0x 大 放 熱 板 付 2 50x50x2 10 放熱板なし 0.05 0 –0.02 2 0.03 –0.05 –0.1 –0.5 –1 エミッタ電流 I E (A) –4 5 10 50 100 コレクタ・エミッタ間電圧 V C E (V) 200 0 0 25 50 75 100 125 150 周囲温度 Ta( ˚C) 141