RoHS指令対応：EU Directive 2002/95/ECにもとづき、免除さ れた用途を除いて、 鉛、 カドミウム、水銀、 六価クロム、および特定臭素 系難燃剤のPBB、PBDEを使用していないことを表します。 −40∼＋85℃の広温度範囲で、これまでのトップスペック材 いため、 100Base-Tモデムなど、 ローコスト化と小型化を追求 DN45をさらに23%も上回る秀逸な直流重畳特性を達成。こ する機器に適用されるパルストランスにこの手法は使えません。 の革新のハイパースペックが、100/1000Base-Tパルストラ つまり、この用途に向けられるコア材には、漏洩磁束のないトロ ンスの小型化とローコスト化をまた1歩先に進めます。 イダル形状の小型コアを前提に、 初透磁率の高さだけでなく、 直 流重畳下での「トランス性能」 を高める"物性"、 すなわち、 直流バ イアス電流8mA(直流磁界HDC=20∼40A/m)を印加した状 高速LANモデムに適用されるパルストランスは、一般に0.1∼ 態で、広い温度範囲にわたり十分なインダクタンスが得られる 100MHzの広帯域において挿入損失を小さく抑制する必要が B-H特性が求められます。 あります。低周波領域ではコアのインダクタンス特性の向上、 中 高周波領域においては巻数の削減によるコイル抵抗の低減、 コ ア形状や巻線方法の設計による漏れ磁束の制御が主な取り組 直流重畳下、 コア形状を小さくしても十分なインダクタンスを確 みとなります。とりわけ100Base-Tモデム向けパルストラン 保でき、 さらに、 その秀逸な特性を広い温度範囲にわたり発揮す スには、 8mAの直流バイアス電流を印加した状態で、350μH ることで、産業用途など、拡大する高速LAN環境に広く適用で 以上のインダクタンス値が求められ*、オフィスやSOHO、家庭 きる新たな専用コア材が欲しい など一般的なLAN環境では、0∼70℃の範囲でこの要求値を にいち早くお応えするため、TDK-EPCでは、従来のトップスペ このようなニーズの高まり 満足する必要があります。 ック材HP5を徹底的に検討・改良する取り組みによりDN45を * ANSI X3.263-1995[R2000]規格 開発。0∼70℃の使用環境において、 これまでの限界を大きく 超えるパワフルな直流重畳特性を実現し、100Base-T用パル ストランスの小型化と巻線数の削減によるローコスト化に貢献 フェライトコアを用いたトランスの直流重畳特性向上策として してきました。 は、 ギャップを設けたコアの採用が一般的ですが、 インダクタン そして、 さらなる高速化を追求するLAN技術の取り組みに対応 スの大幅な低下とそれを補うための巻数の増大が避けられな すべく開発された最新鋭フェライト材が、DNW45です。 安定化が不可欠であり、高周波特性の向上とローコスト化に大 きな意味を持つ巻線数の低減も推進する必要があります。 高速LANの主流となった100Base-Tは、 各種産業機器や製造 ラインはもちろん、POSシステムに代表される流通・搬送シス テム、ビル管理などのセキュリティシステム、医療機器などを含 DN45材の基本組成をベースに、 イオン置換による組成制御と む各種計測・モニタリングシステムなど、 その用途を急速に拡大 微細構造の見直しによる新たな焼結プロファイルを適用した最 し、 さらに高速な1000Base-T(1ギガビットイーサネット)への 新鋭材質DNW45は、このような産業用途のニーズと、1000 移行も拡大しています。 Base-Tなど、次世代イーサネットの技術要求にお応えできる、 このようなLAN用途の多様化と規格の飛躍的な高速化により、 おそらく世界初のフェライト材です。 ネットワークの信頼性を守る要となる伝送用パルストランスに も特性、サイズ、価格など、総合的な改良努力が一層強く求めら れています。 −40∼0℃領域の初透磁率μi を強化することにより、LAN用 そこで、たとえばコントローラICなど、産業用途に向けられた主 パルストランスの実効的な性能を決定づける高レベルな増分 要部品には、従来より環境温度−40∼＋85℃を前提とした特 透磁率μΔを確保しながら、その温度変化率を大幅に抑制。い 性の作り込みが求められてきましたが、 この対応温度範囲が、高 まなお業界トップレベルにあるDN45材のハイ・インダクタンス 速LAN用パルストランスにとっても特性評価の基本的なファク 特性をさらに23%も上回る秀逸無比な直流重畳特性を実現し タになりつつあります。 ました。この結果、 従来材を使用したパルストランスと同等特性 もちろんDN45材を適用することにより、この温度範囲におい を狙う場合、約36%のコア体積削減・小型化効果が得られ、同 ても、ANSIが求める直流重畳特性をクリアし、 かつ最新ニーズ 等特性かつ同等形状である場合は、巻線数を約20%も減らす に対応した小型パルストランスを作ることはできます。しかし、 ことができます。もちろん、1000Base-T向けパルストランス 1000Base-Tなど、 ネットワークの基幹から移行が進む新たな においても、 伝送信頼性の強化とともに、 他と一線を画す小型・ 高速LANシステムの信頼性を高めるには、 伝送特性のさらなる ローコスト化設計を追求いただけます。 10000 トロイダルコア 外径3.05×内径1.27×T 2.54mm at 10kHz 直流バイアス電流 8mA(HDC=32.1A/m),100kHz,100mV,N=24Ts 5000 HP5 DNW45 4000 DNW45 4000 DN45 2000 −60 −40 −20 0 20 40 60 80 温度(℃) 100 120 140 160 180 増分透磁率μΔ 6000 DN45 3000 HP5 2000 他社製コア 1000 0 −60 −40 −20 1200 DNW45 1000 インダクタンス (μH) 初透磁率μi 8000 トロイダルコア 外径3.05×内径1.27×T 2.54mm DN45 HP5 800 直流バイアス電流 8mA(HDC=32.1A/m),100kHz,100mV,N=24Ts 600 他社製コア 400 ANSI Ethernetトランス規格 L≧350μH at 100kHz,100mV,DC=8mA 200 0 −60 −40 −20 0 20 40 温度 (℃) 60 80 100 85 0 20 40 温度(℃) 60 80 100 85 HDC =32.1A/m(8mA) 5000 at −40°C HP5 DN45 1000 0 0 DNW45 4000 DNW45 2000 at 0 °C HP5 増分透磁率μΔ 増分透磁率μΔ 4000 3000 HDC =32.1A/m(8mA) 5000 DN45 3000 2000 1000 10 20 30 40 HDC (A/m) 50 0 0 60 10 20 30 40 HDC (A/m) 50 60 HDC =32.1A/m(8mA) 5000 at 70°C 4000 DN45 増分透磁率μΔ 直流バイアス磁界 HDC 0∼50A/m,100kHz,100mV,N=24Ts 4000 増分透磁率μΔ トロイダルコア 外径3.05×内径1.27×T 2.54mm HDC =32.1A/m(8mA) 5000 DNW45 3000 HP5 2000 1000 0 0 at 85°C DN45 3000 DNW45 HP5 2000 1000 10 20 30 40 HDC (A/m) 50 60 0 0 10 20 30 40 HDC (A/m) 増分透磁率μΔは、インダクタンスの定義と同様、マイナーループ 50 60 における磁化曲 線の傾きで示されます。直流が印加された場合のトランスのインダクタンスは、 この マイナーループの傾きに依存し、傾きが横に寝てくる(磁気飽和が始まる)のに伴い、 インダクタンスは急激に低下します。 一般的な伝送トランスに適用されるハイμコアは、BHループの原点における初透 3 のμi )を利用しますが、 磁率レベルでのインダクタンス(上のBH特性グラフ ③ 100 Base-T用の伝送トランスにおいては 8mAの直流電流が重畳されるため、磁心には 約20∼40A/m （形状と巻数に依存します） のバイアス磁界が印加されます(同グラフ のHDC-HIGH )。 2 のような磁化曲線を有するコアを使用すると、実際に駆 したがって、 この状態で ② 動される磁化曲線部分は大きく湾曲しているため(すなわち、磁束密度Bが 飽和に近 づいているため)、 このポイントにおけるインダクタンス(μΔ2)は、BHループの原点近 傍のそれより大きく減退してしまいます。 3 も、このHDC 原点で最も大きなインダクタンス(μi )を示すハイμコアモデルの ③ HIGHポイントではほぼ完全な飽和状態となり、磁心としての機能を喪失してしまい ます。 1 の磁化曲線です。 そこで、求められるのが、DNW45材をモデルにした ○ 3 が原点で見せる立ち上がりの鋭さには及びませんが、20∼40 ハイμコアモデル ③ 2 のコア A/m規模のバイアス磁界下においても直線性がよく保たれているため、② よりはるかに大きなインダクタンス(μΔ1)を結合パワーとする秀逸な伝送特性を発 揮します。 移行が加速する次世代高速イーサネットは もちろん、 セキュリティ、 産業分野も含む、 広 DNW45 従来材 4200±25% 4500±25% 5000±25% ＜3.5×10−6 ＜3.5×10−6 ＜3.5×10−6 飽和磁束密度* Bs (mT) 450 460 400 キュリー温度 Tc (℃) 150 min. 150 min. 140 min. 0.3 0.15 材質名 1 範なLAN環境に対応でき、 しかもローコス 初透磁率* トで小型なパルストランスを作りたい 損失係数*2 tan 3 そのご要求に、いますぐお応えできる世界 初の小型フェライトコア群です。 1 体積抵抗率* V (Ω・m) 0.65 3 かさ密度 db (kg/m3 ) 4.85×10 DN45 従来材 3 HP5 3 4.85×10 4.8×10 *1.at 25 °C *2.at 25 °C/10kHz *3.at 25 °C/H=1000A/m 使用温度範囲:−30 to ＋85℃ / 使用湿度範囲:0 to 90%RH (最大湿球温度:38℃/結露しないこと) 内径コード A:1.27 mm B :1.70 mm C:1.78 mm 高さ (mm) D:2.00 mm E :2.23 mm F :2.29 mm インダクタンスコード A: 300μH min. C: 400μH min. B : 350μH min. D: 450μH min. 外径 (mm) 形状記号 T：トロイダル 適用温度範囲コード N : 0∼70°C W:−40∼＋85°C 材質名 DNW45 T 3.05×1.27 A - A W ■ 表中の赤文字は、同形状のDN45材を用いて同等インダクタンスを得る場合に必要となる巻線数です(比較参考数値)。 インダクタンスコード /インダクタンス*1 min. 品名 A:300μH B:350μH C:400μH D:450μH DNW45T3.05×1.27A-AW 30Ts - - - DNW45T3.05×1.27A-AN 26Ts(32Ts) - - - DNW45T3.05×1.27A-BN - 30Ts - - DNW45T3.05×2.54A-AW 16Ts - - - DNW45T3.05×2.54A-BW - 18Ts - - DNW45T3.05×2.54A-CW - - 20Ts - DNW45T3.05×2.54A-DW - - - 22Ts DNW45T3.05×2.54A-AN 16Ts(18Ts) - - - DNW45T3.05×2.54A-BN - 18Ts(20Ts) - - DNW45T3.05×2.54A-DN - - - 20Ts(24Ts) DNW45T3.4×1.5B-AW 26Ts - - - DNW45T3.4×1.5B-BW - 28Ts - - DNW45T3.4×1.5B-CW - - 32Ts - DNW45T3.4×1.5B-AN 24Ts(28Ts) - - - DNW45T3.4×1.5B-BN - 26Ts(32Ts) - - DNW45T3.4×1.5B-CN - - 30Ts(36Ts) - DNW45T3.4×1.5B-DN - - - 32Ts 1.100kHz, 100mVrms, 8mAdc * 2.100kHz, 100mVrms,10Ts, 0Adc, 25°C * 適用温度範囲 (℃) AL-value*2 (nH/N2) −40∼＋85 0∼70 930±25% −40∼＋85 1870±25% 0∼70 −40∼＋85 870±25% 0∼70 内径コード A:1.27 mm B :1.70 mm C:1.78 mm 高さ (mm) D:2.00 mm E :2.23 mm F :2.29 mm インダクタンスコード A: 300μH min. C: 400μH min. B : 350μH min. D: 450μH min. 外径 (mm) 形状記号 T：トロイダル 適用温度範囲コード N : 0∼70°C W:−40∼＋85°C 材質名 DNW45 T 3.94×1.27 C - A W ■ 表中の赤文字は、同形状のDN45材を用いて同等インダクタンスを得る場合に必要となる巻線数です(比較参考数値)。 インダクタンスコード /インダクタンス*1 min. 品名 A:300μH B:350μH C:400μH D:450μH DNW45T3.4×2.5B-AW 18Ts - - - DNW45T3.4×2.5B-BW - 20Ts - - DNW45T3.4×2.5B-CW - - 22Ts - DNW45T3.4×2.5B-DW - - - 24Ts DNW45T3.4×2.5B-AN 18Ts(22Ts) - - - DNW45T3.4×2.5B-BN - 20Ts(24Ts) - - DNW45T3.4×2.5B-DN - - - 22Ts(28Ts) DNW45T3.94×1.27C-AW 24Ts - - - DNW45T3.94×1.27C-BW - 28Ts - - DNW45T3.94×1.27C-CW - - 30Ts - DNW45T3.94×1.27C-DW - - - 34Ts DNW45T3.94×1.27C-AN 24Ts(28Ts) - - - DNW45T3.94×1.27C-BN - 26Ts(30Ts) - - DNW45T3.94×1.27C-CN - - 30Ts(34Ts) - DNW45T3.94×1.27C-DN - - - 32Ts(38Ts) DNW45T3.94×1.78C-AW 20Ts - - - DNW45T3.94×1.78C-BW - 22Ts - - DNW45T3.94×1.78C-CW - - 24Ts - DNW45T3.94×1.78C-DW - - - 26Ts DNW45T3.94×1.78C-AN 20Ts(22Ts) - - - DNW45T3.94×1.78C-BN - 22Ts(24Ts) - - DNW45T3.94×1.78C-CN - - 24Ts(26Ts) - DNW45T3.94×1.78C-DN - - - 26Ts(28Ts) 1.100kHz, 100mVrms, 8mAdc * 2.100kHz, 100mVrms,10Ts, 0Adc, 25°C * 適用温度範囲 (℃) AL-value*2 (nH/N2) −40∼＋85 1460±25% 0∼70 −40∼＋85 850±25% 0∼70 −40∼＋85 1190±25% 0∼70 内径コード A:1.27 mm D:2.00 mm B :1.70 mm E :2.23 mm C:1.78 mm F :2.29 mm 高さ (mm) インダクタンスコード A: 300μH min. C: 400μH min. B : 350μH min. D: 450μH min. 外径 (mm) 形状記号 T：トロイダル 適用温度範囲コード N : 0∼70°C W:−40∼＋85°C 材質名 DNW45 T 3.94×1.27 E - A W ■ 表中の赤文字は、同形状のDN45材を用いて同等インダクタンスを得る場合に必要となる巻線数です(比較参考数値)。 インダクタンスコード /インダクタンス*1 min. 品名 A:300μH B:350μH C:400μH D:450μH DNW45T3.94×1.27E-AW 30Ts - - - DNW45T3.94×1.27E-BW - 34Ts - - DNW45T3.94×1.27E-CW - - 40Ts - DNW45T3.94×1.27E-AN 30Ts(32Ts) - - - DNW45T3.94×1.27E-BN - 34Ts(36Ts) - - DNW45T3.94×1.27E-CN - - 36Ts(40Ts) - DNW45T3.94×1.27E-DN - - - 40Ts DNW45T3.94×1.78E-AW 26Ts - - - DNW45T3.94×1.78E-BW - 28Ts - - DNW45T3.94×1.78E-CW - - 30Ts - DNW45T3.94×1.78E-DW - - - 32Ts DNW45T3.94×1.78E-AN 24Ts(28Ts) - - - DNW45T3.94×1.78E-BN - 26Ts(32Ts) - - DNW45T3.94×1.78E-CN - - 28Ts(34Ts) - DNW45T3.94×1.78E-DN - - - 30Ts(38Ts) DNW45T4×1D-AW 32Ts - - - DNW45T4×1D-BW - 36Ts - - DNW45T4×1D-AN 30Ts(34Ts) - - - DNW45T4×1D-BN - 34Ts(40Ts) - - - - 38Ts - DNW45T4×1D-CN 1.100kHz, 100mVrms, 8mAdc * 2.100kHz, 100mVrms,10Ts, 0Adc, 25°C * 適用温度範囲 (℃) AL-value*2 (nH/N2) −40∼＋85 610±25% 0∼70 −40∼＋85 850±25% 0∼70 −40∼＋85 580±25% 0∼70 内径コード A:1.27 mm B :1.70 mm C:1.78 mm 高さ (mm) D:2.00 mm E :2.23 mm F :2.29 mm インダクタンスコード A: 300μH min. C: 400μH min. B : 350μH min. D: 450μH min. 外径 (mm) 形状記号 T：トロイダル 適用温度範囲コード N : 0∼70°C W:−40∼＋85°C 材質名 DNW45 T 4.83×1.27 F - A W ■ 表中の赤文字は、同形状のDN45材を用いて同等インダクタンスを得る場合に必要となる巻線数です(比較参考数値)。 インダクタンスコード /インダクタンス*1 min. 品名 A:300μH B:350μH C:400μH D:450μH DNW45T4×2D-AW 20Ts - - - DNW45T4×2D-BW - 22Ts - - DNW45T4×2D-CW - - 24Ts - DNW45T4×2D-DW - - - 26Ts DNW45T4×2D-AN 20Ts(22Ts) - - - DNW45T4×2D-BN - 22Ts(24Ts) - - DNW45T4×2D-CN - - 24Ts(26Ts) - DNW45T4×2D-DN - - - 26Ts(28Ts) DNW45T4.83×1.27F-AW 26Ts - - - DNW45T4.83×1.27F-BW - 28Ts - - DNW45T4.83×1.27F-CW - - 30Ts - DNW45T4.83×1.27F-DW - - - 32Ts DNW45T4.83×1.27F-AN 24Ts(26Ts) - - - DNW45T4.83×1.27F-BN - 26Ts(30Ts) - - DNW45T4.83×1.27F-CN - - 28Ts(32Ts) - DNW45T4.83×1.27F-DN - - - 30Ts(34Ts) 1.100kHz, 100mVrms, 8mAdc * 2.100kHz, 100mVrms,10Ts, 0Adc, 25°C * 適用温度範囲 (℃) AL-value*2 (nH/N2) −40∼＋85 1160±25% 0∼70 −40∼＋85 800±25% 0∼70 10/100Base-T RJ45 JACK RJ45 Wide-band Transformers Tx+ J1 P1 Tx- J2 P7 Rx+ J3 P2 Common-mode Choke Coils J4 J5 P3 Rx- J6 P8 J7 P6 J8 P4 >>>>>>>>>>>>>>> 100Mbps Full Duplex Network Server Router TA 200Mbps INTERNET 200Mbps 100Mbps 10/100Base-T Switching Hub Modular Jack 100Base-T Repeater Hub 10Mbps 10Base-T Repeater Hub 10Mbps 100Base-T Repeater Hub 100Mbps >>>>>>>>>>>>>>>> 10Base-T Repeater Hub TFL-D04 2011.06.01