MUR320 ... MUR360 MURS320 ... MURS360 Superfast Efficient Surface Mount Rectifier Diodes Superschnelle Hocheffizienz-Gleichrichterdioden für die Oberflächenmontage Version 2013-12-20 Nominal current – Nennstrom 7.9±0.2 2.2 2.1 ±0.3 ±0.2 Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 0.15 5.8 Type Typ 200...600 V Plastic case Kunststoffgehäuse ~ SMC ~ DO-214AB Weight approx. – Gewicht ca. 0.21g 3 ±0.2 1.2 3A Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped and reeled Standard Lieferform gegurtet auf Rolle ±0.5 7.2 Dimensions - Maße [mm] Maximum ratings Type Typ Grenzwerte Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] Forward voltage Durchlass-Spannung VF [V] 1) IF = 3 A MURS320 200 200 < 0.90 MURS340 400 400 < 1.25 MURS360 600 600 < 1.25 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last TT = 100°C IFAV 3A Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz IFRM 20 A2) Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle TA = 25°C IFSM 100A Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms TA = 25°C i2t Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Tj 1 2 TS 50 A2s -50...+175°C -50...+175°C Tj = 25°C Max. temperature of the terminals TT = 100°C – Max. Temperatur der Anschlüsse TT = 100°C © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 MUR320 ... MUR360 Characteristics Kennwerte Leakage current Sperrstrom Tj = 25°C MURS320 MURS340 , MURS360 IR < 5 µA < 150 µA Tj = 150°C MURS320 MURS340 , MURS360 IR < 10 µA < 250µA Reverse recovery time Sperrverzugszeit MURS320 MURS340 , MURS360 trr [ns] < 25 ns < 50 ns Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft RthA < 50 K/W 1) Thermal resistance junction to terminal Wärmewiderstand Sperrschicht − Anschluss RthT < 11 K/W CJ typ. 75pF Typical junction capacitance Typische Sperrschichtkapazität VR = 4V 120 f = 1MHz 102 [%] [A] 100 MURS320 10 80 1 60 MURS340 , MURS360 40 10-1 20 IF IFAV 0 0 TA 50 100 150 10-2 0.6 [°C] Rated forward current versus ambient temperature Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp. VF 1.0 1.2 1.4 1.6 [V] 2.0 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) 10 Tj = 25°C f = 1.0 MHz [pF] [mA] Tj = 125°C 1 10-1 Cj Ir VR 10-2 [V] Junction capacitance vs. reverse voltage (typical) Sperrschichtkapazität in Abh. v.d. Sperrspg. (typ.) 1 2 Tj = 25°C 0 VRRM 40 60 80 100 [%] Typ. leakage current vs. reverse voltage Typ. Sperrstrom in Abh. v. d. Sperrspannung Mounted on P.C. board with 50 mm2 copper pads at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 50 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG