Application Applikation

Application
Applikation
Bipolar Transistors
Bipolartransistoren
Nomenclature:
Benennung:
B – Silicon Transistor
C – LF Low Power Transistor
nnn – Serial Number
X or -nn – hFE Group
B – Siliziumtransistor
C – NF Kleinleistungstransistor
nnn – Serien-Nummer
X oder -nn – hFE Gruppe
Available from Diotec:
Von Diotec erhältlich:
Designation
Bezeichnung
BC807 -16 / -25 / -40
BC808 -16 / -25 / -40
BC817 -16 / -25 / -40
BC818 -16 / -25 / -40
BC846 A / B
BC847 A / B / C
BC848 A / B / C
BC849 A / B / C
BC850 A / B / C
BC856 A / B
BC857 A / B / C
BC858 A / B / C
BC859 A / B / C
BC860 A / B / C
BC327 -16 / -25 / -40
BC328 -16 / -25 / -40
BC337 -16 / -25 / -40
BC338 -16 / -25 / -40
BC546 A / B
BC547 A / B / C
BC548 A / B / C
BC549 B / C
BC556 A / B
BC557 A / B / C
BC558 A / B / C
BC559 B / C
www.diotec.com
Parameter
Case
Type
IC [mA]
VCEO [V]
Gehäuse
Typ
-800
-45
SOT-23
PNP
-800
-25
SOT-23
PNP
800
45
SOT-23
NPN
800
25
SOT-23
NPN
100
65
SOT-23
NPN
100
45
SOT-23
NPN
100
30
SOT-23
NPN
100
30
SOT-23
NPN
100
45
SOT-23
NPN
-100
-65
SOT-23
PNP
-100
-45
SOT-23
PNP
-100
-30
SOT-23
PNP
-100
-30
SOT-23
PNP
-100
-45
SOT-23
PNP
-800
-45
TO-92
PNP
-800
-25
TO-92
PNP
800
45
TO-92
NPN
800
25
TO-92
NPN
100
65
TO-92
NPN
100
45
TO-92
NPN
100
30
TO-92
NPN
100
30
TO-92
NPN
-100
65
TO-92
PNP
-100
45
TO-92
PNP
-100
30
TO-92
PNP
-100
30
TO-92
PNP
1/4
complementary
komplementär
BC817 -16 / -25 / -40
BC818 -16 / -25 / -40
BC807 -16 / -25 / -40
BC808 -16 / -25 / -40
BC856 A / B
BC857 A / B / C
BC858 A / B / C
BC859 A / B / C
BC860 A / B / C
BC846 A / B
BC847 A / B / C
BC848 A / B / C
BC849 A / B / C
BC850 A / B / C
BC337 -16 / -25 / -40
BC338 -16 / -25 / -40
BC327 -16 / -25 / -40
BC328 -16 / -25 / -40
BC556 A / B
BC557 A / B / C
BC558 A / B / C
BC559 B / C
BC546 A / B
BC547 A / B / C
BC548 A / B / C
BC549 B / C
03/2002
Application
Applikation
Basic Circuits
a) Common Emitter
b) Common Base
c) Common Collector
Grundschaltungen
a) Emitterschaltung
b) Basisschaltung
c) Kollektorschaltung
i2
i1
i2
i2
i1
i1
u2
u1
u2
u1
a)
b)
c)
Eigenschaften
Characteristics
input
impedance
output
impedance
current
gain h21
h21
frequency
limit
u2
u1
a)
b)
c)
medium small high
medium high
small
high
<1
high
low
high
low
Eingangsimpedanz
Ausgangsimpedanz
Stromverstärkung h21
h21
Grenzfrequenz
a)
mittel
b)
c)
klein groß
mittel
groß klein
groß
<1
groß
niedrig hoch niedrig
LF Four Pole Equivalent Circuit
NF Vierpol-Ersatzschaltbild
Low frequency transistors can be described by
an active four pole network. Following
equations are valid for small signal (AC)
parameters:
Niederfrequenz-Tranistoren können durch ein
aktives Vierpol-Netzwerk beschrieben werden.
Die folgenden Gleichungen gelten für
Wechselstrom- (=Kleinsignal-) Größen:
u1 = h11 × i1 + h12 × u2
i2 = h 21 × i1 + h22 × u2
Parameter:
Parameter:
Input impedance, output
shorted (u2=0)
h11 =
u1
i1
Eingangsimpedanz, Ausgang
kurzgeschlossen (u2=0)
Reverse voltage transfer ratio
open input (i1=0)
h12 =
u1
u2
Spannungsrückwirkung bei
offenem Eingang (i1=0)
Small signal current gain,
output shorted (u2=0)
h 21 =
i2
i1
Kleinsignalstromverstärkung,
Ausgang kurzgeschl. (u2=0)
Output admittance,
open input (i1=0)
h 22 =
i2
u2
Ausgangsleitwert bei
offenem Eingang (i1=0)
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03/2002
Application
Applikation
Equivalent Circuit:
Ersatzschaltbild:
i1
RG
i2
h11
[email protected] i1
h22
u1
u2
[email protected] u2
Calculation of a real transistor stage
Input impedance
Output impedance
Berechnung der realen Transistorstufe
ri =
u1 h11 + R L × Dh
=
i1
1 + h 22 × R L
Eingangsimpedanz
ro =
h11 + R G
u2
=
i2
Dh + h 22 × R G
Ausgangsimpedanz
gc =
Current gain
gv =
Voltage gain
RL
i2
h 21
=
i1 1 + h 22 × R L
Stromverstärkung
- h 21 × R L
u2
=
u1 h11 + R L × Dh
Spannungsverstärkung
2
Power gain
gp =
p2
h 21 × R L
=
p1 (1 + h 22 × R L ) × (h11 + R L × Dh)
Dh = h11 × h 22 - h12 × h 21
Definition ∆h
Optimum power gain,
input and output matched
with RGopt and RLopt
gp _ opt
R Gopt =
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æ
h 21
=ç
ç Dh + h × h
11
22
è
h11 × Dh
h 22
R Lopt =
3/4
Leistungsverstärkung
Definition ∆h
ö
÷
÷
ø
2
h11
h 22 × Dh
Optimale Leistungsverstärkung, Eingang
und Ausgang angepasst
mit RGopt and RLopt
03/2002
Application
Applikation
Datasheet Parameters
Datenblattparameter
In the datasheet the parameters are specified
for the common emitter configuration at a given
operating point (bias). The conversion for other
configurations is shown below.
Im Datenblatt werden die Parameter für die
Emitterschaltung
in
einem
bestimmten
Arbeitspunkt angegeben. Die Umrechnung für
andere Schaltungen ist unten angegeben.
Common Emitter
Base
Emitter-
Basis-
hie
1 + h fe
hic = hie
Eingangsimpedanz
hie × h oe
- hre
1 + h fe
hrc = 1 - hre
Spannungsrückwirkung
h fe
1 + h fe
- h fc = 1 + h fe
Kleinsignalstromverstärkung
h oe
1 + h fe
h oc = hoe
Ausgangsleitwert
Input
impedance
h11
hie
Reverse voltage
transfer ratio
h12
hre
Small signal
current gain
h21
hfe
h fb = -
Output
admittance
h22
hoe
h ob =
hib =
hrb =
hFE
DC current gain in common
emitter configuration
Meaning of Subscripts:
voltage between X and Y
current from X to Y
VXYZ
IXYZ
X, Y = B, C, E
Z=O
Z=S
Z = sat
at third connector -open
-short
at specified saturation conditions
Collector
Kollektor- Schaltung
Kollektor-Basis-Gleichstromverhältnis
in Emitterschaltung (Großsignalwert)
Bedeutung der Indizes:
Spannung zwischen X und Y
Strom von X nach Y
bei drittem Anschluss -offen
-kurzgeschlossen
bei gegebenen Bedingungen im
Übersteuerungsbereich
Gain bandwith product
Product of hfe and frequency where
hfe has been measured
fT
Transitfrequenz
Produkt aus hfe und der Frequenz,
bei der hfe bestimmt wurde
Collector-Base capacitance
(between C and B, E open)
CCBO
Kollektor-Basis Kapazität
(zwischen C und B, E offen)
Noise figure
Given for a specified operating
point, specified source resistance,
specified frequency and frequency
range, where:
p2
F
= 10 × lg
dB
gp × p1
Rauschzahl
Angegeben für einen bestimmten
Arbeitspunkt, einen bestimmten
Generatorwiderstand, eine bestimmte Frequenz sowie einen
Frequenzbereich. Mit:
Total noise power at the output termination
p2
Rauschleistung am Lastwiderstand
Noise power at the signal source
p1
Eingangsrauschleistung des
Signalgenerators
Equivalent Noise voltage
uF
Äquivalente Rauschspannung
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03/2002