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テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FF300R12KE4
62mmC-SerienModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undoptimierterEmitterControlledDiode
62mmC-seriesmodulewithtrench/fieldstopIGBT4andoptimizedEmitterControlledDiode
暫定データ
PreliminaryData
IGBT- インバータ/IGBT,Inverter
最大定格/MaximumRatedValues
コレクタ・エミッタ間電圧
Collector-emittervoltage
Tvj = 25°C
VCES
1200
V
連続DCコレクタ電流
ContinuousDCcollectorcurrent
TC = 100°C, Tvj max = 175°C
TC = 25°C, Tvj max = 175°C
IC nom
IC
300
460
繰り返しピークコレクタ電流
Repetitivepeakcollectorcurrent
tP = 1 ms
ICRM
600
A
トータル損失
Totalpowerdissipation
TC = 25°C, Tvj max = 175°C
Ptot
1600
W
ゲート・エミッタ間ピーク電圧
Gate-emitterpeakvoltage
VGES
+/-20
V
電気的特性/CharacteristicValues
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
Collector-emittersaturationvoltage
min.
IC = 300 A, VGE = 15 V
IC = 300 A, VGE = 15 V
IC = 300 A, VGE = 15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ゲート・エミッタ間しきい値電圧
Gatethresholdvoltage
IC = 11,5 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
ゲート電荷量
Gatecharge
VCE sat
A
A
typ.
max.
1,75
2,00
2,05
2,15
V
V
V
VGEth
5,2
5,8
6,4
V
VGE = -15 V ... +15 V
QG
2,50
µC
内蔵ゲート抵抗
Internalgateresistor
Tvj = 25°C
RGint
2,5
Ω
入力容量
Inputcapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cies
19,0
nF
帰還容量
Reversetransfercapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cres
0,70
nF
コレクタ・エミッタ間遮断電流
Collector-emittercut-offcurrent
VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C
ICES
5,0
mA
ゲート・エミッタ間漏れ電流
Gate-emitterleakagecurrent
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C
IGES
400
nA
td on
0,20
0,25
0,27
µs
µs
µs
tr
0,045
0,05
0,055
µs
µs
µs
td off
0,50
0,60
0,62
µs
µs
µs
tf
0,10
0,16
0,18
µs
µs
µs
ターンオン遅れ時間(誘導負荷)
Turn-ondelaytime,inductiveload
IC = 300 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGon = 1,8 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ターンオン上昇時間(誘導負荷)
Risetime,inductiveload
IC = 300 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGon = 1,8 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ターンオフ遅れ時間(誘導負荷)
Turn-offdelaytime,inductiveload
IC = 300 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGoff = 1,8 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ターンオフ下降時間(誘導負荷)
Falltime,inductiveload
IC = 300 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGoff = 1,8 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ターンオンスイッチング損失
Turn-onenergylossperpulse
IC = 300 A, VCE = 600 V, LS = 30 nH
Tvj = 25°C
VGE = ±15 V, di/dt = 6000 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C
RGon = 1,8 Ω
Tvj = 150°C
Eon
16,5
25,0
30,0
mJ
mJ
mJ
ターンオフスイッチング損失
Turn-offenergylossperpulse
IC = 300 A, VCE = 600 V, LS = 30 nH
Tvj = 25°C
VGE = ±15 V, du/dt = 4000 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C
RGoff = 1,8 Ω
Tvj = 150°C
Eoff
23,5
35,0
39,0
mJ
mJ
mJ
短絡電流
SCdata
VGE ≤ 15 V, VCC = 900 V
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt
ISC
ジャンクション・ケース間熱抵抗
Thermalresistance,junctiontocase
IGBT部(1素子当り)/perIGBT
RthJC
ケース・ヒートシンク間熱抵抗
Thermalresistance,casetoheatsink
IGBT部(1素子当り)/perIGBT
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
0,032
動作温度
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
-40
preparedby:MK
dateofpublication:2013-11-04
approvedby:WR
revision:2.1
1
tP ≤ 10 µs, Tvj = 150°C
1200
A
0,093 K/W
K/W
150
°C
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FF300R12KE4
暫定データ
PreliminaryData
Diode、インバータ/Diode,Inverter
最大定格/MaximumRatedValues
ピーク繰返し逆電圧
Repetitivepeakreversevoltage
Tvj = 25°C
連続DC電流
ContinuousDCforwardcurrent
ピーク繰返し順電流
Repetitivepeakforwardcurrent
tP = 1 ms
電流二乗時間積
I²t-value
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C
VRRM 1200
V
IF
300
A
IFRM
600
A
I²t
19000
18000
電気的特性/CharacteristicValues
min.
typ.
max.
1,65
1,65
1,65
2,15
A²s
A²s
順電圧
Forwardvoltage
IF = 300 A, VGE = 0 V
IF = 300 A, VGE = 0 V
IF = 300 A, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
VF
ピーク逆回復電流
Peakreverserecoverycurrent
IF = 300 A, - diF/dt = 6000 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C
VR = 600 V
Tvj = 125°C
VGE = -15 V
Tvj = 150°C
IRM
360
400
410
A
A
A
逆回復電荷量
Recoveredcharge
IF = 300 A, - diF/dt = 6000 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C
VR = 600 V
Tvj = 125°C
VGE = -15 V
Tvj = 150°C
Qr
30,0
56,0
66,0
µC
µC
µC
逆回復損失
Reverserecoveryenergy
IF = 300 A, - diF/dt = 6000 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C
VR = 600 V
Tvj = 125°C
VGE = -15 V
Tvj = 150°C
Erec
14,0
26,0
28,0
mJ
mJ
mJ
ジャンクション・ケース間熱抵抗
Thermalresistance,junctiontocase
/Diode(1素子当り)/perdiode
RthJC
ケース・ヒートシンク間熱抵抗
Thermalresistance,casetoheatsink
/Diode(1素子当り)/perdiode
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
0,052
動作温度
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
-40
preparedby:MK
dateofpublication:2013-11-04
approvedby:WR
revision:2.1
2
V
V
V
0,15 K/W
K/W
150
°C
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FF300R12KE4
暫定データ
PreliminaryData
モジュール/Module
絶縁耐圧
Isolationtestvoltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
ベースプレート材質
Materialofmodulebaseplate
内部絶縁
Internalisolation
基礎絶縁(クラス1,IEC61140)
basicinsulation(class1,IEC61140)
沿面距離
Creepagedistance
VISOL 4,0
kV
Cu
Al2O3
連絡方法-ヒートシンク/terminaltoheatsink
連絡方法-連絡方法/terminaltoterminal
29,0
23,0
mm
空間距離
Clearance
連絡方法-ヒートシンク/terminaltoheatsink
連絡方法-連絡方法/terminaltoterminal
23,0
11,0
mm
相対トラッキング指数
Comperativetrackingindex
CTI
> 400
ケース・ヒートシンク間熱抵抗
Thermalresistance,casetoheatsink
/モジュール/permodule
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
内部インダクタンス
Strayinductancemodule
パワーターミナル・チップ間抵抗
Moduleleadresistance,terminals-chip
TC=25°C,/スイッチ/perswitch
保存温度
Storagetemperature
min.
typ.
max.
RthCH
0,01
LsCE
20
nH
RCC'+EE'
0,70
mΩ
Tstg
-40
125
°C
K/W
取り付けネジ締め付けトルク
Mountingtorqueformodulmounting
取り付けネジM6
適切なアプリケーションノートによるマウンティング
ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
M
3,00
-
6,00
Nm
主端子ネジ締め付けトルク
Terminalconnectiontorque
取り付けネジM6
適切なアプリケーションノートによるマウンティング
ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
M
2,5
-
5,0
Nm
質量
Weight
G
340
g
preparedby:MK
dateofpublication:2013-11-04
approvedby:WR
revision:2.1
3
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FF300R12KE4
暫定データ
PreliminaryData
出力特性IGBT- インバータ(Typical)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VCE)
VGE=15V
出力特性IGBT- インバータ(Typical)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VCE)
Tvj=150°C
600
600
500
500
400
400
IC [A]
IC [A]
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
300
300
200
200
100
100
0
0,0
0,4
0,8
1,2
1,6
VCE [V]
2,0
2,4
2,8
0
3,2
伝達特性IGBT- インバータ(Typical)
transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VGE)
VCE=20V
VGE = 19V
VGE = 17V
VGE = 15V
VGE = 13V
VGE = 11V
VGE = 9V
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5 3,0
VCE [V]
3,5
4,0
4,5
5,0
スイッチング損失IGBT- インバータ(Typical)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
Eon=f(IC),Eoff=f(IC)
VGE=±15V,RGon=1.8Ω,RGoff=1.8Ω,VCE=600V
600
80
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 150°C
70
500
60
400
E [mJ]
IC [A]
50
300
40
30
200
20
100
10
0
5
6
7
8
9
VGE [V]
10
11
0
12
preparedby:MK
dateofpublication:2013-11-04
approvedby:WR
revision:2.1
4
0
100
200
300
IC [A]
400
500
600
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FF300R12KE4
暫定データ
PreliminaryData
スイッチング損失IGBT- インバータ(Typical)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
Eon=f(RG),Eoff=f(RG)
VGE=±15V,IC=300A,VCE=600V
過渡熱インピーダンスIGBT- インバータ
transientthermalimpedanceIGBT,Inverter
ZthJC=f(t)
150
1
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 150°C
135
120
ZthJC : IGBT
105
0,1
ZthJC [K/W]
E [mJ]
90
75
60
0,01
45
30
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,00558 0,03069 0,02976 0,02697
τi[s]:
0,01
0,02
0,05
0,1
15
0
0
2
4
6
8
10
RG [Ω]
12
14
16
0,001
0,001
18
逆バイアス安全動作領域IGBT- インバータ(RBSOA))
reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA)
IC=f(VCE)
VGE=±15V,RGoff=1.8Ω,Tvj=150°C
0,01
0,1
t [s]
1
10
順電圧特性Diode、インバータ(typical)
forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical)
IF=f(VF)
700
600
IC, Modul
IC, Chip
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
600
500
500
400
IF [A]
IC [A]
400
300
300
200
200
100
100
0
0
200
400
600
800
VCE [V]
1000
1200
0
1400
preparedby:MK
dateofpublication:2013-11-04
approvedby:WR
revision:2.1
5
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4
VF [V]
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FF300R12KE4
暫定データ
PreliminaryData
スイッチング損失Diode、インバータ(Typical)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
Erec=f(IF)
RGon=1.8Ω,VCE=600V
スイッチング損失Diode、インバータ(Typical)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
Erec=f(RG)
IF=300A,VCE=600V
40
35
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
35
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
30
30
25
25
E [mJ]
E [mJ]
20
20
15
15
10
10
5
5
0
0
100
200
300
IF [A]
400
500
0
600
過渡熱インピーダンスDiode、インバータ
transientthermalimpedanceDiode,Inverter
ZthJC=f(t)
1
ZthJC : Diode
ZthJC [K/W]
0,1
0,01
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,009 0,0495 0,048 0,0435
τi[s]:
0,01 0,02
0,05 0,1
0,001
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
10
preparedby:MK
dateofpublication:2013-11-04
approvedby:WR
revision:2.1
6
0
2
4
6
8
10
RG [Ω]
12
14
16
18
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FF300R12KE4
暫定データ
PreliminaryData
回路図/circuit_diagram_headline
パッケージ概要/packageoutlines
j
j
n
n
i
i
preparedby:MK
dateofpublication:2013-11-04
approvedby:WR
revision:2.1
7
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FF300R12KE4
暫定データ
PreliminaryData
この日本訳は、あくまで参考訳となりますので、正式はデータシートに記載されている英文の物となります。
この日本訳は、あくまで参考訳となりますので、正式はデータシートに記載されている英文の物となります。
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ー 品質契約
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interestedwemayprovideapplicationnotes.
Duetotechnicalrequirementsourproductmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionpleasecontactthe
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note,thatforanysuchapplicationsweurgentlyrecommend
-toperformjointRiskandQualityAssessments;
-theconclusionofQualityAgreements;
-toestablishjointmeasuresofanongoingproductsurvey,andthatwemaymakedeliverydependedon
therealizationofanysuchmeasures.
Ifandtotheextentnecessary,pleaseforwardequivalentnoticestoyourcustomers.
Changesofthisproductdatasheetarereserved.
preparedby:MK
dateofpublication:2013-11-04
approvedby:WR
revision:2.1
8