English/Japanese

テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FF400R06KE3
62mmC-SerienModulmitTrench/FeldstopIGBT3undEmitterControlled3Diode
62mmC-Serienmodulewithtrench/fieldstopIGBT3andEmitterControlled3diode
IGBT- インバータ/IGBT,Inverter
最大定格/MaximumRatedValues
コレクタ・エミッタ間電圧
Collector-emittervoltage
Tvj = 25°C
VCES
600
V
連続DCコレクタ電流
ContinuousDCcollectorcurrent
TC = 70°C, Tvj max = 175°C
TC = 25°C, Tvj max = 175°C
IC nom
IC
400
500
繰り返しピークコレクタ電流
Repetitivepeakcollectorcurrent
tP = 1 ms
ICRM
800
A
トータル損失
Totalpowerdissipation
TC = 25°C, Tvj max = 175
Ptot
1250
W
ゲート・エミッタ間ピーク電圧
Gate-emitterpeakvoltage
VGES
+/-20
V
電気的特性/CharacteristicValues
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
Collector-emittersaturationvoltage
min.
IC = 400 A, VGE = 15 V
IC = 400 A, VGE = 15 V
IC = 400 A, VGE = 15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ゲート・エミッタ間しきい値電圧
Gatethresholdvoltage
IC = 6,40 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
ゲート電荷量
Gatecharge
VCE sat
A
A
typ.
max.
1,45
1,60
1,70
1,90
V
V
V
VGEth
4,9
5,8
6,5
V
VGE = -15 V ... +15 V
QG
4,30
µC
内蔵ゲート抵抗
Internalgateresistor
Tvj = 25°C
RGint
1,0
Ω
入力容量
Inputcapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cies
26,0
nF
帰還容量
Reversetransfercapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cres
0,76
nF
コレクタ・エミッタ間遮断電流
Collector-emittercut-offcurrent
VCE = 600 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C
ICES
5,0
mA
ゲート・エミッタ間漏れ電流
Gate-emitterleakagecurrent
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C
IGES
400
nA
td on
0,11
0,12
0,13
µs
µs
µs
tr
0,05
0,06
0,06
µs
µs
µs
td off
0,49
0,52
0,53
µs
µs
µs
tf
0,05
0,07
0,07
µs
µs
µs
ターンオン遅れ時間(誘導負荷)
Turn-ondelaytime,inductiveload
IC = 400 A, VCE = 300 V
VGE = ±15 V
RGon = 1,5 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ターンオン上昇時間(誘導負荷)
Risetime,inductiveload
IC = 400 A, VCE = 300 V
VGE = ±15 V
RGon = 1,5 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ターンオフ遅れ時間(誘導負荷)
Turn-offdelaytime,inductiveload
IC = 400 A, VCE = 300 V
VGE = ±15 V
RGoff = 1,5 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ターンオフ下降時間(誘導負荷)
Falltime,inductiveload
IC = 400 A, VCE = 300 V
VGE = ±15 V
RGoff = 1,5 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ターンオンスイッチング損失
Turn-onenergylossperpulse
IC = 400 A, VCE = 300 V, LS = 30 nH
Tvj = 25°C
VGE = ±15 V, di/dt = 7000 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C
RGon = 1,5 Ω
Tvj = 150°C
Eon
3,20
3,40
mJ
mJ
mJ
ターンオフスイッチング損失
Turn-offenergylossperpulse
IC = 400 A, VCE = 300 V, LS = 30 nH
Tvj = 25°C
VGE = ±15 V, du/dt = 4500 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C
RGoff = 1,5 Ω
Tvj = 150°C
Eoff
15,0
15,5
mJ
mJ
mJ
短絡電流
SCdata
VGE ≤ 15 V, VCC = 360 V
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt
ISC
2800
2000
A
A
ジャンクション・ケース間熱抵抗
Thermalresistance,junctiontocase
IGBT部(1素子当り)/perIGBT
RthJC
ケース・ヒートシンク間熱抵抗
Thermalresistance,casetoheatsink
IGBT部(1素子当り)/perIGBT
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
0,03
動作温度
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
-40
preparedby:MK
dateofpublication:2013-10-03
approvedby:WR
revision:3.0
1
tP ≤ 8 µs, Tvj = 25°C
tP ≤ 6 µs, Tvj = 150°C
0,12 K/W
K/W
150
°C
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FF400R06KE3
Diode、インバータ/Diode,Inverter
最大定格/MaximumRatedValues
ピーク繰返し逆電圧
Repetitivepeakreversevoltage
Tvj = 25°C
連続DC電流
ContinuousDCforwardcurrent
ピーク繰返し順電流
Repetitivepeakforwardcurrent
tP = 1 ms
電流二乗時間積
I²t-value
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C
VRRM 600
V
IF
400
A
IFRM
800
A
I²t
11000
10500
電気的特性/CharacteristicValues
min.
typ.
max.
1,55
1,50
1,45
1,95
A²s
A²s
順電圧
Forwardvoltage
IF = 400 A, VGE = 0 V
IF = 400 A, VGE = 0 V
IF = 400 A, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
VF
ピーク逆回復電流
Peakreverserecoverycurrent
IF = 400 A, - diF/dt = 7000 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C
VR = 300 V
Tvj = 125°C
VGE = -15 V
Tvj = 150°C
IRM
270
330
350
A
A
A
逆回復電荷量
Recoveredcharge
IF = 400 A, - diF/dt = 7000 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C
VR = 300 V
Tvj = 125°C
VGE = -15 V
Tvj = 150°C
Qr
15,0
29,0
32,0
µC
µC
µC
逆回復損失
Reverserecoveryenergy
IF = 400 A, - diF/dt = 7000 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C
VR = 300 V
Tvj = 125°C
VGE = -15 V
Tvj = 150°C
Erec
3,60
7,40
8,30
mJ
mJ
mJ
ジャンクション・ケース間熱抵抗
Thermalresistance,junctiontocase
/Diode(1素子当り)/perdiode
RthJC
ケース・ヒートシンク間熱抵抗
Thermalresistance,casetoheatsink
/Diode(1素子当り)/perdiode
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
0,06
動作温度
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
-40
preparedby:MK
dateofpublication:2013-10-03
approvedby:WR
revision:3.0
2
V
V
V
0,22 K/W
K/W
150
°C
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FF400R06KE3
モジュール/Module
絶縁耐圧
Isolationtestvoltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
ベースプレート材質
Materialofmodulebaseplate
内部絶縁
Internalisolation
基礎絶縁(クラス1,IEC61140)
basicinsulation(class1,IEC61140)
沿面距離
Creepagedistance
VISOL 2,5
kV
Cu
Al2O3
連絡方法-ヒートシンク/terminaltoheatsink
連絡方法-連絡方法/terminaltoterminal
29,0
23,0
mm
空間距離
Clearance
連絡方法-ヒートシンク/terminaltoheatsink
連絡方法-連絡方法/terminaltoterminal
23,0
11,0
mm
相対トラッキング指数
Comperativetrackingindex
CTI
> 400
ケース・ヒートシンク間熱抵抗
Thermalresistance,casetoheatsink
/モジュール/permodule
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
内部インダクタンス
Strayinductancemodule
パワーターミナル・チップ間抵抗
Moduleleadresistance,terminals-chip
TC=25°C,/スイッチ/perswitch
保存温度
Storagetemperature
min.
typ.
max.
RthCH
0,01
LsCE
20
nH
RCC'+EE'
0,70
mΩ
Tstg
-40
125
°C
K/W
取り付けネジ締め付けトルク
Mountingtorqueformodulmounting
取り付けネジM6
適切なアプリケーションノートによるマウンティング
ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
M
3,00
-
6,00
Nm
主端子ネジ締め付けトルク
Terminalconnectiontorque
取り付けネジM6
適切なアプリケーションノートによるマウンティング
ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
M
2,5
-
5,0
Nm
質量
Weight
G
340
g
preparedby:MK
dateofpublication:2013-10-03
approvedby:WR
revision:3.0
3
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FF400R06KE3
出力特性IGBT- インバータ(Typical)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VCE)
VGE=15V
出力特性IGBT- インバータ(Typical)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VCE)
Tvj=150°C
800
800
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
640
640
560
560
480
480
400
320
240
240
160
160
80
80
0
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4 2,6
VCE [V]
伝達特性IGBT- インバータ(Typical)
transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VGE)
VCE=20V
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5 3,0
VCE [V]
3,5
4,0
4,5
5,0
40
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
720
560
28
480
24
E [mJ]
32
400
20
320
16
240
12
160
8
80
4
5
6
7
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 150°C
36
640
0
0,0
スイッチング損失IGBT- インバータ(Typical)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
Eon=f(IC),Eoff=f(IC)
VGE=±15V,RGon=1.5Ω,RGoff=1.5Ω,VCE=300V
800
IC [A]
400
320
0
VGE = 19V
VGE = 17V
VGE = 15V
VGE = 13V
VGE = 11V
VGE = 9V
720
IC [A]
IC [A]
720
8
9
VGE [V]
10
11
0
12
preparedby:MK
dateofpublication:2013-10-03
approvedby:WR
revision:3.0
4
0
100
200
300
400
IC [A]
500
600
700
800
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FF400R06KE3
スイッチング損失IGBT- インバータ(Typical)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
Eon=f(RG),Eoff=f(RG)
VGE=±15V,IC=400A,VCE=300V
過渡熱インピーダンスIGBT- インバータ
transientthermalimpedanceIGBT,Inverter
ZthJC=f(t)
60
1
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 150°C
50
ZthJC : IGBT
0,1
ZthJC [K/W]
E [mJ]
40
30
20
0,01
10
0
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,0072 0,0396 0,0384 0,0348
τi[s]:
0,01
0,02
0,05
0,1
0
2
4
6
8
10
RG [Ω]
12
14
16
0,001
0,001
18
逆バイアス安全動作領域IGBT- インバータ(RBSOA))
reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA)
IC=f(VCE)
VGE=±15V,RGoff=1.5Ω,Tvj=150°C
0,01
0,1
t [s]
1
10
順電圧特性Diode、インバータ(typical)
forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical)
IF=f(VF)
900
800
IC, Modul
IC, Chip
800
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
720
640
700
560
600
IF [A]
IC [A]
480
500
400
400
320
300
240
200
160
100
0
80
0
100
200
300
400
VCE [V]
500
600
0
700
preparedby:MK
dateofpublication:2013-10-03
approvedby:WR
revision:3.0
5
0,0
0,2
0,4
0,6
0,8
1,0 1,2
VF [V]
1,4
1,6
1,8
2,0
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FF400R06KE3
スイッチング損失Diode、インバータ(Typical)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
Erec=f(IF)
RGon=1.5Ω,VCE=300V
スイッチング損失Diode、インバータ(Typical)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
Erec=f(RG)
IF=400A,VCE=300V
12
12
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
11
10
10
9
8
8
E [mJ]
E [mJ]
7
6
6
5
4
4
3
2
2
1
0
0
100
200
300
400
IF [A]
500
600
700
0
800
過渡熱インピーダンスDiode、インバータ
transientthermalimpedanceDiode,Inverter
ZthJC=f(t)
1
ZthJC : Diode
ZthJC [K/W]
0,1
0,01
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,0132 0,0726 0,0704 0,0638
τi[s]:
0,01
0,02
0,05
0,1
0,001
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
10
preparedby:MK
dateofpublication:2013-10-03
approvedby:WR
revision:3.0
6
0
2
4
6
RG [Ω]
8
10
12
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FF400R06KE3
回路図/circuit_diagram_headline
パッケージ概要/packageoutlines
j
j
n
n
i
i
preparedby:MK
dateofpublication:2013-10-03
approvedby:WR
revision:3.0
7
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FF400R06KE3
この日本訳は、あくまで参考訳となりますので、正式はデータシートに記載されている英文の物となります。
この日本訳は、あくまで参考訳となりますので、正式はデータシートに記載されている英文の物となります。
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-theconclusionofQualityAgreements;
-toestablishjointmeasuresofanongoingproductsurvey,andthatwemaymakedeliverydependedon
therealizationofanysuchmeasures.
Ifandtotheextentnecessary,pleaseforwardequivalentnoticestoyourcustomers.
Changesofthisproductdatasheetarereserved.
preparedby:MK
dateofpublication:2013-10-03
approvedby:WR
revision:3.0
8
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