BY396

BY396 ... BY399, RGP30K, RGP30M
BY396 ... BY399, RGP30K, RGP30M
IFAV = 3 A
VRRM = 100...1000 V
VF
< 1.2 V IFSM = 100/110 A
Tjmax = 150°C trr
< 500 ns
Fast Recovery Rectifier Diodes
Gleichrichterdioden mit schnellem Sperrverzug
Version 2015-11-19
Typical Application
Rectification of medium frequencies,
Snubber or Bootstrap diodes
Commercial grade 1)
7.5±0.1
Type
62.5
Features
High forward surge current
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals 1)
RoHS
Mechanical Data 1)
Mechanische Daten 1)
Taped in ammo pack
1.700
Weight approx.
Ø 1.2±0.05
Besonderheit
Hohe Stoßstromfestigkeit
Konform zu RoHS, REACH,
Konfliktmineralien 1)
Pb
EE
WE
±0.5
Ø 4.5+0.1
-0.3
Typische Anwendung
Gleichrichtung mittlerer Frequenzen
Beschaltungs- oder Bootstrapdioden
Standardausführung 1)
EL
V
~ DO-201
Gegurtet in Ammo-Pack
1g
Gewicht ca.
Case material
UL 94V-0
Gehäusematerial
Solder & assembly conditions
260°C/10s
Löt- und Einbaubedingungen
MSL N/A
Dimensions - Maße [mm]
Maximum ratings 2)
Type
Typ
Grenzwerte 2)
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V]
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
VRSM [V]
BY396
100
100
BY397
200
200
BY398
400
400
RGP30K
800
800
RGP30M
1000
1000
BY399
=
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
TA = 50°C
IFAV
3 A 3)
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
f > 15 Hz
IFRM
20 A 3)
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
TA = 25°C
IFSM
100/110 A
Rating for fusing, Grenzlastintegral, t < 10 ms
TA = 25°C
i2t
50 A2s
Tj
TS
-50...+150°C
-50...+175°C
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
1
2
3
Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
Tj = 25°C unless otherwise specified – Tj = 25°C wenn nicht anders angegeben
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
BY396 ... BY399, RGP30K, RGP30M
Characteristics
Kennwerte
Forward voltage – Durchlass-Spannung
Tj = 25°C
IF = 3 A
VF
< 1.2 V
Leakage current – Sperrstrom
Tj = 25°C
VR = VRRM
IR
< 5 µA
Typical junction capacitance
Typische Sperrschichtkapzität
VR = 4 V
Cj
15 pF
Forward recovery time
Durchlassverzugszeit
IF = 100 mA
tfr
< 1.0 µs
trr
< 500 ns
Reverse recovery time
Sperrverzugszeit
IF = 0.5 A through/über
IR = 1 A to/auf IR = 0.25 A
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
RthA
< 25 K/W 1)
Thermal resistance junction to leads
Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlussdraht
RthL
< 10 K/W
120
102
[%]
[A]
100
Tj = 125°C
10
80
Tj = 25°C
1
60
40
10-1
20
IF
IFAV
0
10-2
0
TA
50
100
150
[°C]
100a-(3a-1.2v)
0.4
VF
0.8
1.0
1.2
1.4
[V] 1.8
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
Rated forward current versus ambient temperature1)
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.1)
Disclaimer: See data book page 2 or website
Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet
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Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
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