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本ドキュメントはCypress (サイプレス) 製品に関する情報が記載されております。
富士通マイクロエレクトロニクス
DATA SHEET
DS04–27709–6a
ASSP 電源用 (2 次電池用 )
Li イオン電池充電用
DC/DC コンバータ IC
MB3887
■ 概 要
MB3887 は , 出力電圧が 1 セル~ 4 セルまで任意の設定が可能なパルス幅変調方式 (PWM 方式 ) の充電用 DC/DC コン
バータ IC で , ダウンコンバージョンに適しています。
AC アダプタの電圧垂下を検出し , その電力を一定にするため 2 次電池の充電電流を動的に制御 ( 動的制御充電:
Dynamically-controlled charging) 可能にしています。
この動作により , ノートパソコン動作時に AC アダプタに応じて急速充電が可能となります。
幅広い電源電圧範囲 , 低スタンバイ電流に加え , 高効率を実現しておりノートパソコンなどの内蔵充電器に最適です。
■ 特 長
・ AC アダプタの電圧垂下を検出し充電電流を動的に制御可能 ( 動的制御充電 )
・ 外付け抵抗による出力電圧設定
:1 セル~ 4 セル
・ 高効率
:96 % (VIN = 19 V, VO = 16.8 V)
・ 動作電源電圧範囲が広い
:8 V ~ 25 V
・ 出力電圧設定精度
:4.2 V ± 0.74 % (Ta =- 10 °C ~+ 85 °C:1 セルあたり )
・ 充電電流精度
:± 5%
・ 周波数設定容量内蔵し外付け抵抗のみで周波数設定可能
・ 発振周波数範囲
:100 kHz ~ 500 kHz
・ 同相入力電圧範囲の広い電流検知 Amp 内蔵 :0 V ~ VCC
・ IC スタンバイ時に出力電圧設定抵抗をオープンにし無効電流防止可能
・ スタンバイ電流
:0 µA ( 標準 )
・ 負荷依存のないソフトスタート回路内蔵
・ P-ch MOS FET 対応トーテムポール形式出力段内蔵
・ パッケージは SSOP 24 ピンが 1 種類
■ アプリケーション
・ ノートパソコン
Copyright©2001-2008 FUJITSU MICROELECTRONICS LIMITED All rights reserved
2006.5
MB3887
■ 端子配列図
(TOP VIEW)
−INC2 : 1
24 : +INC2
OUTC2 : 2
23 : GND
+INE2 : 3
22 : CS
−INE2 : 4
21 : VCC (O)
FB2 : 5
20 : OUT
VREF : 6
19 : VH
FB1 : 7
18 : VCC
−INE1 : 8
17 : RT
+INE1 : 9
16 : −INE3
OUTC1 : 10
15 : FB3
OUTD : 11
14 : CTL
−INC1 : 12
13 : +INC1
(FPT-24P-M03)
2
MB3887
■ 端子機能説明
端子番号
端子記号
I/O
機 能 説 明
1
−INC2
I
電流検知増幅器 (Current Amp2) 入力端子です。
2
OUTC2
O
電流検知増幅器 (Current Amp2) 出力端子です。
3
+INE2
I
誤差増幅器 (Error Amp2) 非反転入力端子です。
4
−INE2
I
誤差増幅器 (Error Amp2) 反転入力端子です。
5
FB2
O
誤差増幅器 (Error Amp2) 出力端子です。
6
VREF
O
基準電圧出力端子です。
7
FB1
O
誤差増幅器 (Error Amp1) 出力端子です。
8
−INE1
I
誤差増幅器 (Error Amp1) 反転入力端子です。
9
+INE1
I
誤差増幅器 (Error Amp1) 非反転入力端子です。
10
OUTC1
O
電流検出増幅器 (Current Amp1) 出力端子です。
11
OUTD
O
IC スタンバイ時に Hi-Z とし出力設定抵抗に無効電流が流れるのを防
止する端子です。
CTL 端子 “H” レベルで “L” レベルを出力します。
12
−INC1
I
電流検知増幅器 (Current Amp1) 入力端子です。
13
+INC1
I
電流検知増幅器 (Current Amp1) 入力端子です。
14
CTL
I
電源コントロール端子です。
CTL 端子を “L” レベルにすることで IC はスタンバイ状態になります。
15
FB3
O
誤差増幅器 (Error Amp3) 出力端子です。
16
−INE3
I
誤差増幅器 (Error Amp3) 反転入力端子です。
17
RT

三角波発振周波数設定用抵抗接続端子です。
18
VCC

基準電源・制御回路の電源端子です。
19
VH
O
FET 駆動回路用電源端子です。(VH = VCC - 6 V)
20
OUT
O
外付け FET ゲート駆動端子です。
21
VCC (O)

出力回路の電源端子です。
22
CS

ソフトスタート用コンデンサ接続端子です。
23
GND

接地端子です。
24
+INC2
I
電流検知増幅器 (Current Amp2) 入力端子です。
3
MB3887
■ ブロックダイヤグラム
−INE1 8
OUTC1 10
<Current Amp1>
+
+INC1 13
× 20
−
−INC1 12
<Error Amp1>
VREF
−
+
21 VCC (O)
+INE1 9
<PWM Comp.>
<OUT>
+
+
+
Drive
−
FB1 7
−INE2 4
OUTC2 2
<Current Amp2>
+
+INC2 24
× 20
−
−INC2 1
+INE2 3
<Error Amp2>
VREF
VCC
−
−
35 kΩ
0.91 V
(0.77 V)
VREF
UVLO
<SOFT>
VREF
10
µA
VCC
4.2 V
CS 22
<OSC>
bias
17
RT
18 VCC
<REF>
45 pF
4
VCC
(VCC UVLO) 215 kΩ
+
−
+
+
4.2 V
FB3 15
(VCC − 6 V)
2.5 V
1.5 V
<UVLO>
<Error Amp3>
VREF
OUTD 11
19 VH
Bias
Voltage
<VH>
+
FB2 5
−INE3 16
20 OUT
<CTL>
VREF
5.0 V
6
VREF
23
GND
14 CTL
MB3887
■ 絶対最大定格
項 目
記 号
電源電圧
VCC
出力電流
IOUT
ピーク出力電流
IOUT
許容損失
PD
保存温度
TSTG
条 件
定 格 値
単 位
最 小
最 大

28
V

60
mA
Duty ≦ 5 %
(t = 1 / fOSC × Duty)

700
mA
Ta ≦ +25 °C

740*1
mW
- 55
+ 125
°C
VCC, VCC (O) 端子 *2


* 1: 10 cm 角の両面エポキシ基板に実装時
* 2: 詳細は「■ 電源立ち上げ立ち下げ順序について」を参照ください。
<注意事項> 絶対最大定格を超えるストレス ( 電圧 , 電流 , 温度など ) の印加は , 半導体デバイスを破壊する可能性があ
ります。
したがって , 定格を一項目でも超えることのないようご注意ください。
■ 推奨動作条件
項 目
記 号
条 件
VCC, VCC (O) 端子 *
規 格 値
単 位
最 小
標 準
最 大
8

25
V
電源電圧
VCC
基準電圧出力電流
IREF

-1

0
mA
VH 端子出力電流
IVH

0

30
mA
VINE
−INE1 ~ −INE3, +INE1,
+INE2 端子
0

VCC - 1.8
V
VINC
+INC1, +INC2, −INC1,
−INC2 端子
0

VCC
V
入力電圧
OUTD 端子出力電圧
VOUTD

0

17
V
OUTD 端子出力電流
IOUTD

0

2
mA
CTL 端子入力電圧
VCTL

0

25
V
出力電流
IOUT

- 45

+ 45
mA
ピーク出力電流
IOUT
- 600

+ 600
mA
発振周波数
fOSC

100
290
500
kHz
タイミング抵抗
RT

27
47
130
kΩ
ソフトスタート容量
CS


0.022
1.0
µF
VH 端子容量
CVH


0.1
1.0
µF
基準電圧出力容量
CREF


0.1
1.0
µF
Ta

- 30
+ 25
+ 85
°C
動作周囲温度
Duty ≦ 5 %
(t = 1 / fosc × Duty)
*:詳細は「■ 電源立ち上げ立ち下げ順序について」を参照ください。
<注意事項> 推奨動作条件は , 半導体デバイスの正常な動作を保証する条件です。
電気的特性の規格値は , すべてこの条
件の範囲内で保証されます。
常に推奨動作条件下で使用してください。
この条件を超えて使用すると , 信頼
性に悪影響を及ぼすことがあります。
データシートに記載されていない項目 , 使用条件 , 論理の組合せでの使用は , 保証していません。
記載され
ている以外の条件での使用をお考えの場合は , 必ず事前に当社営業担当部門までご相談ください。
5
MB3887
■ 電気的特性
(Ta =+ 25 °C, VCC = 19 V, VCC (O) = 19 V, VREF = 0 mA)
項 目
記号
端子
VREF1
6
VREF2
入力安定度
負荷安定度
3.
ソフト
スタート部
[SOFT]
4.
三角波
発振器部
[OSC]
単位
標 準
最 大
Ta =+ 25 °C
4.967
5.000
5.041
V
6
Ta =- 10 °C ~+ 85 °C
4.95
5.00
5.05
V
Line
6
VCC = 8 V ~ 25 V

3
10
mV
Load
6
VREF = 0 mA ~- 1 mA

1
10
mV
Ios
6
VREF = 1 V
- 50
- 25
- 12
mA
VTLH
18
VCC = VCC (O) ,
VCC =
6.2
6.4
6.6
V
VTHL
18
VCC = VCC (O) ,
VCC =
5.2
5.4
5.6
V
ヒステリシス幅
VH
18
VCC = VCC (O)

1.0 *

V
スレッショルド
電圧
VTLH
6
VREF =
2.6
2.8
3.0
V
VTHL
6
VREF =
2.4
2.6
2.8
V
ヒステリシス幅
VH
6


0.2

V
充電電流
ICS
22

- 14
- 10
-6
µA
発振周波数
fOSC
20
RT = 47 kΩ
260
290
320
kHz
∆f/fdt
20
Ta =- 30 °C ~+ 85 °C

1*

%
VIO
3, 4,
8, 9
FB1 = FB2 = 2 V

1
5
mV
IB
3, 4,
8, 9

- 100
- 30

nA
VCM
3, 4,
8, 9

0

VCC - 1.8
V
AV
5, 7
DC

100 *

dB
BW
5, 7
AV = 0 dB

2*

MHz
VFBH
5, 7

4.7
4.9

V
VFBL
5, 7


20
200
mV
出力ソース電流
ISOURCE
5, 7
FB1 = FB2 = 2 V

-2
-1
mA
出力シンク電流
ISINK
5, 7
FB1 = FB2 = 2 V
150
300

µA
短絡時出力電流
2.
低 VCC 時
誤動作防止
回路部
[UVLO]
規 格 値
最 小
出力電圧
1.
基準電圧部
[REF]
条 件
スレッショルド
電圧
周波数温度変動率
入力オフセット
電圧
入力バイアス電流
同相入力電圧範囲
5-1.
誤差増幅器部
[Error Amp1, 電圧利得
Error Amp2] 周波数帯域幅
出力電圧
*:標準設計値
(続く)
6
MB3887
(Ta =+ 25 °C, VCC = 19 V, VCC (O) = 19 V, VREF = 0 mA)
項 目
5-2.
誤差増幅器部
[Error Amp3]
記号
端子
条 件
規 格 値
最 小
標 準
最 大
単位
スレッショルド
電圧
VTH1
16
FB3 = 2 V, Ta =+ 25 °C
4.183
4.200
4.225
V
VTH2
16
FB3 = 2 V,
Ta =- 10 °C ~+ 85 °C
4.169
4.200
4.231
V
入力電流
IINE3
16
−INE3 = 0 V
- 100
- 30

nA
電圧利得
AV
15
DC

*
周波数帯域幅
BW
15
AV = 0 dB
VFBH
15
VFBL
15
出力ソース電流
ISOURCE
15
出力シンク電流
ISINK
OUTD 端子
出力リーク電流

dB

2
*

MHz

4.7
4.9

V


20
200
mV
FB3 = 2 V

-2
-1
mA
15
FB3 = 2 V
150
300

µA
ILEAK
11
OUTD = 17 V

0
1
µA
OUTD 端子
出力オン抵抗
RON
11
OUTD = 1 mA

35
50
Ω
入力オフセット
電圧
VIO
-3

+3
mV
出力電圧
入力電流
6.
電流検出
増幅器部
[Current Amp1,
Current Amp2]
I+INCH
+INC1 = +INC2 =
13, 24 3 V ~ VCC,
∆VIN =- 100 mV

20
30
µA
I−INCH
+INC1 = +INC2 =
1, 12 3 V ~ VCC,
∆Vin =- 100 mV

0.1
0.2
µA
I+INCL
13, 24 +INC1 = +INC2 = 0 V,
∆Vin =- 100 mV
- 180
- 120

µA
I−INCL
1, 12 +INC1 = +INC2 = 0 V,
∆Vin =- 100 mV
- 195
- 130

µA
VOUTC1
+INC1 = +INC2 =
2, 10 3 V ~ VCC,
∆Vin =- 100 mV
1.9
2.0
2.1
V
VOUTC2
+INC1 = +INC2 =
2, 10 3 V ~ VCC,
∆Vin =- 20 mV
0.34
0.40
0.46
V
VOUTC3
+INC1 = +INC2 =
2, 10 0 V ~ 3 V,
∆Vin =- 100 mV
1.8
2.0
2.2
V
VOUTC4
+INC1 = +INC2 =
2, 10 0 V ~ 3 V,
∆Vin =- 20 mV
0.2
0.4
0.6
V
0

Vcc
V
19
20
21
V/V
電流検知電圧
同相入力電圧範囲
電圧利得
1, 12, +INC1=+INC2=−INC1=
13, 24 −INC2 = 3 V ~ VCC
100
VCM
AV
1, 12,
13, 24

+INC1 = +INC2 =
2, 10 3 V ~ VCC,
∆Vin =- 100 mV
*:標準設計値
(続く)
7
MB3887
(続き)
(Ta =+ 25 °C, VCC = 19 V, VCC (O) = 19 V, VREF = 0 mA)
項 目
周波数帯域幅
6.
電流検出
出力電圧
増幅器部
[Current Amp1,
出力ソース電流
Current Amp2]
出力シンク電流
8
2, 10 AV = 0 dB
規 格 値
単位
最 小
標 準
最 大

2*

MHz
VOUTCH 2, 10

4.7
4.9

V
VOUTCL 2, 10


20
200
mV

-2
-1
mA
ISINK
2, 10 OUTC1 = OUTC2 = 2 V
150
300

µA
VTL
5, 7,
15
デューティサイクル=
0%
1.4
1.5

V
VTH
5, 7,
15
デューティサイクル=
100 %

2.5
2.6
V
出力ソース電流
ISOURCE
20
OUT = 13 V, Duty ≦ 5 %
(t = 1 / fOSC × Duty)

- 400 *

mA
出力シンク電流
ISINK
20
OUT = 19 V, Duty ≦ 5 %
(t = 1 / fOSC × Duty)

400 *

mA
ROH
20
OUT =- 45 mA

6.5
9.8
Ω
ROL
20
OUT = 45 mA

5.0
7.5
Ω
立上り時間
tr1
20
OUT = 3300 pF
(Si4435 × 1 相当 )

50 *

ns
立下り時間
tf1
20
OUT = 3300 pF
(Si4435 × 1 相当 )

50 *

ns
VON
14
IC 動作状態
2

25
V
VOFF
14
IC スタンバイ状態
0

0.8
V
ICTLH
14
CTL = 5 V

100
150
µA
ICTLL
14
CTL = 0 V

0
1
µA
VH
19
VCC = VCC (O) =
8 V ~ 25 V,
VH = 0 ~ 30 mA
スタンバイ電流
ICCS
18
VCC = VCC (O) ,
CTL = 0 V

0
10
µA
電源電流
ICC
18
VCC = VCC (O) ,
CTL = 5 V

8
12
mA
出力オン抵抗
10.
バイアス電圧部 出力電圧
[VH]
*:標準設計値
条 件
2, 10 OUTC1 = OUTC2 = 2 V
9.
CTL 入力電圧
電源
コントロール部
入力電流
[CTL]
11.
全デバイス
BW
端子
ISOURCE
7.
スレッショルド
PWM 比較器部
電圧
[PWM Comp.]
8.
出力部
[OUT]
記号
VCC - 6.5 VCC - 6.0 VCC - 5.5
V
MB3887
■ 標準特性
電源電流-電源電圧特性
基準電圧-電源電圧特性
6
6
Ta = +25 °C
CTL = 5 V
5
基準電圧 VREF (V)
電源電流 ICC (mA)
5
4
3
2
1
0
0
5
10
15
20
4
3
2
0
25
Ta = +25 °C
CTL = 5 V
VREF = 0 mA
1
0
5
電源電圧 VCC (V)
25
5.08
VCC = 19 V
CTL = 5 V
5.06
基準電圧 VREF (V)
基準電圧 VREF (V)
20
基準電圧-動作周囲温度特性
Ta = +25 °C
VCC = 19 V
CTL = 5 V
5
15
電源電圧 VCC (V)
基準電圧-基準電圧出力電流特性
6
10
4
3
2
1
5.04
5.02
5.00
4.98
4.96
4.94
4.92
−40
0
0
5
10
15
20
25
30
−20
0
+20
+40
+60
+80
+100
動作周囲温度 Ta ( °C)
基準電圧出力電流 IREF (mA)
CTL 端子電流 , 基準電圧- CTL 端子電圧特性
10
1000
Ta = +25 °C
VCC = 19 V
800
9
8
7
700
600
6
VREF
5
500
ICTL
400
4
300
3
200
2
100
1
基準電圧 VREF (V)
CTL 端子電流 ICTL (µA)
900
0
0
0
5
10
15
20
25
CTL 端子電圧 VCTL (V)
(続く)
9
MB3887
三角波発振周波数-電源電圧特性
三角波発振周波数-タイミング抵抗特性
Ta = +25 °C
VCC = 19 V
CTL = 5 V
100 k
10 k
10
100
340
三角波発振周波数 fOSC (kHz)
三角波発振周波数 fOSC (Hz)
1M
Ta = +25 °C
CTL = 5 V
RT = 47 kΩ
330
320
310
300
290
280
270
260
0
1000
5
タイミング抵抗 RT (kΩ)
+20
+40
+60
三角波発振周波数 fOSC (kHz)
動作周囲温度 Ta ( °C)
+80
+100
誤差増幅器スレッショルド電圧 VTH (V)
0
20
25
誤差増幅器スレッショルド電圧-動作周囲温度特性
VCC = 19 V
CTL = 5 V
RT = 47 kΩ
−20
15
電源電圧 VCC (V)
三角波発振周波数-動作周囲温度特性
320
315
310
305
300
295
290
285
280
275
270
265
260
−40
10
4.25
VCC = 19 V
CTL = 5 V
2.24
4.23
2.22
4.21
4.20
4.19
4.18
4.17
4.16
4.15
−40
−20
0
+20
+40
+60
+80
+100
動作周囲温度 Ta ( °C)
(続く)
10
MB3887
誤差増幅器利得 , 位相-周波数特性
Ta = +25 °C
40
VCC = 19 V
180
AV
φ
90
0
位相 φ (deg)
20
利得 AV (dB)
4.2 V
0
−20
−90
−40
−180
10 kΩ
1 µF
+
10 k
100 k
1M
8
(4)
2.4 kΩ
IN
−
7
(5)
+
9
(3)
10 kΩ
1k
240 kΩ
10 kΩ
OUT
Error Amp1
(Error Amp2)
10 kΩ
10 M
周波数 f (Hz)
誤差増幅器利得 , 位相-周波数特性
Ta = +25 °C
40
VCC = 19 V
4.2 V
180
20
0
0
−90
−20
240 kΩ
10 kΩ
10 kΩ
90
位相 φ (deg)
利得 AV (dB)
AV
φ
1 µF
+
2.4 kΩ
IN
16
−
22
+
15
+
10 kΩ
10 kΩ
OUT
Error Amp3
4.2 V
−180
−40
1k
10 k
100 k
1M
10 M
周波数 f (Hz)
電流検出増幅器利得 , 位相-周波数特性
Ta = +25 °C
20
90
φ
0
0
−20
−90
−40
−180
1k
10 k
VCC = 19 V
180
AV
100 k
1M
位相 φ (deg)
利得 AV (dB)
40
13 +
(24) ×20
10
(2)
12 −
(1)
Current Amp1
(Current Amp2)
12.6 V
OUT
12.55 V
10 M
周波数 f (Hz)
(続く)
11
MB3887
(続き)
許容損失-動作周囲温度特性
許容損失 PD (mW)
800
740
700
600
500
400
300
200
100
0
−40
−20
0
+20
+40
+60
動作周囲温度 Ta ( °C)
12
+80
+100
MB3887
■ 機能説明
1. DC/DC コンバータ部
(1) 基準電圧部 (REF)
基準電圧回路は , VCC 端子 (18 ピン ) より供給される電圧により温度補償された安定な電圧 (5.0 V 標準 ) を発生し , IC
内部回路の基準電源として使用します。
また , 基準電圧 VREF 端子 (6 ピン ) から負荷電流を最大 1 mA まで外部に取り出せます。
(2) 三角波発振器部 (OSC)
周波数設定用コンデンサを内蔵しており , RT 端子 (17 ピン ) に周波数設定抵抗を接続することにより三角波発振波形を
発生します。
三角波は , IC 内部の PWM コンパレータに入力されます。
(3) 誤差増幅器部 (Error Amp1)
電流検出増幅器 (Current Amp1) の出力信号を検出し , +INE1 端子 (9 ピン ) と比較し PWM 制御信号を出力する増幅器
で , 充電電流の制御を行います。
また , FB1 端子 (7 ピン ) から −INE1 端子 (8 ピン ) への帰還抵抗およびコンデンサの接続により , 任意のループゲインが
設定できるため , システムに対して安定した位相補償ができます。
(4) 誤差増幅器部 (Error Amp2)
誤差増幅器 (Error Amp2) は , AC アダプタの電圧垂下を検出して PWM 制御信号を出力する増幅器です。
また , FB2 端子 (5 ピン ) から −INE2 端子 (4 ピン ) への帰還抵抗およびコンデンサの接続により , 任意のループゲインが
設定できるため , システムに対して安定した位相補償ができます。
(5) 誤差増幅器部 (Error Amp3)
誤差増幅器 (Error Amp3) は , DC/DC コンバータの出力電圧を検出し , PWM 制御信号を出力する増幅器です。
誤差増幅器
反転入力端子に外付け出力電圧設定抵抗を接続することにより , 1 セル~ 4 セルまで任意の出力電圧を設定できます。
また , FB3 端子 (15 ピン ) から −INE3 端子 (16 ピン ) への帰還抵抗およびコンデンサの接続により , 任意のループゲイン
が設定できるため , システムに対して安定した位相補償ができます。
CS 端子 (22 ピン ) にソフトスタート用コンデンサを接続することにより電源起動時の突入電流を防止できます。
ソフト
スタート検出を誤差増幅器で行うことで , ソフトスタート時間は出力負荷に依存しない一定のソフトスタート時間で動作
します。
(6) 電流検出増幅器部 (Current Amp1)
電流検出増幅器 (Current Amp1) は , 充電電流により出力センス抵抗 (RS) の両端に発生する電圧降下を +INC1 端子 (13 ピ
ン ) , −INC1 端子 (12 ピン ) で検出し , 20 倍に増幅した信号を次段の誤差増幅器 (Error Amp1) へ出力します。
(7) PWM 比較器部 (PWM Comp.)
誤差増幅器 (Error Amp1 ~ Error Amp3) の出力電圧に応じて出力デューティをコントロールする電圧-パルス幅変換器
です。
三角波発振器で発生した三角波電圧と誤差増幅器出力電圧を比較し , 三角波電圧が誤差増幅器出力電圧より低い期間に
外付け出力トランジスタをオンさせます。
(8) 出力部 (OUT)
出力回路は , トーテムポール形式で構成しており , 外付け P-ch MOS FET を駆動することができます。
出力 “L” レベルは , バイアス電圧部 (VH) で発生した電圧を使用することで , 出力振幅を 6 V ( 標準 ) にします。
これにより , 変換効率の UP と入力電圧範囲が広くても使用する外付けトランジスタの 耐圧を低くおさえることにつな
がります。
(9) 電源コントロール部 (CTL)
CTL 端子 (14 ピン ) を “L” レベルとすることによりスタンバイ状態となります。
( スタンバイ時の電源電流 10 µA 最大 )
13
MB3887
CTL 機能表
CTL
Power
OUTD
L
OFF ( スタンバイ )
Hi-Z
H
ON ( 動作状態 )
L
(10) バイアス電圧部 (VH)
出力回路の最低電位として VCC - 6 V ( 標準 ) を出力します。
スタンバイ時は VCC と同電位を出力します。
2. 保護機能
低 VCC 時誤動作防止回路部 (UVLO)
電源 (VCC) 投入時の過渡状態や電源電圧 , あるいは内部基準電圧 (VREF) の瞬時低下は , コントロール IC の誤動作を誘
起し , システムの破壊もしくは劣化を生じます。このような誤動作を防止するために , 低 VCC 時誤動作防止回路は電源電
圧 , あるいは内部基準電圧の電圧低下を検出し , OUT 端子 (20 ピン ) を “H” レベルに固定します。
電源電圧 , および内部基
準電圧が低 VCC 時誤動作防止回路のスレッショルド電圧以上になればシステムは復帰します。
保護回路 (UVLO) 動作時機能表
UVLO 動作時 (VCC または VREF 電圧が UVLO スレッショルド電圧以下 )
OUTD
OUT
CS
Hi-Z
H
L
3. ソフトスタート機能
ソフトスタート部 (SOFT)
CS 端子 (22 ピン ) にコンデンサを接続することにより , 電源起動時の突入電流を防止できます。
ソフトスタート検出を
誤差増幅器で行うことで , DC/DC コンバータの出力負荷に依存しない一定のソフトスタート時間で動作します。
14
MB3887
■ 充電電圧設定方法
−INE3端子 (16ピン) に外付け出力電圧設定抵抗 (R3, R4) を接続することで, 充電電圧 (DC/DC出力電圧) が設定できます。
また , OUTD 端子 (11 ピン ) に接続されている内蔵 FET のオン抵抗 (35 Ω, 1 mA 時 ) を無視できる抵抗値の選択をして
ください。スタンバイ時には充電電圧が印加されるので , OUTD 端子 (11 ピン ) に印加される電圧は 17 V を超えないよう
に出力電圧を設定してください。
電池の充電電圧 : VO
VO (V) = (R3 + R4) / R4 × 4.2 (V)
B VO
R3
<Error Amp3>
−INE3
16
R4
11
OUTD
−
+
+
4.2 V
22
CS
■ 充電電流設定方法
+INE1 端子 (9 ピン ) の電圧値により , 充電電流値 ( 出力制限電流値 ) が設定できます。
設定された電流値を上回る電流が流れようとした場合 , その設定電流値で充電電圧が垂下します。
電池の充電電流設定用電圧 : +INE1
+INE1 (V) = 20 × I1 (A) × RS (Ω)
■ 三角波発振周波数設定方法
三角波発振周波数は RT 端子 (17 ピン ) にタイミング抵抗 (RT) を接続することにより設定できます。
三角波発振周波数 : fOSC
fOSC (kHz) ≒ 13630 / RT (kΩ)
15
MB3887
■ ソフトスタート時間設定方法
IC 起動時の突入電流防止のため , CS 端子 (22 ピン ) にソフトスタート容量 (CS) を接続することで , ソフトスタートを
行えます。
CTL 端子 (14 ピン ) が “H” レベルになり IC が起動 (VCC ≧ UVLO のスレッショルド電圧 ) すると Q2 がオフとなり CS 端
子に外付けされたソフトスタート容量 (CS) に 10 µA で充電します。
Error Amp 出力 (FB3 端子 (15 ピン ) ) は 2 つの非反転入力端子 (4.2 V, CS 端子電圧 ) のうちいずれか低い電位と反転入力
端子電圧 (−INE3 端子 (16 ピン ) 電圧 ) との比較により決定されますので , ソフトスタート期間中 (CS 端子電圧< 4.2 V) の
FB3 は −INE3 端子電圧と CS 端子電圧の比較により決定され , DC/DC コンバータ出力電圧は CS 端子 (22 ピン ) に外付け
されたソフトスタート容量への充電による CS 端子電圧の上昇に比例します。なお , ソフトスタート時間は次式で求められ
ます。
ソフトスタート時間 : ts ( 出力電圧 100 %までの時間 )
tS (s) ≒ 0.42 × CS (µF)
= 4.9 V
CS 端子電圧
= 4.2 V
Error Amp 部 −INE3 電圧との比較電圧
=0V
ソフトスタート時間 : ts
VREF
10 µA
FB3
10 µA
15
−
+
+
−INE3 16
CS
22
Error
Amp3
4.2 V
CS
Q2
ソフトスタート回路
16
UVLO
MB3887
■ AC アダプタ電圧検出について
+INE2端子 (3ピン) に外付け抵抗を接続することにより, ACアダプタ電圧 (VCC) の分圧点Aが−INE2端子電圧より低下す
ると動的制御充電 (Dynamically-controlled charging) モードとなり AC アダプタの電力を一定に保つように充電電流を減少
させます。
AC アダプタ検出電圧設定 : Vth
Vth (V) = (R1 + R2) / R2 × −INE2
−INE2
<Error Amp2>
4
−
3
+
A
VCC
R1
+INE2
R2
■ 動作タイミングチャートについて
Error Amp2 FB2
Error Amp1 FB1
2.5 V
Error Amp2 FB3
1.5 V
OUT
定電圧制御
定電流制御
AC アダプタ
動的制御充電
17
MB3887
■ Current Amp を使用しない場合の処理方法
Current Amp を使用しない場合は , +INC1 端子 (13 ピン ) , +INC2 端子 (24 ピン ) , −INC1 端子 (12 ピン ) , −INC2 端子 (1 ピ
ン ) を VREF に接続 , OUTC1 端子 (10 ピン ) , OUTC2 端子 (2 ピン ) を開放してください。
“ 開放 ”
12
−INC1
+INC1 13
1
−INC2
+INC2 24
10
OUTC1
2
OUTC2
6
VREF
Current Amp を使用しない場合
■ Error Amp を使用しない場合の処理方法
Error Amp を使用しない場合は , FB1 端子 (7 ピン ) , FB2 端子 (5 ピン ) を開放 , −INE1 端子 (8 ピン ) , −INE2 端子 (4 ピ
ン ) を GND に短絡 , +INE1 端子 (9 ピン ) , +INE2 端子 (3 ピン ) を VREF に接続してください。
“ 開放 ”
9
+INE1
3
+INE2
8
−INE1
4
−INE2
7
FB1
5
FB2
6
VREF
Error Amp を使用しない場合
18
GND
23
MB3887
■ CS 端子を使用しない場合の処理方法
ソフトスタート機能を使用しない場合は , CS 端子 (22 ピン ) を開放してください。
“ 開放 ”
CS 22
ソフトスタート時間を設定しない場合
■ 外付け逆流防止ダイオードの注意について
・ 電池からの逆流防止のため*のある 3 か所のうちいずれか 1 か所に逆流防止ダイオードをいれてください。
・ 逆流防止ダイオードの逆電圧 (VR) , 逆電流 (IR) 特性を考慮した逆流防止ダイオードの選択をしてください。
21
VCC(O)
VIN
∗
A
20
B
OUT
∗
I1
RS
BATT
∗
VH
19
Battery
■ 電源立ち上げ立ち下げ順序について
電源端子の VCC 端子 (18 ピン ) と VCC(O) 端子 (21 ピン ) は必ず同時に立上げ , 立下げを行うようにしてください。
VCC(O) を先に立ち上げた後に VCC が 8 V 以下の期間があると VH 端子 (19 ピン ) からバイアスが発生しないため 17 V
以上の電圧が VCC(O) 端子 (21 ピン ) に印加されるとデバイスの永久破壊につながる可能性があります。
また , 立ち下げ時
も VCC(O) より先に VCC が立ち下がると同様です。
19
20
SW
Q2
R11
30 kΩ
R10
30 kΩ
R16
R15
200 kΩ 120 Ω
R14
1 kΩ
R3
330 kΩ
C6
1500 pF
C4
0.022 µF
4
16
5
15
CS 22
FB3
11
OUTD
−INE3
FB2
<SOFT>
VREF
10
µA
OUTC2 2
<Current Amp2>
+INC2
+
24
× 20
−
1
−INC2
3
+INE2
R17
100 kΩ
R19
100 kΩ
R18
200 kΩ
R5
330 kΩ
R6
68 kΩ
C8
10000 pF
R7
R4 22 kΩ
82 kΩ
−INE2
R8
100 kΩ −INE1
8
OUTC1 10
C10
<Current Amp1>
5600 pF
+INC1
A
+
13
R9
× 20
−INC1
10 kΩ
−
B
12
R12
30 kΩ
+INE1 9
R13
20 kΩ
FB1
7
4.2 V
−
+
+
RT
R2
47 kΩ
45 pF
17
VCC
(VCC − 6 V)
6
VREF
bias
VREF
UVLO
<CTL>
VCC
C9
0.1 µF
23
GND
VREF
5.0 V
<REF>
4.2 V
35 kΩ
0.91 V
(0.77 V)
−
(VCC UVLO) 215 kΩ
+
2.5 V
1.5 V
<UVLO>
Bias
Voltage
<VH>
VCC
<PWM Comp.>
<OUT>
+
+
+
Drive
−
<OSC>
<Error Amp3>
VREF
+
−
<Error Amp2>
VREF
+
−
<Error Amp1>
VREF
OUT
VCC
14 CTL
18
VH
19
20
VCC (O)
21
C5
0.1 µF
C3
100 µF
+
R1
B
0.033 Ω
Battery
I1
A
C7
0.1 µF
( 注意事項 )OUTD 端子に印加され
る電圧が 17 V を超え
ないように出力電圧を
設定してください。
VO
AC Adaptor
Output voltage (Battery
voltage) is adjustable
+
C1
22 µF
C2
100 µF
D1
22 µH
Q1
L1
+
VIN = 13.93 V ~ 25 V
(3 cell 時 )
VIN = 17.65 V ~ 25 V
(4 cell 時 )
IIN
MB3887
■ 応用回路例
MB3887
■ 部品表
COMPONENT
ITEM
SPECIFICATION
VENDOR
PARTS No.
Q1
Q2
P-ch FET
N-ch FET
VDS =- 30 V, ID =± 8 A (Max)
VDS = 60 V, ID = 0.115 A (Max)
VISHAY SILICONIX
VISHAY SILICONIX
Si4435DY
2N7002E
D1
Diode
VF = 0.42 V (Max) , IF = 3 A 時
ROHM
RB053L-30
L1
Inductor
22 µH
3.5 A, 31.6 mΩ
TDK
SLF12565T-220M3R5
C1
C2, C3
C4
C5
C6
C7
C8
C9
C10
OS-CONTM
Electrolytic Condenser
Ceramics Condenser
Ceramics Condenser
Ceramics Condenser
Ceramics Condenser
Ceramics Condenser
Ceramics Condenser
Ceramics Condenser
22 µF
100 µF
0.022 µF
0.1 µF
1500 pF
0.1 µF
10000 pF
0.1 µF
5600 pF
25 V (10 %)
25 V (10 %)
50 V
16 V
10 V
25 V
10 V
16 V
10 V
SANYO
SANYO
TDK
KYOCERA
MURATA
MURATA
MURATA
KYOCERA
MURATA
25SL22M
25CV100AX
C1608JB1H223K
CM21W5R104K16
GRM39B152K10
GRM39F104KZ25
GRM39B103K10
CM21W5R104K16
GRM39B562K10
R1
R2
R3
R4
R5
R6
R7
R8
R9
Resistor
Resistor
Resistor
Resistor
Resistor
Resistor
Resistor
Resistor
Resistor
Resistor
Resistor
Resistor
Resistor
Resistor
Resistor
0.033 Ω
47 kΩ
330 kΩ
82 kΩ
330 kΩ
68 kΩ
22 kΩ
100 kΩ
10 kΩ
30 kΩ
20 kΩ
1 kΩ
120 Ω
200 kΩ
100 kΩ
1.0 %
0.5 %
0.5 %
0.5 %
0.5 %
0.5 %
0.5 %
0.5 %
1.0 %
0.5 %
0.5 %
0.5 %
0.5 %
0.5 %
0.5 %
SEIDEN TECHNO
KOA
KOA
KOA
KOA
KOA
KOA
KOA
KYOCERA
KOA
KOA
KOA
ssm
KOA
KOA
RK73Z1J-0D
RK73G1J-473D
RK73G1J-334D
RK73G1J-823D
RK73G1J-334D
RK73G1J-683D
RK73G1J-223D
RK73G1J-104D
CR21-103-F
RK73G1J-303D
RK73G1J-203D
RK73G1J-102D
RR0816P121D
RK73G1J-204D
RK73G1J-104D
R10 ~ R12
R13
R14
R15
R16, R18
R17, R19
(注意事項)VISHAY SILICONIX:VISHAY Intertechnology, Inc
ROHM:ROHM 株式会社
TDK:TDK 株式会社
SANYO:三洋電機株式会社
KYOCERA:京セラ株式会社
MURATA:株式会社村田製作所
SEIDEN TECHNO:セイデンテクノ株式会社
KOA:KOA 株式会社
ssm:進工業株式会社
OS-CON は三洋電機株式会社の商標です。
21
MB3887
■ 参考データ
変換効率- BATT 充電電流特性 ( 定電圧モード )
変換効率 η (%)
96
94
92
100
Ta =+ 25 °C
VIN = 19 V
BATT 充電電圧= 12.6 V 設定
SW = ON
効率 η (%) = (VBATT × IBATT)
/ (VIN × IIN) × 100
96
90
88
86
94
90
92
88
86
84
84
82
82
80
10 m
Ta =+ 25 °C
VIN = 19 V
BATT 充電電圧= 12.6 V 設定
SW = ON
効率 η (%) = (VBATT × IBATT)
/ (VIN × IIN) × 100
98
η (%)
98
変換効率
100
変換効率- BATT 充電電圧特性 ( 定電流モード )
80
100 m
1
10
0
2
4
BATT 充電電流 IBATT (A)
96
94
92
90
Ta =+ 25 °C
VIN = 19 V
BATT 充電電圧= 16.8 V 設定
SW = ON
効率 η (%) = (VBATT × IBATT)
/ (VIN × IIN) × 100
82
80
10 m
100 m
1
η (%)
98
96
94
変換効率
η (%)
変換効率
100
98
84
90
86
84
82
80
10
0
2
4
98
96
96
94
92
90
Ta =+ 25 °C
VIN = 19 V
BATT 充電電圧= 16.8 V 設定
SW = ON
効率 η (%) = (VBATT × IBATT)
/ (VIN × IIN) × 100
100 m
1
BATT 充電電流 IBATT (A)
10
変換効率 η (%)
変換効率 η (%)
98
80
10 m
6
8
10
12
14
16
18
20
変換効率- BATT 充電電圧特性 ( 定電流モード )
100
82
16
BATT 充電電圧 VBATT (V)
100
84
14
Ta =+ 25 °C
VIN = 19 V
BATT 充電電圧= 16.8 V 設定
SW = ON
効率 η (%) = (VBATT × IBATT)
/ (VIN × IIN) × 100
88
変換効率- BATT 充電電流特性 ( 定電圧モード )
86
12
92
BATT 充電電流 IBATT (A)
88
10
変換効率- BATT 充電電圧特性 ( 定電流モード )
100
86
8
BATT 充電電圧 VBATT (V)
変換効率- BATT 充電電流特性 ( 定電圧モード )
88
6
94
92
90
Ta =+ 25 °C
VIN = 19 V
BATT 充電電圧= 16.8 V 設定
SW = ON
効率 η (%) = (VBATT × IBATT)
/ (VIN × IIN) × 100
88
86
84
82
80
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
BATT 充電電圧 VBATT (V)
(続く)
22
MB3887
BATT 電圧- BATT 充電電流特性 (12.6 V 設定 )
18
12
10
DCC MODE
BATT 電圧
Dead Battery MODE
6
4
2
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
BATT 充電電流
3.5
4
16
14
12
Dead Battery MODE
10
8
DCC MODE
6
4
2
DCC : Dynamically-Controlled
0
Ta =+ 25 °C
VIN = 19 V
BATT:電子負荷
(KIKUSUI 社製:
PLZ-150W)
18
VBATT (V)
VBATT (V)
BATT 電圧
8
20
Ta =+ 25 °C VIN = 19 V
BATT:電子負荷
(KIKUSUI 社製:PLZ-150W)
16
14
BATT 電圧- BATT 充電電流特性 (16.8 V 設定 )
DCC : Dynamically-Controlled
0
4.5
5
0
0.5
1
Ta = +25 °C
VIN = 19 V
BATT = 1.5 A
2.5
3
3.5
0
10
10
5
5
0
0
2
3
4
5
6
7
8
98 mVp-p
VBATT
VD
9
10
(µs)
0
スイッチング波形定電圧モード (16.8 V 設定 )
= +25 °C
VBATT (mV) Ta
VIN = 19 V
100
BATT = 1.5 A
5
IBATT (A)
−100
VD (V)
15
1
4.5
0
VD
0
4
スイッチング波形定電流モード
(12.6 V 設定 10 V 時 )
VBATT (mV) Ta = +25 °C
VIN = 19 V
100
BATT = 3.0 A
98 mVp-p VBATT
−100
VD (V)
15
2
BATT 充電電流
IBATT (A)
スイッチング波形定電圧モード (12.6 V 設定 )
VBATT (mV)
100
1.5
1
2
3
4
VBATT
6
7
8
9
10
(µs)
スイッチング波形定電流モード
(16.8 V 設定 10 V 時 )
Ta = +25 °C
VBATT (mV) VIN
= 19 V
BATT = 3.0 A
100
58 mVp-p
5
96 mVp-p
VBATT
0
0
VD
−100
VD (V)
15
10
10
5
5
0
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
VD
−100
VD (V)
15
9
10
(µs)
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
(µs)
(続く)
23
MB3887
(続き)
ソフトスタート動作波形定電圧モード (12.6 V 設定 )
ディスチャージ動作波形定電圧モード (12.6 V 設定 )
VBATT (V)
20
VBATT (V)
20
Ta = +25 °C, VIN = 19 V
BATT = 12 Ω
10
0
VCS (V)
4
ts = 10.4 ms
VBATT
10
VBATT
VCS
0
VCS (V)
4
2
2
0
0
VCS
VCTL (V)
5
VCTL
0
VCTL (V)
5
Ta = +25 °C
VIN = 19 V
BATT = 12 Ω
VCTL
0
0
2
4
6
8
10 12 14 16 18 20
(ms)
ソフトスタート動作波形定電圧モード (16.8 V 設定 )
VBATT (V)
20
0
2
4
6
8
10 12 14 16 18 20
(ms)
ディスチャージ動作波形定電圧モード (16.8 V 設定 )
VBATT (V)
20
Ta = +25 °C, VIN = 19 V
BATT = 12 Ω
10
0
VCS (V)
4
VBATT
10
VBATT
ts = 10.4 ms
VCS
0
VCS (V)
4
2
2
0
0
VCS
VCTL (V)
5
VCTL
0
Ta = +25 °C
VIN = 19 V
BATT = 12 Ω
VCTL
0
0
24
VCTL (V)
5
2
4
6
8
10 12 14 16 18 20
(ms)
0
2
4
6
8
10 12 14 16 18 20
(ms)
MB3887
■ 使用上の注意
・プリント基板のアースラインは , 共通インピーダンスを考慮し設計してください。
・静電気対策を行ってください。
・半導体を入れる容器は , 静電気対策を施した容器か , 導電性の容器をご使用ください。
・実装後のプリント基板を保管・運搬する場合は , 導電性の袋か , 容器に収納してください。
・作業台 , 工具 , 測定機器は , アースを取ってください。
・作業する人は , 人体とアースの間に 250 kΩ ~ 1 MΩ の抵抗を直列にいれたアースをしてください。
・負電圧を印加しないでください。
・- 0.3 V 以下の負電圧を印加した場合 , LSI に寄生トランジスタが発生し誤動作を起こすことがあります。
■ オーダ型格
型 格
パッケージ
備 考
MB3887PFV- □□□
プラスチック・SSOP, 24 ピン
(FPT-24P-M03)
従来品
MB3887PFV- □□□ E1
プラスチック・SSOP, 24 ピン
(FPT-24P-M03)
鉛フリー品
■ RoHS 指令に対応した品質管理 ( 鉛フリー品の場合 )
富士通マイクロエレクトロニクスの LSI 製品は , RoHS 指令に対応し , 鉛・カドミウム・水銀・六価クロムと , 特定臭素系
難燃剤 PBB と PBDE の基準を遵守しています。この基準に適合している製品は , 型格に “E1” を付加して表します。
■ 製品捺印 ( 鉛フリー品の場合 )
3887
XXXX
XXX
E1
鉛フリー表示
INDEX
25
MB3887
■ 製品ラベル ( 鉛フリー品の場合の例 )
鉛フリー表示
JEITA 規格
MB123456P - 789 - GE1
(3N) 1MB123456P-789-GE1
1000
(3N)2 1561190005 107210
JEDEC 規格
G
Pb
QC PASS
PCS
1,000
MB123456P - 789 - GE1
2006/03/01
ASSEMBLED IN JAPAN
MB123456P - 789 - GE1
1/1
0605 - Z01A
1000
1561190005
鉛フリー型格は末尾に「E1」あり。
26
MB3887
■ MB3887PFV- □□□ E1 推奨実装条件
【弊社推奨実装条件】
項 目
内 容
実装方法
IR ( 赤外線リフロー ) ・手半田付け ( 部分加熱法 )
実装回数
2回
保管期間
開梱前
製造後 2 年以内にご使用ください。
開梱~ 2 回目リフロー迄の
保管期間
8 日以内
開梱後の保管期間を
超えた場合
ベーキング (125 °C , 24 h) を実施の上 ,
8 日以内に処理願います。
5 °C ~ 30 °C, 70%RH 以下 ( 出来るだけ低湿度 )
保管条件
【実装方法の各条件】
(1) IR ( 赤外線リフロー )
260 °C
255 °C
本加熱
170 °C
~
190 °C
(b)
RT
(a)
H ランク:260 °C Max
(a) 温度上昇勾配
(b) 予備加熱
(c) 温度上昇勾配
(d) ピーク温度
(d’) 本加熱
(e) 冷却
(c)
(d)
(e)
(d')
:平均 1 °C/s ~ 4 °C/s
:温度 170 °C ~ 190 °C, 60s ~ 180s
:平均 1 °C/s ~ 4 °C/s
:温度 260 °CMax
255 °Cup 10s 以内
:温度 230 °Cup 40s 以内
or
温度 225 °Cup 60s 以内
or
温度 220 °Cup 80s 以内
:自然空冷または強制空冷
(注意事項)パッケージボディ上面温度を記載
(2) 手半田付け ( 部分加熱法 )
コテ先温度 :Max 400 °C
時間
:5 s 以内 / ピン
27
MB3887
■ パッケージ・外形寸法図
プラスチック・SSOP, 24 ピン
(FPT-24P-M03)
プラスチック・SSOP, 24 ピン
(FPT-24P-M03)
0.65mm
パッケージ幅×
パッケージ長さ
5.6 × 7.75mm
リード形状
ガルウィング
封止方法
プラスチックモールド
取付け高さ
1.45mm MAX
質量
0.12g
コード(参考)
P-SSOP24-5.6×7.75-0.65
注 1)*1 印寸法のレジン残りは片側 +0.15(.006)MAX
注 2)*2 印寸法はレジン残りを含まず。
注 3)端子幅および端子厚さはメッキ厚を含む。
注 4)端子幅はタイバ切断残りを含まず。
0.17±0.03
(.007±.001)
*17.75±0.10(.305±.004)
24
リードピッチ
13
*2 5.60±0.10
7.60±0.20
(.220±.004) (.299±.008)
INDEX
Details of "A" part
+0.20
1.25 –0.10
+.008
.049 –.004
(Mounting height)
0.25(.010)
1
"A"
12
0~8˚
+0.08
0.65(.026)
0.24 –0.07
+.003
.009 –.003
0.13(.005)
M
0.50±0.20
(.020±.008)
0.60±0.15
(.024±.006)
0.10±0.10
(.004±.004)
(Stand off)
0.10(.004)
C
28
2003 FUJITSU LIMITED F24018S-c-4-5
単位:mm (inches)
注意:括弧内の値は参考値です。
MB3887
MEMO
29
MB3887
MEMO
30
MB3887
MEMO
31
富士通マイクロエレクトロニクス株式会社
〒 163-0722 東京都新宿区西新宿 2-7-1 新宿第一生命ビル
http://jp.fujitsu.com/fml/
お問い合わせ先
富士通エレクトロニクス株式会社
〒 163-0731 東京都新宿区西新宿 2-7-1 新宿第一生命ビル
http://jp.fujitsu.com/fei/
電子デバイス製品に関するお問い合わせは , こちらまで ,
0120-198-610
受付時間 : 平日 9 時~ 17 時 ( 土・日・祝日 , 年末年始を除きます )
携帯電話・PHS からもお問い合わせができます。
※電話番号はお間違えのないよう , お確かめのうえおかけください。
本資料の記載内容は , 予告なしに変更することがありますので , ご用命の際は営業部門にご確認ください。
本資料に記載された動作概要や応用回路例は , 半導体デバイスの標準的な動作や使い方を示したもので , 実際に使用する機器での動作を保証するも
のではありません。従いまして , これらを使用するにあたってはお客様の責任において機器の設計を行ってください。これらの使用に起因する損害な
どについては , 当社はその責任を負いません。
本資料に記載された動作概要・回路図を含む技術情報は , 当社もしくは第三者の特許権 , 著作権等の知的財産権やその他の権利の使用権または実施
権の許諾を意味するものではありません。また , これらの使用について , 第三者の知的財産権やその他の権利の実施ができることの保証を行うもので
はありません。したがって , これらの使用に起因する第三者の知的財産権やその他の権利の侵害について , 当社はその責任を負いません。
本資料に記載された製品は , 通常の産業用 , 一般事務用 , パーソナル用 , 家庭用などの一般的用途に使用されることを意図して設計・製造されてい
ます。極めて高度な安全性が要求され , 仮に当該安全性が確保されない場合 , 社会的に重大な影響を与えかつ直接生命・身体に対する重大な危険性を
伴う用途(原子力施設における核反応制御 , 航空機自動飛行制御 , 航空交通管制 , 大量輸送システムにおける運行制御 , 生命維持のための医療機器 , 兵
器システムにおけるミサイル発射制御をいう), ならびに極めて高い信頼性が要求される用途(海底中継器 , 宇宙衛星をいう)に使用されるよう設計・
製造されたものではありません。したがって , これらの用途にご使用をお考えのお客様は , 必ず事前に営業部門までご相談ください。ご相談なく使用
されたことにより発生した損害などについては , 責任を負いかねますのでご了承ください。
半導体デバイスはある確率で故障が発生します。当社半導体デバイスが故障しても , 結果的に人身事故 , 火災事故 , 社会的な損害を生じさせないよ
う , お客様は , 装置の冗長設計 , 延焼対策設計 , 過電流防止対策設計 , 誤動作防止設計などの安全設計をお願いします。
本資料に記載された製品を輸出または提供する場合は , 外国為替及び外国貿易法および米国輸出管理関連法規等の規制をご確認の上 , 必要な手続き
をおとりください。
本書に記載されている社名および製品名などの固有名詞は , 各社の商標または登録商標です。
編集 販売戦略部
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