本ドキュメントはCypress (サイプレス) 製品に関する情報が記載されております。 MB39C602 ASSP LED 照明用高力率 LED ドライバ IC Data Sheet (Full Production) Publication Number MB39C602_DS405-00010 CONFIDENTIAL Revision 2.1 Issue Date January 31, 2014 D a t a S h e e t 2 CONFIDENTIAL MB39C602_DS405-00010-2v1-J, January 31, 2014 MB39C602 ASSP LED 照明用高力率 LED ドライバ IC Data Sheet (Full Production) 概要 MB39C602 は、フライバック方式スイッチングレギュレータコントローラです。 LED 負荷に応じてオン時間を制御することにより LED 電流を制御します。 商用および住居の電球の置換えなど、一般照明アプリケーション向けに適しています。 特長 ・シングルコンバージョンでの高力率を実現 ・補助トランスのゼロカレント検出により高効率および低 EMI を実現 ・FC 電流によりスイッチング周波数任意設定可能: 30kHz ~ 120kHz ・外部センス抵抗なしで 1 次側トランスの電流制御可能 ・低電圧時誤動作防止回路内蔵 ・出力過電圧保護内蔵 ・過熱保護内蔵 ・入力電圧範囲 VDD :9V ~ 20V ・アプリケーション対応電圧 :AC110VRMS, AC230VRMS ・小型パッケージ :SOP-8 (3.9mm × 5.05mm × 1.75mm [Max]) アプリケーション ・一般 LED 照明 ・PWM 調光対応 LED 照明 など オンラインデザインシミュレータ Easy DesignSim 本製品は、回路動作や周辺部品をオンライン上で手軽に確認できるシミュレーションツールを提供しています。 下記、URL よりご利用ください。 http://www.spansion.com/easydesignsim/jp/ Publication Number MB39C602_DS405-00010 Revision 2.1 Issue Date January 31, 2014 本書には、弊社製品に関する最新の技術仕様が記載されています。Spansion Inc.は、本製品の量産体制に入っており、本書の次のバージョンでは大きな変更はない見込みで す。ただし、誤字や仕様の訂正、あるいは提供中の有効な組み合わせに関する変更が生じる可能性はあります。 CONFIDENTIAL D a t a S h e e t 端子配列図 (TOP VIEW) FC 1 8 VDD ZCD 2 7 GND CL 3 6 DRN OTC 4 5 VCG (FPT-8P-M02) 端子機能説明 端子番号 端子記号 I/O 1 2 3 4 5 6 7 8 FC ZCD CL OTC VCG DRN GND VDD I I I I O - 2 CONFIDENTIAL 機能説明 スイッチング周波数設定端子です。 トランス補助巻線のゼロカレント検出端子です。 トランス 1 次巻線のピーク電流制御用端子です。 オン時間コントロール端子です。 外部 MOSFET のゲートバイアス用端子です。 外部 MOSFET のソース接続端子です。 GND 端子です。 電源端子です。 MB39C602_DS405-00010-2v1-J, January 31, 2014 D a t a S h e e t ブロックダイヤグラム CBULK Rst 1 13V Fault Latch 1 VVDD Switch VVCG LDO VVCG Shunt 10V/6V VDD UVLO 8 Co VCG 5 14V 1 HS Drive 2 CVCG 2V CVDD Enable PWM 10V/8V IFC FC IFC 1 1 1 DRN 6 Freq. Modulator D1 1/tSW DBIAS IFC Enable PWM D Q VGATE Current Sense Q Zero Current Detect ZCD 2 Driver 20mV OV Fault GND 1 7 5V 1 On-Time Modulation Discharge IOTC Fault Timing and Control VGATE Fault 3V 1V OTC Shutdown and Restart 4 Current Sence Fault Latch Reset UVLO Thermal Shutdown CL 3 RCL 1 MB39C602 2 Vs 1 Rs 1 January 31, 2014, MB39C602_DS405-00010-2v1-J CONFIDENTIAL 2 2 3 D a t a S h e e t 絶対最大定格 項目 電源電圧 入力電圧 入力電流 出力電流 記号 条件 VVDD VDRN VVCG VZCD VOTC VCL VFC IVCG IOTC ICL IFC IDRN VDD 端子 DRN 端子 VCG 端子 ZCD 端子 OTC 端子 CL 端子 FC 端子 VCG 端子 OTC 端子 CL 端子 FC 端子 DRN 端子 DRN 端子, pulse 400ns /duty cycle2%時 Ta≦+25°C IDRN 許容損失 PD 保存温度 TSTG *: 2 層基板実装時の場合 参考: θja (風速 0m/s): +125°C/W 定格値 単位 最小 最大 -0.3 -0.3 -0.3 -0.3 -0.3 -0.3 -1 -1 0 - +25.0 20 +16.0 +6.0 +6.0 +6.0 +2.0 10 0 0 1 800 V V V V V V V mA mA mA mA mA -1.5 +6.0 A -55 800* +125 mW °C <注意事項> 絶対最大定格を超えるストレス (電圧, 電流, 温度など) の印加は、半導体デバイスを 破壊する可能性があります。したがって、定格を一項目でも超えることのないようご注 意ください。 4 CONFIDENTIAL MB39C602_DS405-00010-2v1-J, January 31, 2014 D a t a S h e e t 推奨動作条件 項目 記号 条件 VDD 端子入力電圧 VDD VDD 端子 VCG 端子入力電圧 VCG VCG 端子入力電流 規格値 最小 標準 最大 単位 9 - 20 V VCG 端子 (from low - impedance source) 9 - 13 V IVCG VCG 端子 (from high - impedance source) 10 - 2000 µA OTC 端子接地抵抗 ROTC OTC 端子 10 - 100 kΩ CL 端子接地抵抗 RCL CL 端子 24.3 - 200.0 kΩ ZCD 端子接続抵抗 RZCD ZCD 端子 トランス補助巻線接続抵抗 50 - 200 kΩ VCG 端子接地容量 CVCG VCG 端子 33 - 200 nF VDD 端子バイパス容量 CBP VDD-GND 端子間 (セラミック容量) 0.1 - 1.0 µF 動作周囲温度 Ta -40 +25 +85 °C - <注意事項> 推奨動作条件は、半導体デバイスの正常な動作を確保するための条件です。電気的 特性の規格値は、すべてこの条件の範囲内で保証されます。常に推奨動作条件下で 使用してください。この条件を超えて使用すると、信頼性に悪影響を及ぼすことが あります。 データシートに記載されていない項目, 使用条件, 論理の組合せでの使用は、保証 していません。 記載されている以外の条件での使用をお考えの場合は、必ず事前に営業部門までご 相談ください。 January 31, 2014, MB39C602_DS405-00010-2v1-J CONFIDENTIAL 5 D a t a S h e e t 電気的特性 (Ta = +25°C, VVDD = 12V) 項目 VDD and VCG SUPPLY MODULATION DRIVER 記号 端子 動作時 VCG 電圧 VCG (OPERATING) 5 停止時 VCG 電圧 動作時, 停止時 VCG 電圧差 VCG (DISABLED) 5 ΔVCG 5 VCG Shunt 入力電流 IVCG (SREG) 5 VCG Shunt Load Regulation LDO Regulation 時 VCG 電圧 LDO Dropout 時 VCG 電圧 UVLO Turn-on スレッショルド電圧 UVLO Turn-off スレッショルド電圧 UVLO ヒステリシス VDD スイッチ ON 抵抗 Fault Latch Reset VDD 電圧 最小スイッチング 周期 最大スイッチング 周期 ΔVCG (SREG) 5 VCG (LREG) 5 VCG (LREG, DO) DRN ピーク電流 RCL 開放時 最小ピーク電流 ILIM ブランキング 時間 CL 電圧 FC 電圧 ドライバ ON 抵抗 ドライバ OFF 時 リーク電流 High-Side ドライバ ON 抵抗 DRN ディスチャージ 電流 6 CONFIDENTIAL 条件 VVDD=14V, IVCG=2.0mA VOTC=0V, IVCG=26μA VCG (DISABLED) VCG (OPERATING) VVCG=VCG (DISABLED)100mV, VOTC=0V VOTC=0V 26μA<IVCG≦5mA 規格値 単位 最小 標準 最大 13 14 15 V 15 16 17 V 1.75 2.00 2.15 V - 12 26 μA - 125 200 mV VVDD=20V, IVCG=-2mA - 13 - V - VDD-VCG, VVDD=11V, IVCG=-2mA - 2.0 2.8 V VDD (ON) 8 - 9.7 10.2 10.7 V VDD (OFF) 8 - 7.55 8.00 8.50 V ΔVDD (UVLO) 8 1.9 2.2 2.5 V RDS, ON (VDD) 6,8 - 4* 10* Ω 5.6 6.0 6.4 V VDD (ON) - VDD (OFF) VVCG=12V, VVDD=7V, IDRN=50mA VDD (FAULT RESET) 8 - tSW (HF) 6 IFC=5μA 7.215 7.760 8.305 μs tSW (LF) 6 IFC= 165μA 31.5* 35.0* 38.5* μs IDRN (peak) 6 6 IFC=5μA, ICL=100μA IFC=5μA, ICL=30μA - 3* 1* - A A IDRN (peak, absmin) 6 RCL=OPEN - 0.45* - A tBLANK (ILIM) 6 - 400* - ns VCL VFC RDS (on) (DRN) 3 1 6,7 IFC=5μA, RCL=100kΩ, 1.2A pull-up on DRN IFC=5μA IFC=10μA IDRN=4.0A IDRN (OFF) 6,7 VDRN=12V RDS (on) (HSDRV) 5,6 IDIS 6,7 High-Side ドライバ 電流=50mA VDD=OPEN, DRN=12V, Fault latch set 2.94 3.00 3.06 0.34 0.70 0.84 200* 400* V V mΩ - 1.5 20.0 μA - 6* 11* Ω 2.38 3.40 4.42 mA MB39C602_DS405-00010-2v1-J, January 31, 2014 D a t a S h e e t 項目 ゼロカレント スレッショルド電圧 クランプ電圧 スタートタイマ動作 TRANSFORMER スレッショルド電圧 ZERO CURRENT ドライバ turn-on 遅延 DETECTION 時間 ゼロカレント検出 wait-time スタートタイマ周期 過電圧保護 スレッショルド電圧 OVERVOLTAGE OVP ブランキング FAULT 時間 入力バイアス電流 シャットダウン スレッショルド電圧 SHUTDOWN シャットダウン時 THRESHOLD OTC 電流 オン時間 MAXIMUM ON OTC 電圧 TIME シャットダウン温度 OTP POWER SUPPLY CURRENT 記号 端子 条件 VZCD (TH) 2 - VZCD (CLAMP) 2 IZCD=-10μA VZCD (START) 2 - tDLY (ZCD) 6 tWAIT (ZCD) 6 tST 6 VZCD (OVP) 2 tBLANK, OVP 6 IZCD (bias) 2 VOTC (Vth) 規格値 単位 最小 標準 最大 5* 20* 50* mV -200 -160 -100 mV 0.10 0.15 0.20 V - 150 - ns 2.0 2.4 2.8 μs 150 240 300 μs - 4.85 5.00 5.15 V - 0.6 1.0 1.7 μs VZCD=5V -0.1 0 +0.1 μA 4 OTC= 0.7 1.0 1.3 V IOTC, PU 4 VOTC= VOTC (vth) -600 -450 -300 μA tOTC VOTC TSD 6 4 - 3.4 3.8 4.2 2.7 3.0 3.3 - +150* - μs V °C ヒステリシス TSD_HYS - 電源電流 IVDD (STATIC) IVDD (OPERATING) 8 8 UVLO 時電源電流 IVDD (UVLO) 8 ROTC=76kΩ Tj, temperature rising Tj, temperature falling,degrees below TSD VVDD=20V, VZCD=1V VVDD=20V VVDD= VDD (ON) 100mV 150Ω pull-up 12V on DRN VZCD=0V - +25* - °C 1.36 - 1.80 3.0* 2.34 3.7* mA mA - 285 500 uA *:設計標準値 January 31, 2014, MB39C602_DS405-00010-2v1-J CONFIDENTIAL 7 D a t a S h e e t 標準特性 電源電流 - Ta 4.0 3.8 3.8 3.6 3.6 3.4 3.4 IDD+ICG [mA] IDD [mA] 電源電流 - VDD 4.0 3.2 3.0 2.8 3.2 3.0 2.8 2.6 2.6 2.4 2.4 VDD; decreasing from 20 V VCG=OPEN IFB=5μA 2.2 2.0 2.0 8 10 12 14 16 VDD=12V VCG=12V IFB=5μA 2.2 18 20 -40 -30 -20 -10 0 +10 +20 +30 +40 +50 +60 +70 +80 -35 -25 -15 -5 +5 +15 +25 +35 +45 +55 +65 +75 +85 Ta [°C] VDD [V] スイッチング周波数 - IFB DRN ピーク電流 - Ta 3.5 140 3.0 120 fSW [kHz] Ta=-40°C 100 Ta=25°C 80 Ta=85°C 60 40 IDRN(peak) at RPCL=33.2kΩ[A] 160 2.5 2.0 1.5 1.0 0.5 20 0.0 0 0 50 100 150 -40 -30 -20 -10 0 +10 +20 +30 +40 +50 +60 +70 +80 -35 -25 -15 -5 +5 +15 +25 +35 +45 +55 +65 +75 +85 200 Ta [°C] IFB [μA] DRN ピーク電流 - IPCL オン時間 - ROTM 3.5 6 3.0 5 4 tOTM [μs] IDRN(peak) [A] 2.5 2.0 1.5 3 2 1.0 Ta=-40°C 0.5 1 n=30 Ta=+25°C Ta=+85°C 0 0.0 0 20 40 60 IPCL [μA] 8 CONFIDENTIAL 80 100 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120 ROTM [kΩ] MB39C602_DS405-00010-2v1-J, January 31, 2014 D a t a S h e e t ドライバ ON 抵抗 - Ta High-side ドライバ ON 抵抗 - Ta 12 400 11 350 10 RDS(on)(HSDRN) [Ω] RDS(on)(DRN) [mΩ] 300 250 200 150 9 8 7 6 5 4 3 100 2 50 1 0 -40 -30 -20 -10 0 +10 +20 +30 +40 +50 +60 +70 +80 -35 -25 -15 -5 +5 +15 +25 +35 +45 +55 +65 +75 +85 Ta [°C] 0 -40 -30 -20 -10 0 +10 +20 +30 +40 +50 +60 +70 +80 -35 -25 -15 -5 +5 +15 +25 +35 +45 +55 +65 +75 +85 Ta [°C] 許容損失- Ta 1000 900 800 許容損失[mW] 700 600 500 400 300 200 100 0 -50 -40 -30 -20 -10 0 +10+20+30+40+50+60+70+80+90+100 Ta[°C] January 31, 2014, MB39C602_DS405-00010-2v1-J CONFIDENTIAL 9 D a t a S h e e t 機能説明 (1) LED 電流制御機能 MB39C602 は、フライバック方式スイッチングレギュレータコントローラです。 LED 負荷に応じてオン時間を制御することにより LED 電流を制御します。 LED 電流は、LED に直列に接続された検出抵抗(Rs)で検出電圧(Vs)に変換します。Vs は外付けの 誤差比較増幅器(Err AMP)にて比較され、Vs が基準電圧を下回ると Err AMP 出力は上昇し、フォト カプラに流れる電流を減少させます。 オン時間制御においては、フォトカプラを介して OTC 端子電流を制御します。OTC 端子電流が減 少すると、オン時間は増加します。オン時間制御では周波数を一定値に設定するため、LED に供 給される平均電流が制御され、LED 電流は安定化されます。 (2)カスコードスイッチング 1 次巻き線のスイッチはカスコード接続です。外部 MOSFET のゲートは VCG 端子に接続され、 ソースは内部 Driver MOSFET のドレインに接続されます。 スイッチオン時、内部 Driver MOSFET がオン、HS Driver MOSFET がオフし、外部 MOSFET の ソースは GND に引き下げられます。このときゲート電圧は常に DC バイアスが与えられるため、 外部 MOSFET はオンします。 スイッチオフ時、内部 Driver MOSFET がオフ、HS Driver MOSFET はオンし、外部 MOSFET の ソースは VCG 端子電圧まで上昇します。このときゲート電圧は常に DC バイアスが与えられるた め、外部 MOSFET はオフします。 また内部 Driver MOSFET に流れる電流は、1 次巻き線の電流と等しくなります。そのため、検出 抵抗を必要とすることなく 1 次巻き線のピーク電流を検出できます。 (3) Natural PFC (Power Factor Correction: 力率補正) 機能 力率は交流電圧入力において、入力電流波形を正弦波に近づけ、位相差をゼロに近づけることで 改善できます。 不連続モードのフライバック方式において入力コンデンサを小さく設定した場合、入力電流はト ランス 1 次側のピーク電流(IPEAK)とほぼ等しくなり、 I PEAK = VBULK × t ON LMP = VBULK LMP tON VBULK :1 次巻き線の印加電圧 LMP :1 次巻き線のインダクタンス tON :オン時間 となります。 オン時間制御においては、外付け Err AMP の応答速度を交流電圧周波数より十分低く(交流電圧周 波数の 1/10 以下) 設定することで、オン時間を一定にできます。したがって、入力電流を入力電 圧に比例させることができ、高力率を実現できます。 10 CONFIDENTIAL MB39C602_DS405-00010-2v1-J, January 31, 2014 D a t a S h e e t (4) 起動シーケンス VBULK に電圧が入力されると、起動抵抗(Rst)を通じて VCG 端子容量(CVCG)に電荷が充電され、 VCG 端子電圧は上昇します。VCG 端子電圧が外付け MOSFET のスレッショルドを超えると、 ソースフォロアにより DRN 端子電圧が上昇します。DRN 端子は VDD スイッチを介して VDD 端 子に接続されており、DRN 端子から VDD 端子容量をチャージします。VDD 端子電圧が UVLO ス レッショルド電圧を超えると、VDD スイッチがオフすると共に内部バイアス回路が動作し、スイ ッチングを開始します。 スイッチング開始後の VDD 端子電圧は、外付けのダイオードを介して補助巻き線(Auxiliary Winding)より供給されます。補助巻き線の電圧は、補助巻き線と 2 次巻き線(Secondary Winding)の 巻き数比と 2 次巻き線電圧で決定されるため、2 次巻き線の電圧が上昇し、補助巻き線電圧が VDD 端子電圧より上昇するまでは、VDD 端子には電圧が供給されません。そのため、この期間に VDD 端子電圧が UVLO スレッショルド電圧を下回らないように、VDD 端子容量を設定してください。 DRN-VDD 端子間のショットキーダイオードは、内部 VDD スイッチのボディダイオードに電流が 流れることを避けるために使用されます。 ・起動時の電流パス VBULK Rst Primary Winding Ist HV-MOSFET CVCG D1 VDD Start-up Current CVDD DBIAS VDD Operating and LPM Current Auxiliary Winding VCG VDD 8 5 VDD Switch HS Drive VCG Shunt UVLO 10V/8V Enable PWM 14V DRN 6 2V Fault Driver PWM Control January 31, 2014, MB39C602_DS405-00010-2v1-J CONFIDENTIAL 7 GND 11 D a t a S h e e t ・起動シーケンス UVLO スレッショルド UVLO スレッショルド (5) 停止シーケンス AC ラインから交流電源が取り除かれると、スイッチングしても 2 次巻き線には電流が流れなくな ります。LED 電流は、出力容量から供給され次第に低下します。同様に、補助巻き線も電流が流 れなくなるため、VDD 端子電圧は低下します。 VDD 端子電圧が UVLO スレッショルド電圧を下回ると、スイッチングが停止しシャットダウンし ます。 ・停止シーケンス UVLO スレッショルド 8V 12 CONFIDENTIAL MB39C602_DS405-00010-2v1-J, January 31, 2014 D a t a S h e e t (6) OTC 部 OTC 端子に抵抗(ROTC)を接続することによって、オン時間を設定します。下図に示すように、OTC から抵抗を介してフォトカプラのコレクタを接続することによって、オン時間制御できます。 ・OTC 端子制御 On-Time Modulation IOTC Fault Timing and Control VGATE Fault 3V 1V OTC 4 Shutdown and Restart UVLO Fault Latch Reset Thermal Shutdown R OTC 下図は、設定抵抗によって 1.5μs ~ 5.0μs の間でオン時間が制御されることを示しています。 オン時間は、次式に基づいた設定抵抗にて制御されます。 ROTC = tOTC × (2 × 1010[ Ω ]) S tOTC - Constant On-Time [μs] ・オン時間設定レンジ ROTC - Constant On-Time Resistance [kΩ] また、OTC 端子電圧を VOTC (Vth) (typ1V)以下にすることによって、シャットダウンさせることがで きます。 January 31, 2014, MB39C602_DS405-00010-2v1-J CONFIDENTIAL 13 D a t a S h e e t (7) CL 部 CL 端子に抵抗を接続することでトランスの 1 次巻き線のピーク電流を設定します。 最大ピーク 1 次側電流は、CL 端子と GND 間の RCL 抵抗によって設定されます。 100kV ) RCL またスイッチングサイクルのはじめ約 400ns のブランキング時間は、サイクル立上りに現れるス パイクノイズをマスキングすることで電流センスの誤動作を防止します(下図を参照してくださ い)。 IDRN(pk) = ( ・CL 端子によるピーク電流設定 DRN 6 IDRN From High-Voltage MOSFET Source Driver VGATE t BLANKCL Current Sense GND 7 IC L 3V CL 3 RCL (8) FC 部 スイッチング周波数は、FC 端子に流れる電流により設定できます。オン時間制御においては、FC 端子を VDD にプルアップすることでスイッチング周波数の設定ができます。 スイッチング周波数の範囲は 30kHz~120kHz です。 tSW (max) - Max Switching Frequency [kHz] ・スイッチング周波数設定レンジ IFC-fSW Control Current [μA] 14 CONFIDENTIAL MB39C602_DS405-00010-2v1-J, January 31, 2014 D a t a S h e e t (9) ZCD 部 MB39C602 は、以下の条件を満たした場合に次のスイッチングサイクルを開始します。 前回のターンオンエッジからの時間が、IFC で設定されるスイッチング時間以上経過している ZCD 端子でのゼロカレント検出の直後または、前回のゼロカレント検出からの時間が tWAIT (ZCD) (~2.4µs)よりも長い 下図に示すように、ゼロカレント検出はトランスの補助巻き線に接続された分圧抵抗回路を通し て ZCD 端子にて検出できます。 また 1 次スイッチのターンオンを 1 次巻き線波形の共振ボトムに合わせるために、50ns~200ns の 遅延を CZCD 容量によって追加できます。 ・ゼロカレント検出時のスイッチング波形 ・ZCD 端子接続 NP NS NB 1 RZCD1 Zero Current Detect ZCD 2 RZCD2 CZCD 20mV OV Fault Fault Timing and Control 5V January 31, 2014, MB39C602_DS405-00010-2v1-J CONFIDENTIAL 15 D a t a S h e e t 各種保護回路 ・低電圧時誤動作防止回路(UVLO) 電源端子電圧(VDD)の起動時における過渡状態や瞬時低下での、IC の誤動作やシステムの破壊、 劣化を防止するための機能です。VDD 端子の電圧低下を比較器(Comp.)で検出し、出力 HS DRIVER をオフ、出力 DRIVER もオフし、スイッチングを停止します。VDD 端子電圧が低電圧時誤動作防 止回路のスレッショルド電圧以上になればシステムは復帰します。 ・出力過電圧保護(OVP) LED が open 状態などで、出力電圧が上昇しすぎると、補助巻き線の電圧と ZCD 端子電圧もそれ に伴い上昇します。この ZCD 端子電圧をサンプリングすることで、過電圧検出を行うことができ ます。ZCD 端子電圧が過電圧検出回路のスレッショルドを超えると、過電圧を検出します。出力 HS DRIVER をオフ、出力 DRIVER もオフし、スイッチングを停止します(latch 停止)。VDD 端子 電圧が Fault Latch Reset 電圧以下になれば、過電圧保護状態を解除します。 ・過熱保護(OTP) 過熱保護(OTP)は IC を熱破壊から保護するための機能です。接合部温度が+150°C に達すると、出 力 HS DRIVER をオフ、出力 DRIVER もオフし、スイッチングを停止します。接合部温度が+125°C まで下がると再び復帰します(自動復帰)。 16 CONFIDENTIAL MB39C602_DS405-00010-2v1-J, January 31, 2014 D a t a S h e e t 各種機能表 機能 DRN 通常動作 低電圧時誤動作防止 (UVLO) OTC シャットダウン Discharge SW 保護動作時 検出条件 復帰条件 備考 OFF OFF - - - LS_DRV HS_DRV VDD SW OFF OFF ON OFF VDD < 8.0V VDD > 10.2V Standby OFF OFF ON OFF OTC = GND OTC > 1V Standby 出力過電圧保護(OVP) OFF OFF ON ON ZCD > 5V VDD < 6V 後に VDD > 10.2V Latch-off 過熱保護(OTP) OFF OFF ON OFF Tj > +150°C Tj < +125°C - January 31, 2014, MB39C602_DS405-00010-2v1-J CONFIDENTIAL 17 D a t a S h e e t 入出力端子等価回路図 端子 番号 端子 名 1 FC 2 ZCD 3 CL 4 OTC 18 CONFIDENTIAL 等価回路図 MB39C602_DS405-00010-2v1-J, January 31, 2014 D a t a S h e e t 端子 番号 端子 名 5 VCG 6 DRN January 31, 2014, MB39C602_DS405-00010-2v1-J CONFIDENTIAL 等価回路図 19 20 CONFIDENTIAL R12 R11 AC2 VR1 1 1 C10 R18 C2 C15 R13 R15 AC1 F1 4 1 4 OTC 3 CL 2 ZCD 1 FC 3 2 T2 M1 R14 2 1 MB39C602 - AC2 VCG 5 DRN 6 GND 7 VDD 8 + AC1 BR1 4 3 1 C3 C4 C3 R40 1 C5 R1 C2 + D4 R16 R31 R2 R4 D3 Q1 D1 1 R17 1 10 8 9 7 T1 U2 5 3 4 2 1 C4 R35 2 R24 C19 D8 R29 D5 2 C13 IC5 2 C16 C17 R23 R33 2 C7 R30 C8 2 R32 C18 C6 + R26 R19 LED_OUTn LED_OUTp D a t a S h e e t 応用回路例 (1) 絶縁型回路 MB39C602_DS405-00010-2v1-J, January 31, 2014 January 31, 2014, MB39C602_DS405-00010-2v1-J R8 C5 R1 AC2 R7 F1 R9 D1 4 3 4 OTC 3 CL 2 ZCD 1 FC AC2 - AC1 + R10 2 1 VCG 5 DRN 6 GND 7 D7 C1 D6 VDD 8 M1 R6 L1 MB39C602 CONFIDENTIAL AC1 1 C6 + C7 C2 D9 + C8 D8 + R3 R2 D5 R5 C9 D4 D3 Q1 R4 D2 C3 4 3 2 1 T1 C4 7 6 5 + LED_OUTn LED_OUTp D a t a S h e e t (2) 非絶縁型回路 21 D a t a S h e e t ・部品表 (1) 絶縁型回路 No 回路記号 1 M1 2 指定型格 製造元 IC PWM CTRLR CASCODE 8-SOIC MB39C602 Spansion T1 TRANSFORMER FLYBACK EE20/10/6 430μH 1.6A RATIO Np/Ns=2.91/1 Np/Na=6.4/1 750811146 Wurth 3 T2 IND COMMON MODE CHOKE 40mH 750311650 Wurth 4 F1 Fuse, axial, fast acting, 2.5 A, 250V, 0.160 × 0.400 inch 026302.5MXL Littelfuse Inc 5 IC5 IC OPAMP GP R-R 1MHz SGL SOT23-5 LMV321IDBVR Texas Instruments 6 Q1 MOSFET N-ch 650V 7.3A TO-220FP SPA07N60C3 Infineon 7 U2 OPTO ISOLATOR TRANSISTOR OUTPUT PS2561L-1-A CEL 8 BR1 IC RECT BRIDGE 0.5A 600V 4SOIC MB6S Fairchild 9 D1 DIODE ULTRA FAST 800V 1A SMA RS1K-13-F Diodes 10 D3 DIODE ULTRA FAST 200V SOT-23 MMBD1404 Fairchild 11 D4 DIODE ZENER 18V 225mW SOT-23 BZX84C18LT1G On Semi 12 D5 DIODE GPP FAST 1A 600V DO-41 UF4005 Fairchild 13 D8 SHUNT REGULATOR 5.0V SOT-23 LM4040C50IDBZT Texas Instruments 14 VR1 ERZ-V07D431 Panasonic 15 C2 CAP CER 15000pF 250V X7R 1206 GRM31BR72E153KW01L muRata 16 C3 CAP CER 10000pF 50V X7R 0603 GRM188R71H103KA01D muRata 17 C4 CAP CER .1μF 25V X7R 10% 0603 GRM188R71E104KA01D 18 C5 CAP 100μF 25V ELECT RADIAL 2.5mm EKMG250ELL101MF11D 19 C6, C7 20 C8 21 ECQE6223KF CAP CER 10000pF 50V X7R 0603 GRM188R71H103KA01D muRata 23 C9 C10, C15, C17, C18, C19 C11 muRata Nippon Chemi-con muRata Nippon Chemi-con Panasonic CAP CER 2.2nF X1/Y1 RADIAL DE1E3KX222MA4BL01 muRata 24 C13 CAP CER 0.33μF 16V X7R 0603 C0603C334K4RACTU Kemet 25 C16 CAP CER .1μF 25V 0805 GRM21BR71E104KA0 muRata 26 C21 CAP .022μF/305VAC X2 METAL POLYPRO B32921C3223M Epcos 27 R1, R2, R31 RES 560kΩ 1/4W 1% 1206 SMD RK73H2BTTD5603F KOA 28 R4 RES 75.0kΩ 1/4W 1% 1206 SMD RK73H2BTTD7502F KOA 29 R11 RES 110kΩ, 1/8W, 1%, 0603 SMD RK73H1JTTD1103F KOA 30 R12 RES 33kΩ 1/10W 1% 0603 SMD RK73H1JTTD3302F KOA 31 R13 RES 39kΩ 1/10W 1% 0603 SMD RK73H1JTTD3902F KOA 32 R14, R30 RES 620kΩ 1/10W 1% 0603 SMD RK73H1JTTD6203F KOA 33 R15 RES 100kΩ 1/10W 1% 0603 SMD RK73H1JTTD1003F KOA 34 R16 RES 5.1Ω 1/10W 1% 0603 SMD RK73H1JTTD5R10F KOA 35 R17 RES 3Ω 1/8W 1% 0805 SMD RK73H2ATTD3R00F KOA 36 R18 RES 10.0kΩ 1/10W 1% 0603 SMD RK73H1JTTD1002F KOA 37 R19 RES .33Ω 1/4W 1% 1206 SMD ERJ-8RQFR33V Panasonic 38 R23 RES 20kΩ 1/10W 1% 0603 SMD RK73H1JTTD2002F KOA 39 R24, R35 RES 3kΩ 1/10W 1% 0603 SMD RK73H1JTTD3001F KOA 40 R33 RES 1.00MΩ 1/10W 1% 0603 SMD RK73H1JTTD1004F KOA 41 R26 RES 2.00kΩ 1/10W 1% 0603 SMD RK73H1JTTD2001F KOA 42 R29 RES 12kΩ 1/10W 1% 0603 SMD RK73H1JTTD1202F KOA 43 R32 RES 18kΩ 1/10W 1% 0603 SMD RK73H1JTTD1802F KOA 44 R40 JUMPER (RES 0.0Ω 1210) RK73Z2E KOA 22 22 CONFIDENTIAL 名称・仕様等 SUR ABSORBER 7mm 430V 1250A ZNR CAP CER 2.2μF 100V X7R 1210 CAP 1000μF 50V ELECT HE RADIAL CAP .022μF/630VDC METAL POLY GRM32ER72A225KA35 EKMG500ELL102MK25S MB39C602_DS405-00010-2v1-J, January 31, 2014 D a t a S h e e t Spansion : Spansion Inc.(スパンション) Wurth : Adolf Wurth GmbH & Co. KG Texas Instruments : Texas Instruments, Inc Infineon : Infineon Technologies AG CEL : California Eastern Laboratories, Inc Fairchild : Fairchild Semiconductor International, lnc. Diodes : Diodes, Inc On Semi : ON Semiconductor Panasonic : パナソニック株式会社 muRata : 株式会社村田製作所 Nippon Chemi-con : 日本ケミコン株式会社 Kemet : KEMET Electronics Corporation Epcos : EPCOS AG KOA : コーア株式会社 (2) 非絶縁型回路 No 回路記号 指定型格 製造元 MB39C602 Spansion Capacitor, alumninum electrolytic, 47μF, 250V, 12.5 × 20 EKXG251ELL470MK20S Nippon Chemi-con C3 Capacitor, ceramic, 10μF, 50V, X7R, +/-10%, 1210 GRM32DF51H106ZA01L muRata 5 C4 Capacitor, alumninum electrolytic, 100uF, 50V, 8 × 11.5 EKMG500ELL101MHB5D Nippon Chemi-con 6 C5, C6 Capacitor, ceramic, 0.01μF, 50V, X7R, +/-10%, 0603 GRM188R71H103KA01D muRata 7 C7 Capacitor, ceramic, 0.1μF, 25V, X7R, +/-10%, 0603 GRM188R71E104KA01D muRata 8 C8 Capacitor, alumninum electrolytic, 100μF, 25V, 6.3 × 11 EKMG250ELL101MF11D Nippon Chemi-con 9 C9 Capacitor,polyester film, 0.22μF, 250V, 12 × 5.5 × 10.5 ECQ-E2224KF Panasonic 10 D1 Diode, bridge rectifier, 0.5A, 600V, SO-4 MB6S Fairchild 11 D2 Diode, ultra fast rectifier, 1A, 400V, SMA ES1G Fairchild 12 D3 Diode, Schottky, 1A, 30V, SOD-323 SDM100K30 Diodes 13 D4 Diode, ultra fast, 1A, 200V, SMA 14 D5 Diode, Zener, 18V, 500mW, SOD-123 15 D6, D7 16 D8, D9 17 F1 Fuse, axial, fast acting, 2.5A, 250V, 0.160 inch × 0.400 inch 18 L1 Inductor, 100μH, 0.67Amax, 0.39Ωmax 19 T1 20 Q1 21 R1 22 R2, R3 23 24 1 名称・仕様等 IC Driver IC for LED Lighting, SOL8 2 C1 3 C2 4 CSFA103-G On Semi MMSZ18T1G On Semi RK73ZW2H KOA 026302.5MXL Littelfuse Inc 22R104C muRata Ps Coupling inductor, 280μH, 1.4A, Na/Nm=0.6 EI-191-03377-T SUMIDA MOSFET, N-ch, 650V, 7.3A, 0.6W, TO-220 FDPF10N60NZ Fairchild NTC thermistor, 8.0Ω, 1.5A NTPA78R0LBMBO muRata Resistor, chip, 1.00MΩ, 1/8W, +/-1%, 0805 RK73H2ATTD1004F KOA R4 Resistor, chip, 3.0Ω, 1/8W, +/-1%, 0805 RK73H2ATTD3R00F KOA R5 Resistor, chip, 5.1Ω, 1/10W, +/-1%, 0603 RK73H1JTTD5R10F KOA 25 R6 Resistor, chip, 1.00MΩ, 1/10W, +/-1%, 0603 RK73H1JTTD1004F KOA 26 R7 Resistor, chip, 110kΩ, 1/10W, +/-1%, 0603 RK73H1JTTD1103F KOA 27 R8 Resistor, chip, 33kΩ, 1/10W, +/-1%, 0603 RK73H1JTTD3302F KOA 28 R9 Resistor, chip, 91kΩ, 1/10W, +/-1%, 0603 RK73H1JTTD9102F KOA 29 R10 Resistor, chip, 100kΩ, 1/10W, +/-1%, 0603 RK73H1JTTD1003F KOA Jumper January 31, 2014, MB39C602_DS405-00010-2v1-J CONFIDENTIAL 23 D a t a S h e e t Spansion : Spansion Inc.(スパンション) Nippon Chemi-con : 日本ケミコン株式会社 muRata : 株式会社村田製作所 Panasonic : パナソニック株式会社 Fairchild : Fairchild Semiconductor International, lnc. Diodes : Diodes, Inc On Semi : ON Semiconductor KOA : コーア株式会社 muRata Ps : Murata Power Solutions, Inc SUMIDA : スミダコーポレーション株式会社 24 CONFIDENTIAL MB39C602_DS405-00010-2v1-J, January 31, 2014 D a t a S h e e t 参考データ (1)絶縁型回路 変換効率-AC 電源電圧 力率-AC 電源電圧 1.00 100% 95% 0.99 85% 60Hz 50Hz 80% 75% 60Hz 50Hz 0.98 力率 PF 変換効率η[%] 90% 70% 0.97 0.96 65% LED; 9 pcs in series LED; 9 pcs in series 0.95 60% 80 120 160 200 80 240 AC 電源電圧 Vac [Vrms] ラインレギュレーション 200 240 450 60Hz 50Hz 440 430 出力電流 ILED [mA] 420 出力電流 ILED [mA] 160 ロードレギュレーション 450 410 400 390 380 370 440 100V/60Hz 430 220V/50Hz 420 410 400 390 380 370 360 LED; 9 pcs in series 350 VIN=100VRMS, 220VRMS LED ; 7- 11 pieces in series 360 350 80 120 160 200 AC 電源電圧 Vac [Vrms] January 31, 2014, MB39C602_DS405-00010-2v1-J CONFIDENTIAL 120 AC 電源電圧 Vac [Vrms] 240 20 25 30 35 出力電圧 VLED [V] 25 D a t a S h e e t ・VIN=100VRMS, 60Hz, LED; 9 pcs in series 入出力波形 スイッチング波形 起動波形 停止波形 LED Open 波形 26 CONFIDENTIAL MB39C602_DS405-00010-2v1-J, January 31, 2014 D a t a S h e e t ・VIN =220VRMS, 50Hz, LED; 9 pcs in series 入出力波形 スイッチング波形 起動波形 停止波形 LED Open 波形 January 31, 2014, MB39C602_DS405-00010-2v1-J CONFIDENTIAL 27 D a t a S h e e t (2)非絶縁型回路 変換効率-AC 電源電圧 力率-AC 電源電圧 1.00 100% 0.80 90% 0.70 85% 0.60 力率 PF 変換効率η[%] 60Hz 50Hz 0.90 60Hz 50Hz 95% 80% 75% 0.50 0.40 0.30 70% 0.20 65% 0.10 LED; 9 pcs in series 60% LED; 9 pcs in series 0.00 85 95 105 115 125 135 145 85 AC 電源電圧 Vac [Vrms] ラインレギュレーション 650 60Hz 50Hz 630 610 610 出力電流 ILED [mA] 出力電流 ILED [mA] 570 550 530 510 490 60Hz 50Hz 630 590 590 570 550 530 510 490 470 LED; 9 pcs in series 450 85 95 105 115 125 135 145 AC 電源電圧 Vac [Vrms] CONFIDENTIAL 105 115 125 135 145 ロードレギュレーション 650 28 95 AC 電源電圧 Vac [Vrms] VIN=100VRMS LED ; 7- 11 pieces in series 470 450 20 25 30 35 出力電圧 VLED [V] MB39C602_DS405-00010-2v1-J, January 31, 2014 D a t a S h e e t ・VIN=AC100VRMS, fac=60Hz, LED; 9 pieces in series 入出力波形 スイッチング波形 起動波形 停止波形 LED Open 波形 January 31, 2014, MB39C602_DS405-00010-2v1-J CONFIDENTIAL 29 D a t a S h e e t 使用上の注意 1. 最大定格以上の条件に設定しないでください。 最大定格を超えて使用した場合、LSI の永久破壊となることがあります。 また、通常動作では、推奨動作条件下で使用することが望ましく、この条件を超えて使用すると LSI の信頼性に悪影響をおよぼすことがあります。 2. 推奨動作条件でご使用ください。 推奨動作条件は、LSI の正常な動作を保証する推奨値です。 電気的特性の規格値は、推奨動作条件範囲内および各項目条件欄の条件下において保証されます。 3. プリント基板のアースラインは、共通インピーダンスを考慮し、設計してください。 4. 静電気対策を行ってください。 ・ 半導体を入れる容器は、静電気対策を施した容器か、導電性の容器をご使用ください。 ・ 実装後のプリント基板を保管・運搬する場合は、導電性の袋か、容器に収納してください。 ・ 作業台, 工具, 測定機器は、アースを取ってください。 ・ 作業する人は、人体とアースの間に 250 kΩ~1 MΩ の抵抗を直列に入れたアースをしてくださ い。 5. 負電圧を印加しないでください。 -0.3 V 以下の負電圧を印加した場合、LSI に寄生トランジスタが発生し誤動作を起こすことがあ ります。 30 CONFIDENTIAL MB39C602_DS405-00010-2v1-J, January 31, 2014 D a t a S h e e t オーダ型格 型格 パッケージ MB39C602PNF プラスチック・SOP, 8 ピン (FPT-8P-M02) January 31, 2014, MB39C602_DS405-00010-2v1-J CONFIDENTIAL 備考 31 D a t a S h e e t RoHS 指令に対応した品質管理 (鉛フリーの場合) Spansion の LSI 製品は、RoHS 指令に対応し、鉛・カドミウム・水銀・六価クロムと、特定臭素 系難燃剤 PBB と PBDE の基準を遵守しています。この基準に適合している製品は、型格に"E1"を 付加して表します。 製品捺印 (鉛フリーの場合) C602 E1 XXXX XXX INDEX 32 CONFIDENTIAL 鉛フリー表示 MB39C602_DS405-00010-2v1-J, January 31, 2014 D a t a S h e e t 製品ラベル (鉛フリーの場合の例) 鉛フリー表示 JEITA 規格 JEDEC 規格 鉛フリー型格は末尾に「E1」あり。 January 31, 2014, MB39C602_DS405-00010-2v1-J CONFIDENTIAL 中国で組立てられた製品のラベルには 「ASSEMBLED IN CHINA」と表記されています。 33 D a t a S h e e t MB39C602PNF 推奨実装条件 【推奨実装条件】 推奨リフロー条件 項目 内容 実装方法 IR (赤外線リフロー)・温風リフロー 実装回数 2回 保管期間 開梱前 製造後 2 年以内にご使用ください。 開梱 ~2 回目リフロー迄の 保管期間 8 日以内 開梱後の保管期間を 超えた場合 ベーキング(125°C±3°C, 24H+2H/-0H) を実施の上、8 日以内に処理願います。 ベーキングは 2 回まで可能です。 保管条件 5°C~30°C, 70%RH 以下 (できるだけ低湿度) 【実装方法の各条件】 (1)リフロープロファイル 260°C 255°C 本加熱 170 °C ~ 190 °C (b) RT (a) H ランク:260℃ Max (a) 温度上昇勾配 (b) 予備加熱 (c) 温度上昇勾配 (d) ピーク温度 (d') 本加熱 (e) 冷却 (c) (d) (e) (d') :平均 :温度 :平均 :温度 1℃/s~4℃/s 170℃~190℃, 60 s~180 s 1℃/s~4℃/s 260℃ Max 255℃ up 10 s 以内 :温度 230℃ up 40 s 以内 or 温度 225℃ up 60 s 以内 or 温度 220℃ up 80 s 以内 :自然空冷または強制空冷 (注意事項) パッケージボディ上面温度を記載 (2) JEDEC 条件: Moisture Sensitivity Level 3 (IPC/JEDEC J-STD-020D) 34 CONFIDENTIAL MB39C602_DS405-00010-2v1-J, January 31, 2014 D a t a S h e e t (3) 推奨手半田付け条件(部分加熱法) 項目 内容 開梱前 製造後 2 年以内 開梱後 ~実装までの保管期間 製造後 2 年以内 (部分加熱のため、保管期間の 吸湿管理不要) 保管期間 保管条件 5°C~30°C, 70%RH 以下(できるだけ低湿度) 実装条件 コテ先温度: Max. 400°C 時間:5 秒以内/ピン* *:パッケージボディにコテ先が触れないこと (4) 推奨半田全面ディップ条件 項目 内容 実装回数 1回 開梱前 製造後 2 年以内にご使用ください。 開梱 ~実装までの保管期間 14 日以内 開梱後の保管期間を 超えた場合 ベーキング(125°C±3°C, 24H+2H/-0H) を実施の上、14 日以内に処理願います。 ベーキングは 2 回まで可能です。 保管期間 保管条件 5°C~30°C, 70%RH 以下 (できるだけ低湿度) 実装条件 半田浴槽温度: Max. 260°C 時間:5 秒以内 January 31, 2014, MB39C602_DS405-00010-2v1-J CONFIDENTIAL 35 D a t a S h e e t パッケージ・外形寸法図 リードピッチ 1.27mm パッケージ幅× パッケージ長さ 3.9mm × 5.05mm リード形状 ガルウィング 封止方法 プラスチックモールド 取付け高さ 1.75mm MAX 質量 0.06g プラスチック・SOP, 8 ピン (FPT-8P-M02) ピン プラスチック・ (FPT-8P-M02) 注 1)* 印寸法はレジン残りを含む。 注 2)* 印寸法はレジン残りを含まず。 注 3)端子幅および端子厚さはメッキ厚を含む。 注 4)端子幅はタイバ切断残りを含まず。 +0.03 +.010 *1 5.05 +0.25 –0.20 .199 –.008 8 0.22 –0.07 +.001 .009 –.003 5 *2 3.90±0.30 6.00±0.20 (.154±.012) (.236±.008) Details of "A" part 45° 1.55±0.20 (Mounting height) (.061±.008) 0.25(.010) 0.40(.016) 1 "A" 4 1.27(.050) 0.44±0.08 (.017±.003) 0.13(.005) M 0~8° 0.50±0.20 (.020±.008) 0.60±0.15 (.024±.006) 0.15±0.10 (.006±.004) (Stand off) 0.10(.004) C 2002-2012 FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED F08004S-c-5-10 単位:mm (inches) 注意:括弧内の値は参考値です 。 最新の外形寸法図については、下記 URL にてご確認ください。 http://edevice.fujitsu.com/package/jp-search/ 36 CONFIDENTIAL MB39C602_DS405-00010-2v1-J, January 31, 2014 D a t a S h e e t 主な変更内容 ページ 場所 Revision 1.0 [December, 2012] Revision 2.0 [July, 2013] 5 - - January 31, 2014, MB39C602_DS405-00010-2v1-J CONFIDENTIAL Initial release 記号"ROTC"の最少規格値を変更 25 → 10 「■ 標準特性」を追加 「■ 応用回路例」を追加 「■ 参考データ」を追加 ■推奨動作条件 ■標準特性 8, 9 20~24 ■応用回路例 25~29 ■参考データ Revision 2.1 [January 31, 2014] - 変更箇所 社名変更および記述フォーマットの変換 37 D a t a S h e e t 免責事項 本資料に記載された製品は、通常の産業用, 一般事務用, パーソナル用, 家庭用などの一般的用途 (ただし、用 途の限定はありません) に使用されることを意図して設計・製造されています。(1) 極めて高度な安全性が要求 され、仮に当該安全性が確保されない場合、社会的に重大な影響を与えかつ直接生命・身体に対する重大な危 険性を伴う用途 (原子力施設における核反応制御, 航空機自動飛行制御, 航空交通管制, 大量輸送システムにお ける運行制御, 生命維持のための医療機器, 兵器システムにおけるミサイル発射制御等をいう) 、ならびに(2) 極めて高い信頼性が要求される用途 (海底中継器, 宇宙衛星等をいう) に使用されるよう設計・製造されたもの ではありません。上記の製品の使用法によって惹起されたいかなる請求または損害についても、Spansion は、 お客様または第三者、あるいはその両方に対して責任を一切負いません。半導体デバイスはある確率で故障が 発生します。当社半導体デバイスが故障しても、結果的に人身事故, 火災事故, 社会的な損害を生じさせないよ う、お客様において、装置の冗長設計, 延焼対策設計, 過電流防止対策設計, 誤動作防止設計などの安全設計を お願いします。本資料に記載された製品が、外国為替及び外国貿易法、米国輸出管理関連法規などの規制に基 づき規制されている製品または技術に該当する場合には、本製品の輸出に際して、同法に基づく許可が必要と なります。 商標および注記 このドキュメントは、断りなく変更される場合があります。本資料には Spansion が開発中の Spansion 製品に関 する情報が記載されている場合があります。Spansion は、それらの製品に対し、予告なしに仕様を変更したり、 開発を中止したりする権利を有します。このドキュメントに含まれる情報は、現状のまま、保証なしに提供さ れるものであり、その正確性, 完全性, 実施可能性および特定の目的に対する適合性やその市場性および他者の 権利を侵害しない事を保証するものでなく、また、明示, 黙示または法定されているあらゆる保証をするもの でもありません。Spansion は、このドキュメントに含まれる情報を使用することにより発生したいかなる損害 に対しても責任を一切負いません。 Copyright © 2012-2014 Spansion Inc. All rights reserved. 商標:Spansion®, Spansion ロゴ (図形マーク), MirrorBit®, MirrorBit® Eclipse™ , ORNAND™ 及びこれらの組合せ は、米国・日本ほか諸外国における Spansion LLC の商標です。第三者の社名・製品名等の記載はここでは情報 提供を目的として表記したものであり、各権利者の商標もしくは登録商標となっている場合があります。 38 CONFIDENTIAL MB39C602_DS405-00010-2v1-J, January 31, 2014