2sc4382 ds jp

2SC4381/4382
シリコンNPN三重拡散プレーナ型トランジスタ (2SA1667/1668 とコンプリメンタリ)
V
VCEO
150
200
V
2SC4381 2SC4382
10.1±0.2
μA
10max
ICBO
150
VCB=
V
200
μA
10max
VEBO
6
V
IEBO
VEB=6V
IC
2
A
V(BR)CEO
IC=25mA
150min
A
hFE
VCE=10V, IC=0.7A
60min
PC
25(Tc=25℃)
W
VCE(sat)
IC=0.7A, IB=0.07A
1.0max
V
Tj
150
℃
fT
VCE=12V, IE=−0.2A
15typ
MHz
−55∼+150
℃
COB
VCB=10V, f=1MHz
35typ
pF
IB
1
Tstg
1.35±0.15
1.35±0.15
RL
(Ω)
VBB2
(V)
10
1
20
20
VBB1
(V)
IC
(A)
2.4±0.2
2.2±0.2
IB1
(mA)
–5
0.85 +0.2
-0.1
0.45 +0.2
-0.1
2.54
2.54
■代表的スイッチング特性(エミッタ接地)
VCC
(V)
ø3.3±0.2
イ
ロ
V
200min
4.2±0.2
2.8 c0.5
4.0±0.2
200
0.8±0.2
150
外形図 FM20(TO220F)
単位
±0.2
2SC4381 2SC4382
VCBO
試 験 条 件
3.9
記 号
単 位
8.4±0.2
記 号
(Ta=25℃)
規格値
16.9±0.3
規 格 値
用途: TV垂直出力、オーディオ出力ドライバ、一般用
■電気的特性
(Ta=25℃)
13.0min
■絶対最大定格
B C E
1.5typ
3.0typ
V CE (sat) – I B 特 性( 代 表 例 )
I C – V BE 温 度 特 性( 代 表 例 )
3
(V C E =10V)
2
0
2
4
6
8
0
10
2
コレクタ・エミッタ間電圧 V CE (V)
10
100
h FE – I C 特性(代表 例 )
(V C E =10V)
100
12 5 ˚C
2 5 ˚C
– 3 0 ˚C
100
50
1
50
30
0.01
2
0.1
コレクタ電流 I C (A)
1
2
0.5
1
30
)
ケース温度
度)
10
100
1000
時間 t(ms)
AS O 曲 線( 単 発 パ ル ス )
(V CE =12V)
ケース温
1
コレクタ電流 I C (A)
f T – I E 特性(代 表 例 )
1.0
6
過渡熱抵抗 θ j- a ( ˚C/W)
直流電流増幅率 h F E
Typ
0.5
θ j-a – t特 性
h FE – I C 温 度 特 性( 代 表 例 )
400
0.1
0
ベース・エミッタ間電圧 V B E (V)
(V CE =10V)
直流電流増幅率 h F E
0
1000
ベース電流 I B (mA)
400
30
0.01
温度)
2A
1A
A
− 55 ˚C (
I C = 0 .5
0
2 5 ˚C (
0.4
1
1
ケース
I B =5mA/Step
0.8
2
125
1.2
˚C (
コレクタ飽和電圧 V C E (s e t ) (V)
コレクタ電流 I C (A)
1.6
コレクタ電流 I C (A)
50
m
A
2
製品質量 約2.0g
イ.品名
ロ.ロット番号
tf
(μs)
tstg
(μs)
1.0typ
–100
100
I C – V CE 特性(代 表 例 )
ton
(μs)
IB2
(mA)
P c – Ta定 格
30
5
1m
ms
s
s
20
C
5m
D
熱
板
付
放熱板なし
自然空冷
1.2SC4381
2.2SC4382
放
0.1
20
大
10
最大許容損失 P C (W)
Typ
限
コレクタ電流 I C (A )
20
無
遮断周波数 f T (MH Z )
1
10
放熱板なし
0
–0.01
–0.1
–0.5
エミッタ電流 I E (A)
102
1 2
0.01
–1
–2
1
10
100
コレクタ・エミッタ間電圧 V C E (V)
300
0
0
50
100
周囲温度 Ta( ˚C)
150
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