2sc3858 ds jp

2SC3858
シリコンNPN三重拡散プレーナ型トランジスタ (2SA1494とコンプリメンタリ)
V
ICBO
VCEO
200
V
VEBO
6
V
IC
17
A
hFE
VCE＝4V, IC＝8A
50min※
IB
5
A
VCE(sat)
IC＝10A, IB＝1A
2.5max
V
試 験 条 件
単位
VCB＝200V
100max
μA
IEBO
VEB＝6V
100max
μA
V(BR)CEO
IC＝50mA
200min
V
記 号
PC
200(Tc＝25℃)
W
fT
VCE＝12V, IE＝−1A
20typ
MHz
Tj
150
℃
COB
VCB＝10V, f＝1MHz
300typ
pF
−55∼＋150
℃
※ランク Y(50∼100), P(70∼140), G(90∼180)
24.4±0.2
IC
(A)
VBB1
(V)
VBB2
(V)
IB1
(A)
IB2
(A)
ton
(μs)
tstg
(μs)
tf
(μs)
40
4
10
10
–5
1
–1
0.5typ
1.8typ
0.6typ
10A
5A
1
2
3
0
4
0
1
コレクタ・エミッタ間電圧 V CE (V)
2
0
3
1
2
ベース・エミッタ間電圧 V B E (V)
θ j-a – t特 性
h FE – I C 温 度 特 性（ 代 表 例 ）
(V CE =4V)
300
ース温
0
ベース電流 I B (A)
h FE – I C 特性 （代表 例 ）
−30
I B =20mA
˚C （ ケ
5
I C =15A
度）
度）
ス温
ケー
1
C（
50mA
5
10
5˚
100mA
2
˚C
20 0m A
12
コレクタ電流 I C (A)
(V CE =4V)
15
A
10
0
E
17
3
300m
0
3.0 +0.3
-0.1
5.45±0.1
C
I C – V BE 温 度 特 性（ 代 表 例 ）
コレクタ電流 I C (A)
7
0.65 +0.2
-0.1
mA
500
コレクタ飽和電圧 V C E (s a t ) (V)
5A
1.
15
2
3
製品質量 約18.4g
イ．品名
ロ．ロット番号
V CE (sat) – I B 特 性 （ 代 表 例 ）
I C – V CE 特性（ 代 表 例 ）
A
ロ
B
RL
(Ω)
m
00
イ
5.45±0.1
VCC
(V)
1A
9
1.05 +0.2
-0.1
■代表的スイッチング特性（エミッタ接地）
17
2.1
2-ø3.2±0.1
25
Tstg
6.0±0.2
36.4±0.3
7
200
21.4±0.3
単 位
VCBO
記 号
外形図 MT-200
(Ta＝25℃)
規格値
4.0max
■電気的特性
(Ta＝25℃)
規 格 値
20.0min
■絶対最大定格
用途：オーディオ、一般用
(V C E =4V)
200
2
Typ
100
50
20
0.02
0.1
0.5
1
5
過渡熱抵抗 θ j- a (˚C /W)
直流電流増幅率 h F E
100
25 ˚C
– 30 ˚C
50
10
0.02
10 17
コレクタ電流 I C (A)
0.1
0.5
10 17
1
10
m
Typ
160
s
付
10
板
エミッタ電流 I E (A)
2
80
40
0.1
–10
熱
放熱板なし
自然空冷
120
放
0.5
大
1
限
5
無
コレクタ電流 I C (A)
s
C
3
10 ms
m
s
0m
10
10
2000
P c – Ta定 格
10
D
20
1000
200
20
–1
100
時間 t(ms)
50
30
–0.1
0.1
AS O 曲 線（ 単 発 パ ル ス ）
(V CE =12V)
遮断周波数 f T (MH Z )
5
0.5
コレクタ電流 I C (A)
f T – I E 特性 （代表 例 ）
0
–0.02
1
1
最大許容損失 P C (W)
直流電流増幅率 h FE
125 ˚C
100
コレクタ・エミッタ間電圧 V C E (V)
300
5
0
放熱板なし
0
25
50
75
100
125
150
周囲温度 Ta( ˚C)
81