2SC5071 シリコンNPN三重拡散プレーナ型トランジスタ (高耐圧・高速スイッチングトランジスタ) VCEO 400 V VEBO 10 V 12(パルス24) A hFE IC VCB＝500V 100max μA IEBO VEB＝10V 100max μA V(BR)CEO IC＝25mA 400min V VCE＝4V, IC＝7A 10∼30 A VCE(sat) IC＝7A, IB＝1.4A 0.5max 100(Tc＝25℃) W VBE(sat) IC＝7A, IB＝1.4A 1.3max V Tj 150 ℃ fT VCE＝12V, IE＝−1A 10typ MHz −55∼＋150 ℃ COB VCB＝10V, f＝1MHz 105typ pF 4 Tstg RL (Ω) IC (A) VBB1 (V) VBB2 (V) IB1 (A) IB2 (A) ton (μs) tstg (μs) tf (μs) 200 28.5 7 10 –5 0.7 –1.4 1.0max 3.0max 0.5max 1.05 +0.2 -0.1 0.65 +0.2 -0.1 5.45±0.1 C 1.4 E 製品質量 約6.0g イ．品名 ロ．ロット番号 V CE (sat),V BE (sat) – I C 温度特性(代表例) I C – V BE 温 度 特 性（ 代 表 例 ） (I C /I B =5) 12 (V CE =4V) 12 1 2 3 0 0.02 4 0.05 0.1 コレクタ・エミッタ間電圧 V CE (V) スィッチング時間 t on• t st g• t f ( µs ) 40 直流電流増幅率 h FE 125 ˚C 25 ˚C – 30 ˚C 10 0.1 0.5 コレクタ電流 I C (A) 5 1 5 10 12 1 0.5 tf 度） 度） ス温 ス温 ˚C（ –55 0.5 t on 0.1 0.5 1 5 10 12 0.3 1 10 100 1000 時間 t(ms) P c – Ta定 格 100 10 50 100 コレクタ・エミッタ間電圧 V C E (V) 500 50 3.5 0 付 0.1 5 放熱板なし 自然空冷 L=3mH I B 2 =1.0A Duty 1％以下 板 500 0.5 熱 放熱板なし 自然空冷 1 放 1 大 コレクタ電流 I C (A ) 5 限 5 無 10 最大許容損失 P C (W) s 10 コレクタ・エミッタ間電圧 V CE (V) ケー ） 度 温 ス 1 30 100 1.0 θ j-a – t特 性 逆バイアスASO曲線 0µ ˚C（ 0.5 コレクタ電流 I C (A) 10 50 0 ベース・エミッタ間電圧 V B E (V) t s tg V CC 200V I C :I B1 :I B2 =10:1: – 2 30 10 ー ケ 0 10 3 ASO 曲線（単発 パ ル ス ） 0.5 C（ 2 ˚C 25 5 ケー 温度 1 5 5 コレクタ電流 I C (A) 0.1 5 C − 0.5 4 t on •t stg • t f – I C 特 性（ 代 表 例 ） (V CE =4V) 0.05 5˚ 6 コレクタ電流 I C (A) h FE – I C 温度特性（ 代 表 例 ） 8 0.02 12 V C E (sat) 過渡熱抵抗 θ j - a (˚C /W) 0 度） ース温 5˚ 2 ˚C （ ケ 度） 8 12 I B =100mA 125 ケース温 ス 200mA 4 2 5 ˚C （ ス温 度） ˚C 6 −5 5˚ C（ ケー ー 400m A 1 5 8 10 V B E (sat) ケ 60 0m A 2 80 0m A 10 （ コレクタ・エミッタ飽和電圧 V C E (sat) (V) ベース・エミッタ飽和電圧 V B E (sat) (V) 1A コレクタ電流 I C (A) 2 3 B VCC (V) コレクタ電流 I C (A ) ø3.2±0.1 5.45±0.1 I C – V CE 特性（代表 例 ） 2.0±0.1 V ■代表的スイッチング特性（エミッタ接地） 0 イ 4.8±0.2 ロ PC IB 15.6±0.4 9.6 1.8 ICBO 5.0±0.2 V 単位 2.0 500 規格値 19.9±0.3 VCBO 外形図 MT-100(T03P) (Ta＝25℃) 試 験 条 件 記 号 4.0max 単 位 4.0 ■電気的特性 (Ta＝25℃) 規 格 値 記 号 20.0min ■絶対最大定格 用途： スイッチングレギュレータ、一般用 放熱板なし 0 25 50 75 100 125 150 周囲温度 Ta( ˚C) 125