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シリコン NPN エピタキシャルプレーナ型トランジスタ
2SC6145
2008 年 10 月
◆パッケージ
◆特長
●LAPT(高周波用マルチエミッタトランジスタ)
パッケージ名:MT-100 (TO3P)
●チップの薄厚化により、内部インピーダンスを低減
●2SA2223 とコンプリメンタリ
◆アプリケーション
●オーディオ 出力
◆内部等価回路図
C(2)
B(1)
E(3)
絶対最大定格
(Ta=25℃)
項目
記号
定格
単位
コ レ ク タ ・ ベ ー ス 電 圧
VCBO
230
V
コ レ ク タ ・ エ ミ ッ タ 電 圧
VCEO
230
V
エ ミ ッ タ ・ ベ ー ス 電 圧
VEBO
5
V
流
IC
15
A
流
IB
4
A
失
PC
160 (Tc=25℃)
W
度
Tj
150
℃
度
Tstg
-55~150
℃
コ
ベ
レ
ー
許
接
保
ク
タ
ス
容
合
電
損
部
存
電
温
温
サンケン電気株式会社
http://www.sanken-ele.co.jp
T01-005JA-081027
シリコン NPN エピタキシャルプレーナ型トランジスタ
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電気的特性
(Ta=25℃)
項目
記号
規格
条件
MIN
TYP
単位
MAX
最大コレクタ遮断電流
ICBO
VCB=230V
10
μA
最大エミッタ遮断電流
IEBO
VEB=5V
10
μA
コレクタ・エミッタ電圧
VCEO
IC=25mA
230
hFE *
VCE=4V, IC=5A
40
コレクタ・エミッタ飽和電圧
VCE(sat)
IC=5A, IB=0.5A
遮断周波数
fT
VCE=12V,IE=-2A
60
MHz
コレクタ接合容量
Cob
VCB=10V,IE=0A
f=1MHz
250
pF
直流電流増幅率
V
140
0.5
V
* hFE ランク :40~80(R),50~100(O),70~140(Y)
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Characteristic Curves
(Tc=25℃)
IC-VCE Curve
VCE(sat) - IB Curve
3
10
2
IC [A]
VCE(sat) [V]
15
1
5
0
0
0
1
2
3
0
4
0.5
1
2
hFE - IC Temperature Curve
IC - VBE Temperature Curve
(VCE=4V )
15
(VCE=4V )
1000
100
hFE
IC [A]
10
10
5
1
0.01
0
0
0.5
1
1.5
2
0.1
1
10
100
IC [A]
VBE [V]
A.S.O. Curve
fT - IE Curve
(VCE=12V )
80
100
10
IC [A]
60
fT [MHz]
1.5
IB [A]
VCE [V]
40
1
0.1
20
Test Condition
Single pulse
Without Heatsink
Natural cooling
Ta=25C
0
0.01
0.01
0.1
1
10
100
1
10
100
1000
VCE [V]
-IE [A]
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Characteristic Curves
(Tc=25℃)
Pc-Ta Curve
θj-a - t
200
10.00
150
PC [W]
θj-a [C/W]
1.00
100
0.10
50
3.5
0
0.01
1
10
100
1000
0
25
t [ms]
50
75
100
125
150
Ta [C]
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外形図
MT-100 (TO3P)
4.8 ± 0.2
2 ± 0.1
+0.2
1.7 -0.3
(根元寸法)
2.15
3.15
1.05
5.45
± 0.1
5.45
(根元寸法)
+0.2
-0.1
+0.2
-0.1
+0.2
-0.1
(20.5)
3.9
14.9
± 0.3
Φ 3.2 ± 0.1
± 0.3
± 0.3
19.9
15.6
0.65
± 0.1
+0.2
-0.1
(根元寸法)
15.8
± 0.3
0.7
0.7
平面状態図
1
2
0.7
0.7
側面状態図
3
質量 約 6.0g
サンケン電気株式会社
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お問い合わせ先
●東京事務所
〒171-0021 東京都豊島区西池袋1-11-1(メトロポリタンプラザビル)
TEL:03-3986-6166
●大阪支店
〒530-0057 大阪市北区曽根崎2-12-7(梅田第一ビル)
TEL:06-6312-8716
●名古屋営業所
〒450-0002 名古屋市中村区名駅4-26-22(名駅ビル)
TEL:052-581-2767
●九州営業所
〒812-0011 福岡市博多区博多駅前2-2-1(福岡センタービル)
TEL:092-411-5871
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ご注意
・本資料に記載されている内容は、改良などにより予告なく変更することがあります。ご使用の際には、
最新の情報であることをご確認ください。
・本資料に記載されている動作例及び回路例は、使用上の参考として示したもので、これらに起因する当
社もしくは第三者の工業所有権、知的所有権、その他の権利の侵害問題について当社は一切責任を負い
ません。
・本資料に記載されている製品をご使用の場合は、これらの製品と目的物との組み合わせについて使用者
の責任に於いて検討・判断を行ってください。
当社は品質、信頼性の向上に努めていますが、半導体製品では、ある確率での欠陥、故障の発生は避け
られません。部品の故障により結果として、人身事故、火災事故、社会的な損害等を発生させないよう、
使用者の責任に於いて、装置やシステム上で十分な安全設計および確認を行ってください。
・本資料に記載されている製品は、一般電子機器(家電製品、事務機器、通信端末機器、計測機器など)
に使用されることを意図しております。ご使用の場合は、納入仕様書の締結をお願いします。
高い信頼性が要求される装置(輸送機器とその制御装置、交通信号制御装置、防災・防犯装置、各種安
全装置など)への使用をご検討の際には、必ず当社販売窓口へご相談及び納入仕様書の締結をお願いし
ます。
極めて高い信頼性が要求される装置(航空宇宙機器、原子力制御、生命維持のための医療機器など)に
は、当社の文書による合意がない限り使用しないでください。
・本資料に記載された製品は耐放射線設計をしておりません。
・本資料に記載された内容を文書による当社の承諾無しに転記複製を禁じます。
・ 本資料に記載されている製品(または技術)を国際的な平和及び安全の維持の妨げとなる使用目的を
有する者に再提供したり、また、そのような目的に自ら使用したり第三者に使用させたりしないよう
にお願いします。
尚、輸出等される場合は外為法のさだめるところに従い必要な手続きをおとりください。
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