elm33405ca

单 P 沟道 MOSFET
ELM33405CA-S
■概要
■特点
ELM33405CA-S 是 P 沟道低输入电容,低工作电压,
低导通电阻的大电流 MOSFET。
·Vds=-30V
·Id=-2A
·Rds(on) < 150mΩ (Vgs=-10V)
·Rds(on) < 250mΩ (Vgs=-4.5V)
■绝对最大额定值
项目
记号
Vds
Vgs
漏极 - 源极电压
栅极 - 源极电压
Ta=25℃
Ta=70℃
漏极电流(定常)
-2.0
-1.4
Id
漏极电流(脉冲)
Idm
Tc=25℃
容许功耗
Pd
Tc=70℃
结合部温度及保存温度范围
如没有特别注明时, Ta=25℃
规格范围
单位
备注
-30
V
±20
V
A
-10
1.25
A
W
0.80
Tj, Tstg
3
-55 ~ 150
℃
■热特性
项目
最大结合部 - 环境热阻
记号
Rθja
稳定状态
■引脚配置图
典型值
最大值
166
备注
■电路图
D
SOT-23(俯视图)
3
1
单位
℃/W
2
引脚编号
引脚名称
1
2
GATE
SOURCE
3
DRAIN
G
S
4- 1
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
单 P 沟道 MOSFET
ELM33405CA-S
■电特性
项目
记号
条件
如没有特别注明时, Ta=25℃
最小值 典型值 最大值 单位 备注
静态特性
漏极 - 源极击穿电压
BVdss Vgs=0V, Id=-250μA
栅极接地时漏极电流
Idss
栅极漏电电流
Igss
-30
V
Vds=-24V, Vgs=0V
-1
Vds=-20V, Vgs=0V, Ta=125℃
-10
Vds=0V, Vgs=±20V
栅极阈值电压
导通时漏极电流
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA
Id(on) Vgs=-10V, Vds=-5V
漏极 - 源极导通电阻
Rds(on)
-1.0
-5
Vgs=-10V, Id=-2A
Vgs=-4.5V, Id=-1A
Vds=-5V, Id=-2A
-1.5
100
180
16
μA
±100
nA
-2.5
V
A
1
mΩ
1
S
1
-1.2
-1.6
V
A
1
-3
A
3
150
250
正向跨导
Gfs
二极管正向压降
寄生二极管最大连续电流
Vsd
Is
二极管脉冲电流
Ism
动态特性
输入电容
输出电容
Ciss
Coss Vgs=0V, Vds=-15V, f=1MHz
410
220
pF
pF
Crss
85
pF
Qg
5.80
反馈电容
开关特性
总栅极电荷
栅极 - 源极电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
导通上升时间
关闭延迟时间
关闭下降时间
Qgs
Qgd
Is=-1A, Vgs=0V
Vgs=-10V, Vds=-15V, Id=-2A
td(on)
tr
Vgs=-10V, Vds=-15V
td(off) Id=-1A, Rgen=6Ω
tf
备注:
1.脉冲测试∶脉冲宽度≤300μ秒,
占空比≤2%。
2. 独立于工作温度。
3. 脉冲宽度受最大结合部温度的限制。
4. 占空比≤1%。
4- 2
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
10.00
nC
2
0.85
1.70
nC
nC
2
2
13
36
42
ns
ns
ns
2
2
2
34
ns
2
NIKO-SEM
单 P 沟道 MOSFET
P-Channel Logic
Level Enhancement
ELM33405CA-S
Mode Field Effect Transistor
■标准特性和热特性曲线
4- 3
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
PA503EMG
SOT-23
Lead-Free
NIKO-SEM
P-Channel Logic Level Enhancement
单 P 沟道 MOSFET
Mode Field Effect Transistor
ELM33405CA-S
4- 4
如需确认语言的准确性 , 请参考 4ELM 的英文版或日文版。
PA503EMG
SOT-23
Lead-Free
Mar-22-2006
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