elm17401fa

单 P 沟道 MOSFET
ELM17401FA-S
■概要
■特点
ELM17401FA-S 是 P 沟道低输入电容,低工作电
·Vds=-30V
压,低导通电阻的大电流 MOSFET。
·Id=-1.2A (Vgs=-10V)
·Rds(on) < 150mΩ (Vgs=-10V)
·Rds(on) < 200mΩ (Vgs=-4.5V)
·Rds(on) < 280mΩ (Vgs=-2.5V)
■绝对最大额定值
项目
如没有特别注明时, Ta=25℃
规格范围
单位
备注
记号
漏极 - 源极电压
Vds
Vgs
栅极 - 源极电压
Ta=25℃
漏极电流(定常)
-30
±12
-1.2
Id
Ta=70℃
漏极电流(脉冲)
-1.0
-10
Idm
Tc=25℃
容许功耗
Pd
Tc=70℃
结合部温度及保存温度范围
Tj, Tstg
V
V
0.35
0.22
- 55 ~ 150
A
1
A
2
W
1
℃
■热特性
项目
最大结合部 - 环境热阻
记号
最大结合部 - 环境热阻
最大结合部 - 引脚架热阻
t≦10s
稳定状态
Rθja
稳定状态
Rθjl
典型值
300
350
最大值
360
425
单位
℃/W
℃/W
备注
280
320
℃/W
3
■引脚配置图
■电路图
D
SC-70(俯视图)
3
1
1
2
引脚编号
1
引脚名称
GATE
2
3
SOURCE
DRAIN
G
S
4-1
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
单 P 沟道 MOSFET
ELM17401FA-S
■电特性
项目
记号
如没有特别注明时, Ta=25℃
最小值 典型值 最大值 单位
条件
静态特性
漏极 - 源极击穿电压
BVdss Id=-250μA, Vgs=0V
栅极接地时漏极电流
Idss
Vds=-24V
Vgs=0V
栅极漏电电流
Igss
Vds=0V, Vgs=±12V
栅极阈值电压
导通时漏极电流
漏极 - 源极导通电阻
-1
Ta=55℃
-1.4
V
A
Vgs=-10V
Id=-1.2A
Ta=125℃
Vgs=-4.5V, Id=-1.2A
122
173
147
150
220
200
207
4.5
280
Gfs
二极管正向压降
Vsd
Is=-1A, Vgs=0V
Ciss
输出电容
反馈电容
栅极电阻
Coss
Crss
Rg
-0.6
-10
3.0
Vgs=0V, Vds=-15V, f=1MHz
Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz
Vgs=-4.5V, Vds=-15V
mΩ
S
-0.85 -1.00
V
-0.5
A
Is
Qg
μA
-1.0
正向跨导
寄生二极管最大连续电流
动态特性
输入电容
-5
nA
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA
Id(on) Vgs=-4.5V, Vds=-5V
Rds(on)
V
±100
Vgs=-2.5V, Id=-1A
Vds=-5V, Id=-1.2A
开关特性
总栅极电荷
栅极 - 源极电荷
-30
409
pF
55
42
12
pF
pF
Ω
5.06
nC
0.72
1.58
6.2
nC
nC
ns
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
Qgs
Qgd
td(on)
导通上升时间
关闭延迟时间
关闭下降时间
tr
td(off)
tf
Vgs=-10V, Vds=-15V
RL=15Ω, Rgen=3Ω
3.2
41.2
14.5
ns
ns
ns
寄生二极管反向恢复时间
trr
If=-1A, dlf/dt=100A/μs
13.2
ns
寄生二极管反向恢复电荷
Qrr
If=-1A, dlf/dt=100A/μs
5.4
nC
Id=-1A
备注:
1.Rθja 值是在 Ta=25℃、使用设置于 2 盎司 FR-4 履铜板上的装置测试所得到的结果。此外,实际阻值还受到
电路板设计的影响,并且电流定格依存于 t ≤ 10s 时的热阻定格值。
2. 重复速率和脉冲宽度受结合部温度的控制。
3. Rθja 是结合部 - 引脚架热阻与结合部 - 环境热阻的和。
4. 标准特性图 1 ~ 6 是在脉冲为 80μs、最大占空比为 0.5% 的条件下得到的。
5. 参数是在 Ta=25℃,将 IC 设置于 2 盎司 FR-4 履铜板的测试结果。SOA 曲线决定脉冲的定格。
4-2
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
单 P 沟道 MOSFET
ELM17401FA-S
■标准特性和热特性曲线
10
10
-5V -4V
Vgs=-3.5V
-10V
8
25°C
Vds=-5V
8
6
-Id (A)
-Id (A)
-3V
-2.5V
4
2
6
125°C
4
2
-2.0V
0
0
0
1
2
3
4
5
0
0.5
1.5
2
2.5
3
3.5
4
1.8
250
Normalized On-Resistance
Rds(on) (m� )
300
Vgs=-2.5V
200
Vgs=-4.5V
150
Vgs=-10V
100
0
1
2
3
4
1.6
Vgs=-10V
Vgs=-4.5V
1.4
Vgs=-2.5V
1.2
1
Id=-1A
0.8
5
6
0
25
-Id (A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
50
75
100
125
150
175
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction
Temperature
350
1.0E+01
Id=-1A
300
1.0E+00
1.0E-01
250
125°C
-Is (A)
Rds(on) (m� )
1
-Vgs (Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics
-Vds (Volts)
Fig 1: On-Region Characteristics
200
150
125°C
1.0E-02
1.0E-03
25°C
1.0E-04
25°C
100
1.0E-05
1.0E-06
50
0
2
4
6
8
0.0
10
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
-Vsd (Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics
-Vgs (Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
4-3
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1.4
单 P 沟道 MOSFET
ELM17401FA-S
5
500
Capacitance (pF)
4
-Vgs (Volts)
600
Vds=-15V
Id=-1A
3
2
1
Ciss
400
300
200
Coss
0
0
1
2
3
4
0
5
0
-Qg (nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
100.00
100�s
Power (W)
10ms
25
30
Tj(max)=150°C
Ta=25°C
8
6
4
1s
10s
2
DC
0
0.001
0.01
1
10
100
-Vds (Volts)
D=Ton/T
Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja
R�ja=360°C/W
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5)
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note 5)
Z�ja Normalized Transient
Thermal Resistance
20
10
10�s
1ms
0.1s
10
15
12
1.00
0.1
10
14
Rds(on)
limited
0.10
5
-Vds (Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
Tj(max)=150°C
Ta=25°C
10.00
-Id (Amps)
Crss
100
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
1
Pd
0.1
Ton
Single Pulse
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
T
10
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
4-4
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100
1000
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