elm17401fa

シングル P チャンネル MOSFET
ELM17401FA-S
■概要
■特長
ELM17401FA-S は低入力容量、 低電圧駆動、 低
・ Vds=-30V
ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。
・ Id=-1.2A (Vgs=-10V)
・ Rds(on) < 150mΩ (Vgs=-10V)
・ Rds(on) < 200mΩ (Vgs=-4.5V)
・ Rds(on) < 280mΩ (Vgs=-2.5V)
■絶対最大定格値
項目
ドレイン - ソース電圧
ゲート - ソース電圧
Ta=25℃
Ta=70℃
連続ドレイン電流
記号
Vds
規格値
-30
Vgs
±12
Id
パルス ・ ドレイン電流
Idm
Tc=25℃
Tc=70℃
最大許容損失
Pd
接合温度範囲及び保存温度範囲
Tj, Tstg
特に指定なき場合、Ta=25℃
単位
備考
V
V
-1.2
-1.0
-10
0.35
0.22
-55 ～ 150
A
1
A
2
W
1
℃
■熱特性
項目
最大接合部 - 周囲温度
最大接合部 - 周囲温度
最大接合部 - リード
記号
t<10s
定常状態
定常状態
Rθja
Rθjl
■端子配列図
Typ.
300
Max.
360
単位
℃/W
350
280
425
320
℃/W
℃/W
備考
1
3
■回路
�
SC-70(TOP VIEW)
端子番号
1
端子記号
GATE
2
3
SOURCE
DRAIN
�
�
4-1
シングル P チャンネル MOSFET
ELM17401FA-S
■電気的特性
項目
記号
特に指定なき場合、 Ta=25℃
Min. Typ. Max. 単位
条件
静的特性
ドレイン - ソース降伏電圧
BVdss Id=-250μA, Vgs=0V
ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流
Idss
Vds=-24V
Vgs=0V
ゲート漏れ電流
Igss
Vds=0V, Vgs=±12V
-30
-1
-5
Ta=55℃
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA
-0.6
オン状態ドレイン電流
Id(on) Vgs=-4.5V, Vds=-5V
-10
ドレイン - ソースオン状態抵抗
Rds(on)
順方向相互コンダクタンス
Gfs
ダイオード順方向電圧
最大寄生ダイオード連続電流
動的特性
Vsd
Is
入力容量
Ciss
出力容量
帰還容量
ゲート抵抗
Coss
Crss
Rg
スイッチング特性
総ゲート電荷
ゲート - ソース電荷
Qg
Qgs
Ta=125℃
Vgs=-4.5V, Id=-1.2A
Vgs=-2.5V, Id=-1A
Vds=-5V, Id=-1.2A
Is=-1A, Vgs=0V
Vgs=0V, Vds=-15V, f=1MHz
Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz
Vgs=-4.5V, Vds=-15V
Id=-1A
μA
±100 nA
ゲート ・ スレッシュホールド電圧
Vgs=-10V
Id=-1.2A
V
3.0
-1.0
-1.4
V
A
122
173
150
220
147
207
4.5
200
280
-0.85 -1.00
-0.5
mΩ
S
V
A
409
pF
55
42
12
pF
pF
Ω
5.06
0.72
nC
nC
ゲート - ドレイン電荷
ターン ・ オン遅延時間
ターン ・ オン立ち上がり時間
Qgd
td(on)
tr
Vgs=-10V, Vds=-15V
1.58
6.2
3.2
nC
ns
ns
ターン ・ オフ遅延時間
ターン ・ オフ立ち下がり時間
寄生ダイオード逆回復時間
td(off) RL=15Ω, Rgen=3Ω
tf
trr
If=-1A, dIf/dt=100A/μs
41.2
14.5
13.2
ns
ns
ns
5.4
nC
寄生ダイオード逆回復電荷量
Qrr
If=-1A, dIf/dt=100A/μs
備考 :
1. Rθja の値は Ta＝25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。 ま
たアプリケーションに付与される値は使用者のボードデザインに依存し、 電流定格は t≦10sの熱抵抗定格に基
づいています。
2. 接合部温度は反復定格及びパルス幅を制限します。
3. Rθja は接合部 - リード間と接合部 - 周囲間の温度インピーダンスの合計です。
4. 標準特性図 1 ～ 6 は 80μsパルス・デューティー比最大0.5％条件下で得られます。
5. これらの値はTa＝25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。
SOA のグラフはパルス定格を規定しています。
4-2
シングル P チャンネル MOSFET
ELM17401FA-S
■標準特性と熱特性曲線
10
10
-5V -4V
Vgs=-3.5V
-10V
8
25°C
Vds=-5V
8
6
-Id (A)
-Id (A)
-3V
-2.5V
4
2
6
125°C
4
2
-2.0V
0
0
0
1
2
3
4
5
0
0.5
1.5
2
2.5
3
3.5
4
1.8
250
Normalized On-Resistance
Rds(on) (m� )
300
Vgs=-2.5V
200
Vgs=-4.5V
150
Vgs=-10V
100
0
1
2
3
4
1.6
Vgs=-10V
Vgs=-4.5V
1.4
Vgs=-2.5V
1.2
1
Id=-1A
0.8
5
6
0
25
-Id (A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
50
75
100
125
150
175
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction
Temperature
350
1.0E+01
Id=-1A
300
1.0E+00
1.0E-01
250
125°C
-Is (A)
Rds(on) (m� )
1
-Vgs (Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics
-Vds (Volts)
Fig 1: On-Region Characteristics
200
150
125°C
1.0E-02
1.0E-03
25°C
1.0E-04
25°C
100
1.0E-05
1.0E-06
50
0
2
4
6
8
10
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
-Vsd (Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics
-Vgs (Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
4-3
1.4
シングル P チャンネル MOSFET
ELM17401FA-S
5
500
Capacitance (pF)
4
-Vgs (Volts)
600
Vds=-15V
Id=-1A
3
2
1
Ciss
400
300
200
Coss
0
0
1
2
3
4
0
5
0
-Qg (nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
100.00
100�s
Power (W)
10ms
25
30
Tj(max)=150°C
Ta=25°C
8
6
4
1s
10s
2
DC
0
0.001
0.01
1
10
100
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note 5)
D=Ton/T
Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja
R�ja=360°C/W
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5)
-Vds (Volts)
Z�ja Normalized Transient
Thermal Resistance
20
10
10�s
1ms
0.1s
10
15
12
1.00
0.1
10
14
Rds(on)
limited
0.10
5
-Vds (Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
Tj(max)=150°C
Ta=25°C
10.00
-Id (Amps)
Crss
100
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
1
Pd
0.1
Ton
Single Pulse
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
T
10
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
4-4
100
1000