s10140-1007 etc kmpd1094j

CCDエリアイメージセンサ
S10140/S10141シリーズ
低読み出しノイズ、高解像度 (画素サイズ: 12 μm)
S10140/S10141シリーズは、微弱光検出用に開発された裏面入射型FFT-CCDエリアイメージセンサです。ビニング動作を行
うことにより、受光面の高さ方向に長いリニアイメージセンサとして使用できるため、分光光度計の検出器に適しています。
ビニング動作は、外部回路で信号をデジタル的に加算する従来の方法と比べると、S/Nや信号処理速度において非常に優れて
います。S10140/S10141シリーズは、低ノイズ・低暗電流 (MPPモード動作)を特長としていますので、微弱光レベルでも
信号蓄積時間を長くすることができ、広いダイナミックレンジを達成しています。
S10140/S10141シリーズの有効画素サイズは12 × 12 μmで、受光面サイズは12.288 (H) × 1.464 (V) mm2 (1024 × 122画素)
から24.576 (H) × 6.072 (V) mm2 (2048 × 506画素)まで用意されています。
特長
用途
低読み出しノイズ: 4 e- rms typ.
蛍光分光測光、ICP
工業製品の検査
高解像度: 画素サイズ 12 × 12 μm
常温型: S10140シリーズ
1段電子冷却型: S10141シリーズ
半導体検査
ライン/ピクセルビニング、エリアスキャンが可能
DNAシーケンサ
微弱光検出
量子効率: ピーク時90%以上
ラマン分光
広い感度波長範囲
広いダイナミックレンジ
MPP動作
紫外感度が高く、紫外線照射に対して特性が安定
S7030/S7031シリーズとピンコンパチブル
セレクションガイド
型名
S10140-1007
S10140-1008
S10140-1009
S10140-1107
S10140-1108
S10140-1109
S10141-1007S
S10141-1008S
S10141-1009S
S10141-1107S
S10141-1108S
S10141-1109S
冷却
非冷却
1 段電子冷却
全画素数
有効画素数
1044 × 128
1044 × 256
1044 × 512
2068 × 128
2068 × 256
2068 × 512
1044 × 128
1044 × 256
1044 × 512
2068 × 128
2068 × 256
2068 × 512
1024 × 122
1024 × 250
1024 × 506
2048 × 122
2048 × 250
2048 × 506
1024 × 122
1024 × 250
1024 × 506
2048 × 122
2048 × 250
2048 × 506
イメージサイズ
mm (H) × mm (V)
12.288 × 1.464
12.288 × 3.000
12.288 × 6.072
24.576 × 1.464
24.576 × 3.000
24.576 × 6.072
12.288 × 1.464
12.288 × 3.000
12.288 × 6.072
24.576 × 1.464
24.576 × 3.000
24.576 × 6.072
適合マルチチャンネル
検出器ヘッド
C10150
C10151
注) 2段電子冷却型 (S10142 シリーズ)も対応が可能です (受注生産品)。
浜松ホトニクス株式会社
1
S10140/S10141シリーズ
CCDエリアイメージセンサ
構成
S10140シリーズ
項目
画素サイズ (H × V)
垂直クロック
水平クロック
出力回路
パッケージ
窓材*1
S10141シリーズ
12 × 12 μm
2相
2相
1 段 MOSFET ソースフォロア
24 ピン セラミック DIP ( 外形寸法図を参照 )
石英ガラス*2
反射防止コーティングサファイア*3
*1: 仮付け窓タイプ (例: S10140-1107N)も対応が可能です。
*2: 樹脂封止
*3: 気密封止
絶対最大定格 (Ta=25 °C)
項目
動作温度*4
保存温度
出力トランジスタドレイン電圧
リセットドレイン電圧
垂直入力ソース電圧
水平入力ソース電圧
垂直入力ゲート電圧
水平入力ゲート電圧
サミングゲート電圧
出力ゲート電圧
リセットゲート電圧
トランスファーゲート電圧
垂直シフトレジスタクロック電圧
水平シフトレジスタクロック電圧
記号
Topr
Tstg
VOD
VRD
VISV
VISH
VIG1V, VIG2V
VIG1H, VIG2H
VSG
VOG
VRG
VTG
VP1V, VP2V
VP1H, VP2H
Min.
-50
-50
-0.5
-0.5
-0.5
-0.5
-10
-10
-10
-10
-10
-10
-10
-10
Typ.
-
Max.
+50
+70
+30
+18
+18
+18
+15
+15
+15
+15
+15
+15
+15
+15
単位
°C
°C
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
注 ) 絶対最大定格を一瞬でも超えると、製品の品質を損なう恐れがあります。必ず絶対最大定格の範囲内で使用してください。
*4: パッケージ温度 (S10140 シリーズ )、チップ温度 (S10141 シリーズ )
動作条件 (MPPモード, Ta=25 °C)
項目
出力トランジスタドレイン電圧
リセットドレイン電圧
出力ゲート電圧
基板電圧
垂直入力ソース
水平入力ソース
テストポイント
垂直入力ゲート
水平入力ゲート
High
垂直シフトレジスタクロック電圧
Low
High
水平シフトレジスタクロック電圧
Low
High
サミングゲート電圧
Low
High
リセットゲート電圧
Low
High
トランスファーゲート電圧
Low
外部負荷抵抗
記号
VOD
VRD
VOG
VSS
VISV
VISH
VIG1V, VIG2V
VIG1H, VIG2H
VP1VH, VP2VH
VP1VL, VP2VL
VP1HH, VP2HH
VP1HL, VP2HL
VSGH
VSGL
VRGH
VRGL
VTGH
VTGL
RL
Min.
23
11
2.5
-9
-9
2.5
-9
4
-9
4
-9
4
-9
2.5
-9
90
Typ.
24
12
3
0
VRD
VRD
-8
-8
3
-8
5
-8
5
-8
5
-8
3
-8
100
Max.
25
13
3.5
3.5
-7
6
-7
6
-7
6
-7
3.5
-7
110
単位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
kΩ
2
S10140/S10141シリーズ
CCDエリアイメージセンサ
電気的特性 (Ta=25 °C)
項目
記号
fc
信号出力周波数
S1014*-1007
垂 直 シ フ ト レ ジ ス タ S1014*-1008/-1107
容量
S1014*-1108/-1009
S1014*-1109
水 平 シ フ ト レ ジ ス タ S1014*-1007/-1008/-1009
容量
S1014*-1107/-1108/-1109
サミングゲート容量
リセットゲート容量
トランスファーゲー S1014*-1007/-1008/-1009
ト容量
S1014*-1107/-1108/-1109
電荷転送効率*5
DC出力レベル*6
出力インピーダンス*6
消費電力*6 *7
CP1V, CP2V
CP1H, CP2H
CSG
CRG
CTG
CTE
Vout
Zo
P
Min.
0.99995
16
-
Typ.
250
800
1600
3200
6400
80
150
30
30
50
70
0.99999
17
8
4
Max.
500
18
-
単位
kHz
Min.
45
120
150
4
30000
15000
-
Typ.
Fw × Sv
60
150
200
5
30
3
4
37500
18500
±3
200 ~ 1100
-
Max.
6
300
30
18
±10
0
10
3
0
単位
V
pF
pF
pF
pF
pF
V
kΩ
mW
*5: 飽和出力の半分のときに測定した、1画素当たりの転送効率
*6: 負荷抵抗により変わります (VOD=24 V、負荷抵抗=100 kΩ)。
*7: オンチップアンプと負荷抵抗を合わせた消費電力
電気的および光学的特性 (指定のない場合は Ta=25 °C)
項目
記号
Vsat
飽和出力電圧
飽和電荷量
垂直
水平
サミング
CCD変換効率
暗電流*8
MPPモード
読み出しノイズ*9
25 °C
0 °C
ダイナミックレンジ*10
ラインビニング
エリアスキャン
感度不均一性*
感度波長範囲
Fw
Sv
DS
Nr
11
PRNU
λ
ポイント欠陥*12
キズ
DR
白キズ
黒キズ
クラスタ欠陥*13
コラム欠陥*14
-
keμV/ee-/pixel/s
e- rms
%
nm
-
*8: 暗電流は温度が5~7 ºC上昇すると約2倍になります。
*9: 動作周波数20 kHz、温度 -50 ºC
*10: ダイナミックレンジ = 飽和電荷量/読み出しノイズ
*11: LED光 (ピーク波長: 560 nm)を用いて、飽和出力の半分のときに測定
ۜഽະ޳֚଻ =
ࡥ೰ΩΗȜϋΦͼΒ (peak to peak)
૞࣢
× 100 [%]
*12: 白キズ
冷却温度0 ºCで1秒間蓄積したときに、暗電流が1 ke-を超える画素
黒キズ
平均出力画素に比べて感度が半分以下の画素 (測定条件: 飽和電荷量の1/2の出力になる均一光)
*13: 2~9個の連続した画像欠陥
*14: 10個以上の連続した画像欠陥
3
S10140/S10141シリーズ
CCDエリアイメージセンサ
分光感度特性 (窓なし時)*15
(Typ. Ta=25 °C)
100
90
ၔ࿂වৣ߿
S10140/S10141
ΏςȜΒ
80
ၾঊ࢘ၚ (%)
70
60
50
40
30
20
ນ࿂වৣ߿
ĩUV΋ȜΠĪ
ນ࿂වৣ߿
10
0
200
400
600
800
1000
1200
෨ಿ (nm)
KMPDB0254JB
*15: 石英ガラスまたは反射防止コーティングサファイアの透過率特性により分光感度は低下します。
窓材の分光透過特性
暗電流ー温度
(Typ. Ta=25 °C)
100
(Typ.)
100
90
80
10
൫ًၚ (%)
70
ճഩၠ (e-/pixel/s)
୞‫΄ם‬ρΑௗ
฽ৣཡগ΋ȜΞͻϋΈ΍έ͹ͼͺ
60
50
40
30
20
1
0.1
0.01
10
0
100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000 1100 1200
෨ಿ (nm)
0.001
-50
-40
-30
-20
-10
0
10
20
30
‫أ‬ഽ (°C)
KMPDB0110JA
KMPDB0255JB
4
S10140/S10141シリーズ
CCDエリアイメージセンサ
デバイス構造 (外形寸法図において上面からみたCCDチップ概念図)
ခْ࢘ள
Thinning
ခْ࢘ள
23
15
20
21
13
14
2-bevel
22
24
1
૞࣢੄ႁ
n
H
2
5
4
3
2
12345
4-bevel
Thinning
V
12
କ໹ΏέΠ
τΐΑΗ
2
3
4
5
8
2
4ήρϋ·ْள
n
11
V=122, 250, 506
H=1024, 2048
10
9
૞࣢੄ႁ
4ήρϋ·ْளġ
କ໹ΏέΠτΐΑΗ
6-bevel
6-bevel
ಕ) ࢕වৣ༷̥࢜ͣࡉ̹ાࣣȂକ໹ΏέΠτΐΑΗ͉Si͈࢚̞໐໦ (ະۜ໐໦)́
ໞ̞̳̦ͩͦ̀͘Ȃಿ෨ಿ͈࢕͉ະۜ໐໦͈Siͬ൫ً̱Ȃକ໹ΏέΠτΐΑΉ
਋࢕̯ͦͥ‫خ‬ෝ଻̦̜̳ͤ͘ȃຈါͅ؊̲̀৭࢕͈̈́̓చॐ࣐̩̺̯̞ͬ̽̀ȃ
KMPDC0244JB
5
S10140/S10141シリーズ
CCDエリアイメージセンサ
タイミングチャート
ラインビニング
ಇୟ‫ۼܢ‬
ĩΏλΛΗ‫ٳ‬Ī
Tpwv
1
଒ೄΫΣϋΈ‫ۼܢ‬
ĩΏλΛΗ໾Ī
3..126 127
3..254 255
3..510 511
2
P1V
උ͙੄̱‫ۼܢ‬ĩΏλΛΗ໾Ī
128← 122 + 6 (bevel): S1014*-1007/-1107
256← 250 + 6 (bevel): S1014*-1008/-1108
512← 506 + 6 (bevel): S1014*-1009/-1109
Tovr
P2V, TG
P1H
1
2
1044: S1014*-1007/-1008/-1009
2068: S1014*-1107/-1108/-1109
4..1042 1043
4..2066 2067
Tpwh, Tpws
3
P2H, SG
Tpwr
RG
OS
D1
D2
S1..S1024
D19
D3..D10, S1..S2048, D11..D18
D20 : S1014*-1007/-1008/-1009
: S1014*-1107/-1108/-1109
KMPDC0242JB
項目
P1V, P2V, TG*16
P1H, P2H*16
SG
RG
TG – P1H
S1014*-1007
S1014*-1008/-1107
パルス幅
S1014*-1009/-1108
S1014*-1109
上昇/下降時間
パルス幅
上昇/下降時間
デューティ比
パルス幅
上昇/下降時間
デューティ比
パルス幅
上昇/下降時間
オーバーラップ時間
記号
Tpwv
Tprv, Tpfv
Tpwh
Tprh, Tpfh
Tpws
Tprs, Tpfs
Tpwr
Tprr, Tpfr
Tovr
Min.
1.5
3
6
12
20
1000
10
40
1000
10
40
100
5
1
Typ.
2
4
8
16
2000
50
2000
50
1000
-
2
Max.
60
60
-
単位
μs
ns
ns
ns
%
ns
ns
%
ns
ns
μs
*16: 最大パルス振幅の50%のところに対称クロックパルスをオーバーラップさせてください。
6
S10140/S10141シリーズ
CCDエリアイメージセンサ
エリアスキャン
ಇୟ‫ۼܢ‬
(ΏλΛΗ‫)ٳ‬
උ͙੄̱‫( ۼܢ‬ΏλΛΗ໾)
Tpwv
1
2
3
4..127128←122 + 6 (bevel): S1014*-1007/-1107
4..255256←250 + 6 (bevel): S1014*-1008/-1108
4..511512←506 + 6 (bevel): S1014*-1009/-1109
P1V
P2V, TG
P1H
P2H, SG
RG
OS
Tovr
P2V, TG
‫ڐ‬ఱ଎
Tpwh, Tpws
P1H
P2H, SG
Tpwr
RG
OS
D1
D2
D3
D4
D18
S1..S1024
D5..D10, S1..S2048, D11..D17
D20 : S1014*-1007/-1008/-1009
: S1014*-1107/-1108/-1109
D19
KMPDC0243JB
項目
P1V, P2V, TG*17
P1H, P2H*17
SG
RG
TG – P1H
S1014*-1007
S1014*-1008/-1107
パルス幅
S1014*-1009/-1108
S1014*-1109
上昇/下降時間
パルス幅
上昇/下降時間
デューティ比
パルス幅
上昇/下降時間
デューティ比
パルス幅
上昇/下降時間
オーバーラップ時間
記号
Tpwv
Tprv, Tpfv
Tpwh
Tprh, Tpfh
Tpws
Tprs, Tpfs
Tpwr
Tprr, Tpfr
Tovr
Min.
1.5
3
6
12
20
1000
10
40
1000
10
40
100
5
1
Typ.
2
4
8
16
2000
50
2000
50
1000
-
2
Max.
60
60
-
単位
μs
ns
ns
ns
%
ns
ns
%
ns
ns
μs
*17: 最大パルス振幅の50%のところに対称クロックパルスをオーバーラップさせてください。
7
S10140/S10141シリーズ
CCDエリアイメージセンサ
外形寸法図 (単位: mm)
S10140-1007/-1008/-1009
වৣௗ 16.3*
਋࢕໐
12.29
22.4 ± 0.30
1
22.9 ± 0.30
13
A
8.2*
24
12
2.54 ± 0.13
34.0 ± 0.34
ͼϋΟΛ·ΑζȜ·
άϋNo. 1
4.8 ± 0.49
4.4 ± 0.44
(24 ×) 0.5 ± 0.05
3.8 ± 0.44
2.4 ± 0.15
3.0
਋࢕࿂
S10140-1007: A=1.464
S10140-1008: A=3.000
S10140-1009: A=6.072
* ȶௗऺ͈໦࢕൫ًඅ଻ȷ͈Έρέ͈൫ًၚͬ༗બ̳ͥ΀ςͺ
KMPDA0207JB
S10140-1107/-1108/-1109
වৣௗ 28.6*
਋࢕໐ 24.58
1
22.9 ± 0.30
22.4 ± 0.30
13
A
8.2*
24
12
2.54 ± 0.13
44.0 ± 0.44
ͼϋΟΛ·ΑζȜ·
άϋNo. 1
4.8 ± 0.49
4.4 ± 0.44
3.8 ± 0.44
(24 ×) 0.5 ± 0.05
2.4 ± 0.15
3.0
਋࢕࿂
S10140-1107: A=1.464
S10140-1108: A=3.000
S10140-1109: A=6.072
* ȶௗऺ͈໦࢕൫ًඅ଻ȷ͈Έρέ͈൫ًၚͬ༗બ̳ͥ΀ςͺ
KMPDA0208JB
8
S10140/S10141シリーズ
CCDエリアイメージセンサ
S10141-1007S/-1008S/-1009S
වৣௗ 16.3*
਋࢕໐
12.29
19.0
22.4 ± 0.30
22.9 ± 0.30
7.3 ± 0.63
7.7 ± 0.68
4.0
6.7 ± 0.63
13
A
8.2*
24
1
12
2.54 ± 0.13
34.0 ± 0.34
42.0
50.0 ± 0.30
ͼϋΟΛ·ΑζȜ·
άϋNo. 1
਋࢕࿂
1.0
(24 ×) 0.5 ± 0.05
4.8 ± 0.15
3.0
ഩঊ႖‫ݕ‬ளঊ
S10141-1007S: A=1.464
S10141-1008S: A=3.000
S10141-1009S: A=6.072
* ȶௗऺ͈໦࢕൫ًඅ଻ȷ͈Έρέ͈൫ًၚͬ༗બ̳ͥ΀ςͺ
KMPDA0209JC
S10141-1107S/-1108S/-1109S
වৣௗ 28.6*
਋࢕໐ 24.58
22.9 ± 0.30
19.0
4.0
1
22.4 ± 0.30
13
A
12
2.54 ± 0.13
44.0 ± 0.44
52.0
60.0 ± 0.30
ͼϋΟΛ·ΑζȜ·
άϋNo. 1
਋࢕࿂
7.7 ± 0.68
7.3 ± 0.63
6.7 ± 0.63
(24 ×) 0.5 ± 0.05
1.0
4.8 ± 0.15
ഩঊ႖‫ݕ‬ளঊ
3.0
8.2*
24
S10141-1107S: A=1.464
S10141-1108S: A=3.000
S10141-1109S: A=6.072
* ȶௗऺ͈໦࢕൫ًඅ଻ȷ͈Έρέ͈൫ًၚͬ༗બ̳ͥ΀ςͺ
KMPDA0210JC
9
S10140/S10141シリーズ
CCDエリアイメージセンサ
ピン接続
ピン
No.
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
記号
RD
OS
OD
OG
SG
P2H
P1H
IG2H
IG1H
ISH
TG*18
P2V
P1V
SS
ISV
IG2V
IG1V
RG
S10140シリーズ
機能
リセットドレイン
出力トランジスタソース
出力トランジスタドレイン
出力ゲート
サミングゲート
CCD水平レジスタ クロック-2
CCD水平レジスタ クロック-1
テストポイント (水平入力ゲート-2)
テストポイント (水平入力ゲート-1)
テストポイント (水平入力ソース)
トランスファーゲート
CCD垂直レジスタ クロック-2
CCD垂直レジスタ クロック-1
基板 (GND)
テストポイント (垂直入力ソース)
テストポイント (垂直入力ゲート-2)
テストポイント (垂直入力ゲート-1)
リセットゲート
記号
RD
OS
OD
OG
SG
P2H
P1H
IG2H
IG1H
ISH
TG*18
P2V
P1V
Th1
Th2
PP+
SS
ISV
IG2V
IG1V
RG
S10141シリーズ
機能
リセットドレイン
出力トランジスタソース
出力トランジスタドレイン
出力ゲート
サミングゲート
CCD水平レジスタ クロック-2
CCD水平レジスタ クロック-1
テストポイント (水平入力ゲート-2)
テストポイント (水平入力ゲート-1)
テストポイント (水平入力ソース)
トランスファーゲート
CCD垂直レジスタ クロック-2
CCD垂直レジスタ クロック-1
サーミスタ
サーミスタ
電子冷却素子 (-)
電子冷却素子 (+)
基板 (GND)
テストポイント (垂直入力ソース)
テストポイント (垂直入力ゲート-2)
テストポイント (垂直入力ゲート-1)
リセットゲート
備考
(標準動作)
+12 V
RL=100 kΩ
+24 V
+3 V
P2Hと同タイミング
-8 V
-8 V
RDに接続
P2Vと同タイミング
GND
RDに接続
-8 V
-8 V
*18: 垂直レジスタと水平レジスタの間の分離ゲート。標準動作では TG に P2V と同じパルスを入力してください。
内蔵電子冷却素子の仕様 (Typ.)
項目
内部抵抗
最大電流*19
最大電圧
最大熱吸収*22
放熱側の最高温度
記号
Rint
Imax
Vmax
Qmax
-
条件
Ta=25 °C
Tc*20=Th*21=25 °C
Tc*20=Th*21=25 °C
S10141-1007S/-1008S/-1009S S10141-1107S/-1108S/-1109S
2.5
1.2
1.5
3.0
3.8
3.6
3.4
5.1
70
70
単位
Ω
A
V
W
°C
*19: 電流値が Imax 以上になると、ジュール熱によって熱吸収率が低下し始めます。この最大電流 Imax は電子冷却素子を損なわない
ためのしきい値ではありませんので注意してください。電子冷却素子を保護し、安定した動作を維持するために、供給電流をこの
最大電流の 60% 以下に設定してください。
*20: 電子冷却素子の冷却側の温度
*21: 電子冷却素子の放熱側の温度
*22: 最大電流をセンサに供給したときに、電子冷却素子に生じる温度差を補正する理論的な熱吸収レベルです。
10
S10140/S10141シリーズ
CCDエリアイメージセンサ
S10141-1007S/-1008S/-1009S
(Typ. Ta=25 °C)
6
20
6
5
10
5
10
4
0
4
0
3
-10
3
-10
2
-20
2
-20
1
-30
1
-30
-40
2.0
0
0
0
1.0
0.5
1.5
ഩգ (V)
7
CCD ‫أ‬ഽ (°C)
30
ഩգȽഩၠ
CCD ‫أ‬ഽȽഩၠ
ഩգȽഩၠ
CCD ‫أ‬ഽȽഩၠ
30
20
0
1
2
ഩၠ (A)
3
4
CCD ‫أ‬ഽ (°C)
(Typ. Ta=25 °C)
7
ഩգ(V)
S10141-1107S/-1108S/-1109S
-40
ഩၠ (A)
KMPDB0178JA
KMPDB0179JA
内蔵温度センサの仕様
CCDチップと同じパッケージにサーミスタチップが内蔵されており、動作中のCCDチップ温度をモニタします。
このサーミスタの抵抗値と絶対温度の関係は次式で表されます。
(Typ. Ta=25 °C)
1 MΩ
RT1 = RT2 × exp BT1/T2 (1/T1 - 1/T2)
使用しているサーミスタの特性は以下のとおりです。
R298=10 kΩ
B298/323=3450 K
೷ࢯ
RT1: 絶対温度T1 [K]のときの抵抗値
RT2: 絶対温度T2 [K]のときの抵抗値
BT1/T2: B定数 [K]
100 kΩ
10 kΩ
220
240
260
‫أ‬ഽ (K)
280
300
KMPDB0111JB
11
CCDエリアイメージセンサ
S10140/S10141シリーズ
使用上の注意 (静電対策)
・ センサは、素手あるいは綿の手袋をはめて扱うようにしてください。さらに、摩擦で生じる静電気によるダメージを避けるため、
静電防止服やアース付きリストバンドを身に着けてセンサを取り扱ってください。
・ 静電気を帯びる可能性のある作業台やフロアの上にセンサを直接置かないでください。
・ 作業台や作業フロアには、静電気を放電させるためのアース線を接続してください。
・ センサを取り扱うピンセットやはんだごてなどの道具にもアースをとるようにしてください。
上記の静電対策は必ずしもすべて行う必要はありません。発生する障害の程度に応じて対策を施してください。
素子の冷却・昇温時の温度勾配速度
外付け冷却器で冷却する場合は、素子の冷却・昇温時の温度勾速度を5 K/分以下になるように設定してください。
関連情報
www.hamamatsu.com/sp/ssd/doc_ja.html
注意事項
・注意事項とお願い
・イメージセンサ/使用上の注意
技術情報
・FFT-CCDエリアイメージセンサ/技術資料
・イメージセンサ/用語の解説
マルチチャンネル 検出器ヘッド C10150, C10151
特長
裏面入射型CCDエリアイメージセンサ専用ヘッド
C10150: 非冷却型 (S10140シリーズ)用
C10151: 電子冷却型 (S10141シリーズ)用
ラインビニング動作/エリアスキャン動作の選択が可能
車用駆動回路を内蔵
高安定温度制御方式を採用 (C10151)
制御温度: Ts =-10 ± 0.05 °C 固定
簡単な信号入力で動作
コンパクトな外形
12
S10140/S10141シリーズ
CCDエリアイメージセンサ
マルチチャンネル検出器ヘッド用コントローラ C7557-01
特長
マルチチャンネル検出器ヘッドの制御とデータ収集を
行うためのコントローラ
付属のソフトウェアを使用することにより、USBイン
ターフェースを通して簡易に制御およびデータ収集が可能
接続図
ΏλΛΗ*
ΗͼηϋΈΩσΑ
ACΉȜήσ (100ȡ240 V, C7557-01ͅັ௺)
Trig.
őŐŘņœ
୺ဥΉȜήσ
(C7557-01ͅັ௺)
ŔŊňŏłōġŊİŐ
USB
ΉȜήσ
(C7557-01ͅັ௺)
ŕņġńŐŏŕœŐōġŊİŐ
ͼιȜΐΓϋ΍
+
ζσΙΙλϋΥσ
࠿੄‫ܕ‬ΰΛΡ
C7557-01
PC [Windows 2000/XP/Vista, 7 (32-bit)]
(USB 2.0)
*ġΏλΛΗ͉̈́̓ဥփ̵̱̞̀ͭ͘ȃ
KACCC0402JC
本資料の記載内容は、平成24年8月現在のものです。
ୋ຦͈ॽအ͉Ȃ٨ၻ͈̹̈́̓͛ထ̩࣬̈́་ࢵ̳̭̦̜̳ͥ͂ͤ͘ȃུ঩ၳ͉ୃ‫̹̳͛ͥܢͬږ‬૥ਹͅै଼̯̹͈̳̦ͦ́͜Ȃͦ͘ͅࢋܱ̈́̓ͥ͢ͅࢋ̦ͤ
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Cat. No. KMPD1094J08 Aug. 2012 DN
13