0.7 0.6 0 ... 5 2.7 2.5 0.25 0.15 3.5 3.0 0.5 0.4 Chip position 1.9 1.7 2.4 2.1 LD 261 3.6 3.2 GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter 2.1 1.5 2.54 mm spacing A Radiant sensitive area (0.4 x 0.4) 1.4 1.0 Collector (BPX 81) Cathode (LD 261) 1) Detaching area for tools, flash not true to size. Approx. weight 0.03 g GEO06021 feo06021 0.4 A Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale ● GaAs-IR-Lumineszenzdiode, hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren ● Hohe Zuverlässigkeit ● Gruppiert lieferbar ● Gehäusegleich mit BPX 81 Features ● GaAs infrared emitting diode, fabricated in a liquid phase epitaxy process ● High reliability ● Available in bins ● Same package as BPX 81 Anwendungen ● Miniaturlichtschranken für Gleich- und Wechsellichtbetrieb ● Lochstreifenleser ● Industrieelektronik ● “Messen/Steuern/Regeln” Applications ● Miniature photointerrupters ● Punched tape readers ● Industrial electronics ● For control and drive circuits Typ Type Bestellnummer Ordering Code Gehäuse Package LD 261 Q62703-Q395 LD 261-5 Q62703-Q67 Leiterbandgehäuse, klares Epoxy-Gießharz, linsenförmig im 2.54-mm-Raster (1/10’’), Kathodenkennzeichnung: Nase am Lötspieß Lead frame, transparent epoxy resin lens, solder tabs lead spacing 2.54 mm (1/10’’), cathode marking: projection at solder lead Semiconductor Group 1 1997-11-01 LD 261 Grenzwerte (TA = 25 °C) Maximum Ratings Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Top; Tstg – 40 ... + 80 °C Sperrschichttemperatur Junction temperature Tj 80 °C Sperrspannung Reverse voltage VR 5 V Durchlaßstrom Forward current IF 50 mA Stoßstrom, τ ≤ 10 µs, D = 0 Surge current IFSM 1.6 A Verlustleistung Power dissipation Ptot 70 mW Wärmewiderstand Thermal resistance RthJA RthJL 750 650 K/W K/W Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Wellenlänge der Strahlung Wavelength at peak emission IF = 50 mA, tp = 20 ms λpeak 950 nm Spektrale Bandbreite bei 50 % von Imax Spectral bandwidth at 50 % of Imax IF = 50 m A, tp = 20 ms ∆λ 55 nm Abstrahlwinkel Half angle ϕ ± 15 Grad deg. Aktive Chipfläche Active chip area A 0.25 mm2 Abmessungen der aktiven Chipfläche Dimension of the active chip area L×B L×W 0.5 × 0.5 mm Abstand Chipoberfläche bis Linsenscheitel Distance chip surface to lens top H 1.3 ... 1.9 mm Semiconductor Group 2 Kennwerte (TA = 25 °C) Characteristics 1997-11-01 LD 261 Kennwerte (TA = 25 °C) Characteristics Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Schaltzeiten, Ie von 10 % auf 90 % und von 90 % auf 10 %, bei IF = 50 mA, RL = 50 Ω Switching times, Ie from 10 % to 90 % and from 90 % to 10 %, IF = 50 mA, RL = 50 Ω tr, tf 1 µs Kapazität, VR = 0 V Capacitance Co 40 pF VF 1.25 (≤ 1.4) V Sperrstrom, VR = 5 V Reverse current IR 0.01 (≤ 1) µA Gesamtstrahlungsfluß Total radiant flux IF = 50 mA, tp = 20 ms Φe 9 mW Temperaturkoeffizient von Ie bzw. Φe, IF = 50 mA Temperature coefficient of Ie or Φe, IF = 50 mA TCI – 0.55 %/K Temperaturkoeffizient von VF, IF = 50 mA Temperature coefficient of VF, IF = 50 mA TCV – 1.5 mV/K Temperaturkoeffizient von λpeak, IF = 50 mA Temperature coefficient of λpeak, IF = 50 mA TCλ 0.3 nm/K Durchlaßspannung Forward voltage IF = 50 mA, tp = 20 µs Gruppierung der Strahlstärke Ie in Achsrichtung gemessen bei einem Raumwinkel Ω = 0.01 sr Grouping of radiant intensity Ie in axial direction at a solid angle of Ω = 0.01 sr Bezeichnung Description Strahlstärke Radiant intensity IF = 50 mA, tp = 20 ms Semiconductor Group Symbol Ie Werte Values LD 261 LD 261-5 2 ... 6.3 3.2 ... 6.3 3 Einheit Unit mW/sr 1997-11-01 LD 261 Relative spectral emission Irel = f (λ) Max. permissible forward current IF = f (TA) Single pulse, tp = 20 µs OHRD1938 100 Ιe OHR01039 10 2 Ι e (100 mA) % Ι rel Ie = f (IF) Ie 100 mA Radiant intensity OHR01124 80 Ι F mA 70 80 60 10 1 50 60 40 R thJL = 650 K/W 40 10 30 0 R thJA = 750 K/W 20 20 10 10 0 880 920 960 1000 nm ΙF 10 -2 1060 λ OHR01042 10 0 10 0 A ΙF 10 1 0 0 20 40 60 80 C 100 TA , TL OHR02182 10 4 Ι F mA typ. 10 -1 Permissible pulse handling capability IF = f (τ), TC = 25 °C, duty cycle D = parameter Forward current IF = f (VF), single pulse, tp = 20 µs 10 1 A -1 max. D= τ T τ D=0 0,005 0,01 0,02 ΙF T 10 3 0,05 0,1 0,2 10 -1 10 2 0,5 DC 10 -2 1 1.5 2 2.5 3 3.5 10 1 -5 10 4 V 4.5 VF 10 -4 10 -3 10 -2 10 -1 s 10 0 τ Radiation characteristics Irel = f (ϕ) 40 30 20 10 0 ϕ OHR01878 1.0 50 0.8 60 0.6 70 0.4 0.2 80 0 90 100 1.0 0.8 0.6 Semiconductor Group 0.4 0 20 40 60 4 80 100 120 1997-11-01