INFINEON Q62702-P419

SFH 520
SFH 520 A
α-β-γ−Strahlungsdetektoren
α-β-γ−Radiation Detectors
fes06874
SFH 520
SFH 520 A
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Eigenschaften
4600 ± 1400 Ωcm
381 ± 15 µm
Aluminiumkontakt 1,4 µm
Aluminiumabdeckung ganzflächig 0.1 µm
0,4 µm Gold/Arsen
Substratscheibe:
Chipdicke:
Vorderseite:
Rückseite:
● Kleiner Dunkelstrom
● Niedrige Kapazität
● Hohe Durchbruchspannung ermöglicht Betrieb bei voll ausgeräumten Chip
Features
4600 ± 1400 Ωcm
381 ± 15 µm
Aluminium contact 1.4 µm
Aluminium total cover 0.1 µm
0.4 µm Au/As
Substrate:
Chip thickness:
Topside:
Backside:
● Low dark current
● Low capacitance
● High breakdown voltage permits operation at full depletion
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
SFH 520
SFH 520 A
Q62702-P419
Q62702-P429
Semiconductor Group
485
10.95
SFH 520
SFH 520 A
Kennwerte
Characteristics
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Sperrspannung
Breakdown voltage
100 µA
VR
> 180
V
Dunkelstrom
Dark current
100 V
160 V
IR
Flußspannung
Forward voltage
100 mA
VF
Kapazität
Capacitance
f = 1 MHz, Ev = 0
80 V
150 V
C
Kapazität pro cm2
Capacitance per cm2
120 V
C/cm2
32
pF
Betriebsspannung
Operating voltage
Vop
90 ... 120
V
Ladungsträger - Lebensdauer
Charge carrier lifetime
–
10
msec.
(< 15)
10 (< 20)
0.7 (< 2.0)
V
pF
12
10
Current and Capacitance Characteristics per cm2
Semiconductor Group
nA
486