D2200N22T VF Data Sheet (240 KB, EN/DE)

Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
D2200N
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
Kenndaten
repetitive peak reverse voltages
VRRM
IFRMSM
TC = 100 °C
IFAVM
2200 A
TC = 55 °C, θ = 180°sin, tP = 10 ms
IFAVM
3150 A
IFRMS
4950 A
41000 A
35000 A
Elektrische Eigenschaften
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
Dauergrenzstrom
average on-state current
Dauergrenzstrom
average on-state current
Durchlaßstrom-Effektivwert
RMS on-state current
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Tvj =25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max tP = 10 ms
IFSM
Grenzlastintegral
I²t-value
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
I²t
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage
Tvj = Tvj max , iF = 9,4 kA
Tvj = Tvj max , iF = 2,0 kA
vF
Schleusenspannung
threshold voltage
Tvj = Tvj max
V(TO)
Ersatzwiderstand
slope resistance
Tvj = Tvj max
rT
Durchlaßkennlinie
600 A ≤ iF ≤ 11000 A
on-state characteristic
Tvj = Tvj max
v F = A + B ⋅ i F + C ⋅ ln ( i F + 1 ) + D ⋅
Sperrstrom
reverse current
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
8405 10³A²s
6125 10³A²s
max.
max.
iF
Tvj = Tvj max , vR = VRRM
2,3 V
1,2 V
0,83 V
0,145 mΩ
A=
B=
C=
D=
Thermische Eigenschaften
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
V
V
V
A
2000
2200
2400
4900
Tvj = -40°C... Tvj max
iR
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided, θ = 180°sin
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, θ = 180°sin
Anode / anode, DC
Kathode / cathode, θ = 180°sin
Kathode / cathode, DC
RthJC
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
einseitig / single-sided
RthCH
-4,860E-01
1,750E-04
2,311E-01
-9,977E-03
max.
150 mA
max.
max.
max.
max.
max.
max.
0,0169
0,0160
0,0329
0,0320
0,0329
0,0320
max.
max.
0,0025 °C/W
0,0050 °C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
160 °C
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Betriebstemperatur
operating temperature
Tvj max
Tc op
-40...+160 °C
Lagertemperatur
storage temperature
Tstg
-40...+160 °C
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revision:
approved by: M.Leifeld
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N
Datenblatt / Data sheet
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
D2200N
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
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Mechanische Eigenschaften
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Anpreßkraft
clamping force
F
Gewicht
weight
G
24...60 kN
typ.
600 g
Kriechstrecke
creepage distance
Schwingfestigkeit
vibration resistance
25 mm
f = 50 Hz
50 m/s²
Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in
Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.
This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging
technical notes.
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
D2200N
Maßbild
Maßbild
1
2
1: Anode/
Anode
2: Kathode/
Cathode
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N
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
D2200N
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thJC für DC
Analytical elements of transient thermal impedance Z thJC for DC
Transienter Wärmewiderstand
Kühlung /
Cooling
beidseitig
two-sided
anodenseitig
anode-sided
kathodenseitig
cathode-sided
Pos. n
1
2
3
4
5
6
7
Rthn [°C/W]
0,000037
0,000393
0,00138
0,00177
0,00503
0,00739
-
τn [s]
0,000204
0,001180
0,01030
0,05420
0,21900
1,15000
-
Rthn [°C/W]
0,000042
0,000578
0,00184
0,00617
0,00487
0,0185
-
τn [s]
0,000193
0,001660
0,01610
0,16400
2,46000
6,1100
-
Rthn [°C/W]
0,000042
0,000578
0,00184
0,00617
0,00487
0,0185
-
τn [s]
0,000193
0,001660
0,01610
0,16400
2,46000
6,1100
-
Analytische Funktion / Analytical function:
ZthJC =
nmax
ΣR
n=1
thn
1− e
-t
τn
0,035
c
a
0,030
0,020
b
0,015
Z
thJC [°C/W]
0,025
0,010
0,005
0,000
0,001
0,01
0,1
t [s] 1
10
100
Transienter innerer Wärmewiderstand für DC / Transient thermal impedance for DC
Z thJC = f(t)
a - Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling
b - Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
c - Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling
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N
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
D2200N
Erhöhung des Zth DC bei sinus- und rechteckförmigen Strömen für unterschiedliche Stromflusswinkel Θ
Rise of Zth DC for sinewave and rectangular current for different current conduction angles Θ
Diagramme
∆Zth Θ rec / ∆Zth Θ sin
Diagramme
Kühlung / Cooling
beidseitig
two-sided
anodenseitig
anode-sided
kathodenseitig
cathode-sided
Θ = 180°
Θ = 120°
Θ = 90°
Θ = 60°
Θ = 30°
∆Zth Θ rec
[°C/W]
0,00136
0,00219
0,00284
0,00384
0,00568
∆Zth Θ sin
[°C/W]
0,00088
0,00123
0,00172
0,00257
0,00441
∆Zth Θ rec
[°C/W]
0,00448
0,00759
0,00985
0,01292
0,01725
∆Zth Θ sin
[°C/W]
0,00334
0,00489
0,00693
0,01005
0,01518
∆Zth Θ rec
[°C/W]
0,00448
0,00759
0,00985
0,01292
0,01725
∆Zth Θ sin
[°C/W]
0,00334
0,00489
0,00693
0,01005
0,01518
Zth Θ rec = Zth DC + ∆Zth Θ rec
Zth Θ sin = Zth DC + ∆Zth Θ sin
12.000
Durchlasskennlinie
10.000
Tvj = Tvj max
iF [A]
8.000
6.000
4.000
2.000
0
0,8
1
1,2
1,4
1,6
1,8
VF [V]
2
2,2
2,4
2,6
Grenzdurchlasskennlinie / Limiting on-state characteristic iF = f(vF)
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N
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
D2200N
8000
a
Durchlassverluste
7000
b
c
6000
d
e
5000
PFAV [W]
f
Parameter:
a - DC
b - sin 180°el (M 1 , M 2 , B 2)
c - rec 120° el (B 6 , M 3 , M 3.2)
d - rec 60°el (M 6)
e - sin 60°el (M 1 , M 2 , B 2 Gegenspannungsbelastung / Reverse voltage load)
f - sin 30°el (M 1 , M 2 , B 2 Gegenspannungsbelastung / Reverse voltage load)
4000
3000
2000
1000
0
0
1000
2000
3000
IFAV [A]
4000
5000
6000
Durchlassverlustleistung / On-state power loss PFAV = f(IFAV)
Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
Tc beidseitig
180
160
140
[°C]
80
T
100
C
120
Parameter:
a - DC
b - sin 180°el (M 1 , M 2 , B 2)
c - rec 120° el (B 6 , M 3 , M 3.2)
d - rec 60°el (M 6)
e - sin 60°el (M 1 , M 2 , B 2 Gegenspannungsbelastung / Reverse voltage load)
f - sin 30°el (M 1 , M 2 , B 2 Gegenspannungsbelastung / Reverse voltage load)
60
40
20
f
e
c
d
a
b
0
0
1000
2000
I
3000
FAV [A]
4000
5000
6000
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature TC = f(IFAV)
Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
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N
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
D2200N
100000
Qr [µAs]
Qr Diagramm
iF M =
3200A
1600A
800A
400A
200A
100A
10000
1000
0,1
1
10
-di/dt [A/µs]
100
Sperrverzögerungsladung / Recovered charge
Qr =f(-di/dt)
Tvj= Tvjmax , vR ≤ 0,5 VRRM , vRM = 0,8 VRRM
RC-Glied / RC-Network: R = 2,7Ω, C = 1,5µF
40
35
IF (OV)M [kA]
30
25
20
0-50V
15
0,33 VRRM
0,67 VRRM
10
5
0
1
3
5
7
9
11
13
15
17
19
Anzahl der Pulse bei 50Hz Sinus Halbwellen
Number of pulses of 50Hz sinusoidal half waves
Typische Abhängigkeit des Grenzstromes IF(OV)M von der Anzahl für eine Folge von Sinus
Halbwellen bei 50Hz. Parameter: Rückwärtsspannung VRM
Typical dependency of maximum overload on-state current IF(OV)M as a number of a sequence of
sinusoidal half waves at 50Hz. Parameter: peak reverse voltage VRM
IF(OV)M = f (pulses, VRM) ; Tvj = Tvj max
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Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
D2200N
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