GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 271, LD 271 H LD 271 L, LD 271 HL Area not flat 9.0 8.2 7.8 7.5 1.0 0.7 5.9 5.5 ø5.1 ø4.8 1.3 1.0 1.8 1.2 14.0 13.0 0.6 0.4 4.8 4.2 11.4 11.0 Cathode Chip position fex06628 2.54 mm spacing 0.6 0.4 GEX06239 Approx. weight 0.5 g Cathode 7.8 7.5 5.9 5.5 ø4.8 ø5.1 0.4 0.8 1.8 1.2 9.0 8.2 0.4 0.6 spacing 2.54mm 29 27 Area not flat 4.8 4.2 0.6 0.4 GEO06645 Chip position Approx. weight 0.2 g Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale ● GaAs-IR-LED, hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren ● Hohe Zuverlässigkeit ● Hohe Impulsbelastbarkeit ● Lange Anschlüsse ● Gruppiert lieferbar ● Gehäusegleich mit SFH 300, SFH 203 Features ● GaAs infrared emitting diode, fabricated in a liquid phase epitaxy process ● High reliability ● High pulse handling capability ● long leads ● Available in groups ● Same package as SFH 300, SFH 203 Anwendungen ● IR-Fernsteuerung von Fernseh- und Rundfunkgeräten, Videorecordern, Lichtdimmern ● Gerätefernsteuerungen ● Lichtschranken für Gleich- und Wechsellichtbetrieb Applications ● IR remote control of hi-fi and TV-sets, video tape recorders, dimmers ● Remote control of various equipment ● Photointerrupters Semiconductor Group 1 1997-11-01 LD 271, LD 271 H LD 271 L, LD 271 HL Typ Type Bestellnummer Ordering Code Gehäuse Package LD 271 Q62703-Q148 LD 271 L Q62703-Q833 LD271 H Q62703-Q256 LD271 HL Q62703-Q838 5-mm-LED-Gehäuse (T 1 3/4), graugetöntes EpoxyGießharz, Lötspieße im 2.54-mm-Raster (1/10’’) 5 mm LED package (T 1 3/4), grey colored epoxy resin lens, solder tabs lead spacing 2.54 mm (1/10’’) Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Top; Tstg – 55 ... + 100 °C Sperrschichttemperatur Junction temperature Tj 100 °C Sperrspannung Reverse voltage VR 5 V Durchlaßstrom Forward current IF 130 mA Stoßstrom, tp = 10 µs, D = 0 Surge current IFSM 3.5 A Verlustleistung Power dissipation Ptot 220 mW Wärmewiderstand Thermal resistance RthJA 330 K/W Semiconductor Group 2 1997-11-01 LD 271, LD 271 H LD 271 L, LD 271 HL Kennwerte (TA = 25 °C) Characteristics Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Wellenlänge der Strahlung Wavelength at peak emission IF = 100 mA, tp = 20 ms λpeak 950 nm Spektrale Bandbreite bei 50 % von Imax Spectral bandwidth at 50 % of Imax IF = 100 mA ∆λ 55 nm Abstrahlwinkel Half angle ϕ ± 25 Grad deg. Aktive Chipfläche Active chip area A 0.25 mm2 Abmessungen der aktive Chipfläche Dimensions of the active chip area L×B L×W 0.5 × 0.5 mm Abstand Chipoberfläche bis Linsenscheitel Distance chip front to lens top H 4.0 ... 4.6 mm Schaltzeiten, Ie von 10 % auf 90 % und von 90 % auf 10 %, bei IF = 100 mA, RL = 50 Ω Switching times, Ie from 10 % to 90 % and from 90 % to 10 %, IF = 100 mA, RL = 50 Ω tr, tf 1 µs Kapazität, VR = 0 V, f = 1 MHz Capacitance Co 40 pF VF VF 1.30 (≤ 1.5) 1.90 (≤ 2.5) V V Sperrstrom, VR = 5 V Reverse current IR 0.01 (≤ 1) µA Gesamtstrahlungsfluß Total radiant flux IF = 100 mA, tp = 20 ms Φe 18 mW Temperaturkoeffizient von Ie bzw. Φe, TCI – 0.55 %/K Temperaturkoeffizient von VF, IF = 100 mA Temperature coefficient of VF, IF = 100 mA TCV – 1.5 mV/K Temperaturkoeffizient von λ, IF = 100 mA Temperature coefficient of λ, IF = 100 mA TCλ 0.3 nm/K Semiconductor Group 3 Durchlaßspannung Forward voltage IF = 100 mA, tp = 20 ms IF = 1 A, tp = 100 µs IF = 100 mA Temperature coefficient of Ie or Φe, IF = 100 mA 1997-11-01 LD 271, LD 271 H LD 271 L, LD 271 HL Gruppierung der Strahlstärke Ie in Achsrichtung gemessen bei einem Raumwinkel Ω = 0.01 sr Grouping of radiant intensity Ie in axial direction at a solid angle of Ω = 0.01 sr Bezeichnung Description Symbol Symbol Strahlstärke Radiant intensity IF = 100 mA, tp = 20 ms IF = 1 A, tp = 100 µs Ie Ie typ. Relative spectral emission Irel = f (λ) Radiant intensity Ιe LD 271 H LD 271 HL 15 (≥ 10) 120 > 16 Ie = f (IF) Ie 100 mA OHO00364 200 Ι F mA Ι e (100 mA) % mW/sr mW/sr Max. permissible forward current IF = f (TA) OHR01038 10 2 Einheit Unit LD 271 LD 271 L Single pulse, tp = 20 µs OHRD1938 100 Ι rel Wert Value 80 160 140 10 1 60 120 100 40 80 10 0 60 20 40 20 0 880 920 960 1000 nm λ Semiconductor Group 1060 10 -1 10 -2 10 -1 4 10 0 A ΙF 10 1 0 0 20 40 60 80 C 100 TA 1997-11-01 LD 271, LD 271 H LD 271 L, LD 271 HL Forward current IF = f (VF), single pulse, tp = 20 µs OHR01041 10 1 A ΙF Permissible pulse handling capability IF = f (τ), TC = 25 °C, duty cycle D = parameter ΙF OHR00257 10 4 mA tp D= 5 typ. 10 0 max. 0.1 10 -1 5 -2 2 ΙF T D= 0.005 0.01 0.02 0.05 10 3 tp T 0.2 0.5 DC 10 1 1.5 2 2.5 3 3.5 10 4 V 4.5 VF 10 -5 10 -4 10 -3 10 -2 10 -1 10 0 s tP 10 2 Radiation characteristics Irel = f (ϕ) 40 30 20 10 0 ϕ OHR01879 1.0 50 0.8 60 0.6 70 0.4 0.2 80 0 90 100 1.0 0.8 0.6 0.4 Semiconductor Group 0 20 40 60 80 5 100 120 1997-11-01