AN202471 将 Winbond W25Q-FV、Micron N25Q-A 和 Macronix M25L-F 器件替换为赛普拉斯 S25FL-L 作者： Arthur Claus 相关器件系列：S25FL-L 相关代码示例：无 相关应用手册：无 AN202471 介绍了使用赛普拉斯 S25FL-L 器件替换 Winbond W25Q-FV、Micron N25Q-A 和 Macronix M25L-F 器件时 需要特别注意的差别。 目录 1 简介 .......................................................................... 1 5.1 传统的 SPI 闪存保护（块保护位） ................. 11 2 128 Mb 器件之间的比较 ............................................ 2 5.2 其他保护机制 ................................................. 11 3 256 Mb 器件之间的比较 ............................................ 4 6 总结 ........................................................................ 12 4 命令集 ....................................................................... 6 7 相关文档 ................................................................. 12 5 1 4.1 寻址 ................................................................. 6 文档修订记录................................................................... 13 4.2 读取器件 ID ...................................................... 6 全球销售和设计支持 ........................................................ 14 4.3 读闪存阵列 ....................................................... 7 产品 ................................................................................. 14 4.4 编程闪存阵列 ................................................... 8 PSoC®解决方案............................................................... 14 4.5 擦除闪存阵列 ................................................... 8 赛普拉斯开发者社区 ........................................................ 14 4.6 寄存器访问 ....................................................... 9 技术支持 .......................................................................... 14 4.7 复位 ............................................................... 11 阵列保护 ................................................................. 11 简介 赛普拉斯 S25FL-L 系列器件是使用 65 nm 浮栅加工技术的 3.0 V 非易失性闪存存储器产品。这些器件性能高，特性一 流，使之成为替代多个同类器件的好选择。本应用手册说明了赛普拉斯 S25FL-L 器件替换 Winbond W25Q-FV、 Micron N25Q-A 和 Macronix M25L-F 器件时需要特别注意的事项。 www.cypress.com 文档编号： 002-04204 版本** 1 将 Winbond W25Q-FV、Micron N25Q-A 和 Macronix M25L-F 器件替换为赛普拉斯 S25FL-L 128 Mb 器件之间的比较 2 表 1 对这四款 128 Mb 产品进行了对比。 表 1. 详细比较表 1 封装/引脚分布 温度范围 S25FL128L W25Q128FV N25Q128A MX25L12845G 8 引脚 SOIC 208 mil 有 有 有 有 USON 5 × 6 mm 有 有 有 有 WSON 6 × 8 mm 无 有 有 无 16 引脚 SOIC 300 mil 有 有 有 有 BGA 24（6 球 × 4 球）6 × 8 mm 有 有 无 无 BGA 24（5 球 × 5 球）6 × 8 mm 有 有 有 无 工业级（-40°C ~ 85°C） 有 有 有 有 扩展的工业级 （-40°C ~ 105°C） 有 无 无 无 扩展（-40°C ~ +125°C） 有 无 有 无 2.7 V ~ 3.6 V 2.7 V ~ 3.6 V 2.7 V ~ 3.6 V 工作电压范围 待机电流 2.7 V ~ 3.6 V 典型值 2 深度下电电流 6 单比特位宽读取 数据电流 四线输出读取 电流 20 µA 3 最大值 100 µA 典型值 2 µA 4 7 10 µA 20 µA 5 50 µA 100 µA 100 µA 1 µA – 2 µA 20 µA – 20 µA 最大值 20 µA 典型值 15 mA @ 50 MHz – – 12 mA @ 84 MHz 最大值 25 mA @ 50 MHz 15 mA @ 50 MHz 6 mA @ 54 MHz – 最大值 40 mA @ 133 MHz 20 mA @ 104 MHz 15 mA @ 108 MHz 15 mA @ 84 MHz 典型值 25 mA @ 8 108 MHz – – 12 mA @ 104 MHz 最大值 35 mA @ 108 MHz 18 mA @ 80 MHz – 20 mA @ 104 MHz 最大值 40 mA @ 133 MHz 20 mA @ 104 MHz 20 mA @ 108 MHz 25 mA @ 133 MHz 1 请参考相应的数据手册，了解该表中所列出各参数的测试条件。 2 在-40°C 至 85°C 的温度范围内的值 3 RESET#、CS# = VDD；SI、SCK = VDD 或 VSS：SPI、双线 I/O 和四线 I/O 模式。60 µA RESET#、CS# = VDD；SI、 SCK = VDD 或 VSS：QPI 模式 4 在-40°C 至 105°C 范围内，该值为 100 µA；在-40°C 至 125°C 范围内，该值为 150 µA 5 在-40°C 至 125°C 的温度范围内，该值为 150 µA 6 在-40°C 至 85°C 的温度范围内的值 7 在-40°C 至 105°C 范围内，该值为 30 µA；在-40°C 至 125°C 范围内，该值为 50 µA 8 对于 DDR，典型值为 30 mA 和最大值为 40 mA @ 66 MHz www.cypress.com 文档编号：002-04204 版本** 2 将 Winbond W25Q-FV、Micron N25Q-A 和 Macronix M25L-F 器件替换为赛普拉斯 S25FL-L 1 S25FL128L W25Q128FV N25Q128A MX25L12845G 典型值 40 mA 20 mA – 12 mA 最大值 50 mA 25 mA 20 mA 20 mA 典型值 40 mA 8 mA 最大值 50 mA 12 mA 典型值 40 mA 20 mA 最大值 50 mA 25 mA 20 mA 25 mA 数据保留时间 通常情况下，数据 保留时间为 20 年 最短数据保留 时间为 20 年 最短数据保留 时间为 20 年 20 年的数据 保留时间 耐久性（编程/擦除次数） 最少可以进行 100 万次编程/擦除 最少可以进行 100 万次编程/擦除 最少可以进行 100 万次编程/擦除 通常情况下，可以进 行 10 万次编程/擦除 请参考第 4 章 请参考第 4 章 请参考第 4 章 请参考第 4 章 66 MHz 不支持 不支持 54 MHz 8、16、32、64 个 字节 8、16、32、64 个 字节 16、32、64 个 字节 8、16、32、64 个 字节 典型值 145 ms 10 ms 1.3 ms 最大值 750 ms 15 ms 8 ms 40 ms 256 个字节 256 个字节 256 个字节 256 个字节 典型值 300 µs 700 µs 500 µs 最大值 900 µs 3 ms 5 ms 页编程电流 写入状态寄存器 电流 擦除电流 命令集 四线 I/O DDR 读取的最大时钟速率 突发回卷长度 写入状态寄存器 的时间 页缓冲区大小 10 mA 20 mA 12 mA 10 mA 9 250 µs 页编程时间 10 1.5 ms 11 扇区擦除时间 （4 KB） 典型值 50 ms 45 ms 最大值 200 ms 400 ms 块擦除时间 （64 KB） 典型值 270 ms 150 ms 700 ms 最大值 725 ms 2000 ms 3000 ms 800 ms 12 13 30 ms 400 ms 380 ms 2000 ms 典型值 70 s 40 s 最大值 180 s 200 s 250 s 200 s 有/有 有/有 有/有 有/有 请参考第 5 章 请参考第 5 章 请参考第 5 章 请参考第 5 章 4 × 256 个字节的 安全区域 3 × 256 个字节的 安全区域 64 字节的 OTP 512 字节的 OTP 芯片擦除时间 编程/擦除挂起/恢复 块保护 安全区域 / OTP 9 250 ms 170 s 55 s 对于 N25Q128A13Exx4xx，从 2014 年的第 13 周起，典型值 = 0.2 ms，最大值 = 0.4 ms 10 对于 W25Q128FVxIG，典型值 = 100 ms 11 对于 N25Q128A13Exx4xx，从 2014 年的第 13 周起，典型值 = 60 ms，最大值 = 200 ms 12 对于 N25Q128A13Exx4xx，从 2014 年的第 13 周起，典型值 = 300 ms，最大值 = 1000 ms 13 对于 N25Q128A13Exx4xx，从 2014 年的第 13 周起，典型值 = 46 ms，最大值 = 250 ms www.cypress.com 文档编号：002-04204 版本** 3 将 Winbond W25Q-FV、Micron N25Q-A 和 Macronix M25L-F 器件替换为赛普拉斯 S25FL-L 3 256 Mb 器件之间的比较 表 2 对这四款 256 Mb 产品进行了对比。 表 2. 详细比较表 14 封装/引脚分布 温度范围 S25FL256L W25Q256FV N25Q256A MX25L25645G 8 引脚 SOIC 208 mil 无 无 无 有 USON 5 × 6 mm 有 无 无 无 WSON 6 × 8 mm 无 有 有 有 16 引脚 SOIC 300 mil 有 有 有 有 BGA 24（6 × 4）6 × 8 mm 有 有 无 无 BGA 24（5 × 5）6 × 8 mm 有 有 有 无 工业级（-40°C ~ 85°C） 有 有 有 有 扩展的工业级 （-40°C ~ 105°C） 有 无 无 无 扩展（-40°C ~ +125°C） 有 无 有 无 2.7 V ~ 3.6 V 2.7 V ~ 3.6 V 2.7 V ~ 3.6 V 2.7 V ~ 3.6 V 10 µA – 15 µA 50 µA 100 µA 50 µA 1 µA – 3 µA 25 µA – 20 µA 工作电压范围 待机电流 典型值 15 深度下电电流 18 四线输出读取 电流 16 最大值 100 µA 典型值 2 µA 最大值 单比特位宽读取 数据电流 20 µA 20 µA 17 19 典型值 15 mA @ 50 MHz – – 12 mA @ 84 MHz 最大值 25 mA @ 50 MHz 15 mA @ 50 MHz 6 mA @ 54 MHz – 最大值 40 mA @ 133 MHz 20 mA @ 104 MHz 15 mA @ 108 MHz 15 mA @ 84 MHz 典型值 25 mA @ 20 108 MHz – – 12 mA @ 104 MHz 最大值 35 mA @ 108 MHz 18 mA @ 80 MHz – 20 mA @ 104 MHz 最大值 40 mA @ 133 MHz 20 mA @ 104 MHz 20 mA @ 108 MHz 25 mA @ 133 MHz 14 请参考相应的数据手册，了解该表中所列出的参数的测试条件 15 在-40°C 至 85°C 的温度范围内的值 16 RESET#、CS# = VDD；SI、SCK = VDD 或 VSS：SPI、双线 I/O 和四线 I/O 模式。60 µA RESET#、CS# = VDD；SI、 SCK = VDD 或 VSS：QPI 模式 17 在-40°C 至 105°C 范围内，该值为 100 µA；在-40°C 至 125°C 范围内，该值为 150 µA 18 在-40°C 至 85°C 的温度范围内的值 19 在-40°C 至 105°C 范围内，该值为 30 µA；在-40°C 至 125°C 范围内，该值为 50 µA 20 对于 DDR，典型值为 30 mA，最大值为 40 mA @ 66 MHz www.cypress.com 文档编号：002-04204 版本** 4 将 Winbond W25Q-FV、Micron N25Q-A 和 Macronix M25L-F 器件替换为赛普拉斯 S25FL-L 14 S25FL256L W25Q256FV N25Q256A MX25L25645G 典型值 40 mA 20 mA – 12 mA 最大值 50 mA 25 mA 20 mA 20 mA 典型值 40 mA 8 mA – 10 mA 最大值 50 mA 12 mA 20 mA 12 mA 典型值 40 mA 20 mA – 10 mA 最大值 50 mA 25 mA 20 mA 25 mA 数据保持时间 通常情况下，数据 保持时间为 20 年 最短数据保留时间 为 20 年 最短数据保留时间 为 20 年 20 年的数据保留时间 耐久性（编程/擦除次数） 最少可以进行 100 万次编程/擦除 最少可以进行 100 万次编程/擦除 最少可以进行 100 万次编程/擦除 通常情况下，可以进 行 10 万次编程/擦除 请参考第 4 章 请参考第 4 章 请参考第 4 章 66 MHz 不支持 54 MHz 8、16、32、64 个 字节 8、16、32、64 个 字节 16、32、64 个 字节 8、16、32、64 个 字节 典型值 145 ms 10 ms 1.3 ms 40 ms 最大值 750 ms 15 ms 8 ms – 256 个字节 256 个字节 256 个字节 256 个字节 典型值 300 µs 700 µs 500 µs 250 µs 最大值 900 µs 3 ms 5 ms 1.5 ms 扇区擦除时间 （4 KB） 典型值 50 ms 45 ms 22 250 ms 30 ms 最大值 200 ms 400 ms 800 ms 400 ms 块擦除时间 （64 KB） 典型值 270 ms 150 ms 700 ms 280 ms 最大值 725 ms 2000 ms 3000 ms 2000 ms 典型值 140 s 80 s 240 s 150 s 最大值 360 s 400 s 480 s 400 s 有/有 有/有 有/有 有/有 请参考第 5 章 请参考第 5 章 请参考第 5 章 请参考第 5 章 4 × 256 个字节的安 全区域 3 × 256 个字节的 安全区域 64 字节的 OTP 512 字节的 OTP 页编程电流 写入状态寄存器 电流 擦除电流 命令集 四线 I/O DDR 读取的最大时钟速率 突发回卷长度 写入状态寄存器 的时间 页缓冲区大小 请参考第 4 章 84 MHz 21 页编程时间 芯片擦除时间 编程/擦除挂起/恢复 块保护 安全区域 / OTP 21 在 3.0 至 3.6 V 的电压限制范围内，该值为 100 MHz 22 对于 W25Q256FVxIG，典型值 = 100 ms www.cypress.com 文档编号：002-04204 版本** 5 将 Winbond W25Q-FV、Micron N25Q-A 和 Macronix M25L-F 器件替换为赛普拉斯 S25FL-L 4 命令集 4.1 寻址 传统的 SPI 闪存命令集支持 24 位寻址，从而可以寻址 16 MB（128 Mb）的器件。随着 32 MB（256 Mb）器件的出现， 寻址成为一个问题。SPI 闪存制造商开发了以下方法用于解决这种问题： 只接受 4 字节寻址方案的新命令 用于进入和退出 4 字节寻址模式的命令 为传统软件添加了额外地址位的寄存器 表 3. 4 字节寻址表 器件 4.2 4 字节 命令 用于进入和退出 4 字节寻址模式的命令 扩展地址寄存器 S25FL128L 有 有 无 S25FL256L 有 有 无 W25Q128FV 无 无 无 W25Q256FV 有 有 有 N25Q128A 无 无 无 N25Q256A 有 有 有 无 无 有 有 MX25L12845G 支持 MX25L25645G 有 23 读取器件 ID 如果器件支持，则应该使用 JEDEC 的 RSFDP 命令（5Ah，JEDEC 串行闪存参数发现命令）读取符合 JEDEC JESS216 标准的器件的标识、特性和配置信息。否则，应使用读取 ID（RDID）9Fh 命令来访问制造商标识、器件标 识和通用闪存接口（CFI）信息。 表 4. 读取器件 ID 表 器件 读取 SFDP （5A） 读取 ID （9F） 读取四线 ID （AF） 读取唯一 ID （48） 器件 ID （AB） 读取制造商 24 器件 ID（90、92、94） S25FL128L 有 有 有 有 无 无 S25FL256L 有 有 有 有 无 无 W25Q128FV 有 有 有 有 有 有 W25Q256FV 有 有 有 有 有 有 N25Q128A 有 有 有 无 无 无 N25Q256A 有 有 有 无 无 无 MX25L12845G 有 有 无 无 有 仅 90 MX25L25645G 有 有 无 无 有 仅 90 23 只有高级扇区保护命令才具有 4 字节地址 24 90 单比特输出、92 双比特输出、94 四比特输出 www.cypress.com 文档编号：002-04204 版本** 6 将 Winbond W25Q-FV、Micron N25Q-A 和 Macronix M25L-F 器件替换为赛普拉斯 S25FL-L 4.3 读闪存阵列 所有制造商均支持用于读取闪存阵列的多个命令。不同命令定义了正在读取的数据和数据地址进出主机的方式。 表 5. 读取阵列命令表 命令说明 S25FL128L S25FL256L W25Q128FV W25Q256FV N25Q128A N25Q256A MX25L12845G MX25L12845G 读取 03h 03h 03h 03h 03h 03h 03h 03h 快速读取 0Bh 0Bh 0Bh 0Bh 0Bh 0Bh 0Bh 0Bh 读取双线输出 3Bh 3Bh 3Bh 3Bh 3Bh 3Bh 3Bh 3Bh 读取四线输出 6Bh 6Bh 6Bh 6Bh 6Bh 6Bh 6Bh 6Bh 双线 I/O 读取 BBh BBh BBh BBh BBh BBh BBh BBh 四线 I/O 读取 EBh EBh EBh EBh EBh EBh EBh EBh DDR 快速 读取 – – – – – 0Dh – – DDR 双线 I/O 读取 – – – – – 3Dh – – DDR 四线 I/O 读取 EDh EDh – – – EDh EDh EDh 读取（4 字节 地址） 13h 13h – 13h – 13h – 13h 快速读取（4 字节地址） 0Ch 0Ch – 0Ch – 0Ch – 0Ch 读取双线输出 （4 字节 地址） 3CH 3CH – 3CH – 3CH – 3CH 读取四线输出 （4 字节 地址） 6Ch 6Ch – 6Ch – 6Ch – 6Ch 双线 I/O 读取 （4 字节 地址） BCh BCh – BCh – BCh – BCh 四线 I/O 读取 （4 字节 地址） ECh ECh – ECh – ECh – ECh DDR 四线 I/O 读取（4 字节 地址） EEh EEh – – – – – EEh 字读取四线 I/O – – E7h E7h – – – – 八字读取四线 I/O – – E3h E3h – – – – www.cypress.com 文档编号：002-04204 版本** 7 将 Winbond W25Q-FV、Micron N25Q-A 和 Macronix M25L-F 器件替换为赛普拉斯 S25FL-L 4.4 编程闪存阵列 页编程和四线页编程命令得到所有器件的支持，用于对阵列编程。Macronix 器件则使用另外一种指令代码。所有赛普 拉斯器件和 Micron 256 Mb 器件均支持指定的 4 字节地址命令。Micron 器件具有多种私有输入。全部器件支持挂起和 恢复编程操作。 表 6. 阵列编程命令表 命令说明 S25FL128L S25FL256L W25Q128FV W25Q256FV N25Q128A N25Q256A MX25L12845G MX25L12845G 页编程 02h 02h 02h 02h 02h 02h 02h 02h 页编程 （4 字节地址） 12h 12h – – – 12h – – 双线输入快速 编程 – – – – A2h A2h – – 扩展的双线输 入快速编程 – – – – D2h D2h – – 32h 32h 32h 32h 32h 32h 38h 38h – – – – 12h 12h/38h – – 四线页编程 （4 字节地址） 34h 34h – – 34h 34h – – 编程挂起 75h 75h 75h 75h 75h 75h 75h 75h 编程恢复 7Ah 7Ah 7Ah 7Ah 7Ah 7Ah 7Ah 7Ah 四线页编程 扩展的四线输 入快速编程 4.5 擦除闪存阵列 所有器件均支持 4 KB（扇区或子扇区）和 64 KB（块或扇区）擦除。所有器件（Micron 器件除外）均支持 32 KB 的半 块擦除。所有器件（Micron 器件除外）支持用于芯片擦除的 60h 和 C7h 命令。Micron 器件仅支持 C7h 命令。赛普拉 斯器件和 Macronix 256 Mb 器件虽然有所差别但均支持指定的 4 字节地址命令。全部器件支持挂起和恢复擦除操作。 表 7. 擦除阵列命令表 命令说明 S25FL128L S25FL256L W25Q128FV W25Q256FV N25Q128A N25Q256A MX25L12845G MX25L12845G 扇区擦除 20h 20h 20h 20h 20h 20h 20h 20h 半块擦除 52h 52h 52h 52h – – 52h 52h 块擦除 D8h D8h D8h D8h D8h D8h D8h D8h 芯片擦除 60h/C7h 60h/C7h 60h/C7h 60h/C7h C7h C7h 60h/C7h 60h/D8h 扇区擦除 （4 字节 地址） 21h 21h – – – 21h – 21h 半块擦除 （4 字节 地址） 53H 53H – – – – – 5Ch 块擦除（4 字节地址） DCh DCh – – – DCh – DCh 擦除挂起 75h 75h 75h 75h 75h 75h 75h 75h 擦除恢复 7Ah 7Ah 7Ah 7Ah 7Ah 7Ah 7Ah 7Ah www.cypress.com 文档编号：002-04204 版本** 8 将 Winbond W25Q-FV、Micron N25Q-A 和 Macronix M25L-F 器件替换为赛普拉斯 S25FL-L 4.6 寄存器访问 所有制造商均支持以下写和寄存器访问命令：写入使能 06h、写入禁用 04h、读取状态寄存器 05h 和写入寄存器 01h。 由于寄存器位和器件运行方式存在差别，因此需要自定义状态和配置寄存器命令的操作。例如，赛普拉斯、Macronix、 Micron 和 Winbond 都有相同的 8 位状态寄存器 1（可通过读取状态寄存器 05h 和写入寄存器 01h 命令来访问它们）， 但状态寄存器 1 的位 6 和位 5 的定义却不一样。 表 8. 寄存器访问命令表 命令说明 S25FL128L S25FL256L W25Q128FV W25Q256FV N25Q128A N25Q256A MX25L12845G MX25L12845G 读取状态 寄存器 1 05h 05h 05h 05h 05h 05h 05h 05h 读取状态 寄存器 2 07h 07h 35h 35h – – – – 读取配置 寄存器 1 35h 35h – – – – 15h 15h 读取配置 寄存器 2 15h 15h – – – – – – 读取配置 寄存器 3 33h 33h – – – – – – 读取任何 寄存器 65h 65h – – – – – – 写入寄存器 01h 01h 01h 01h 01h 01h 01h 01h 写入禁用 04h 04h 04h 04h 04h 04h 04h 04h 写入使能， 用于修改非 易失性数据 06h 06h 06h 06h 06h 06h 06h 06h 写入使能， 用于修改 易失性数据 50h 50h 50h 50h – – – – 写入任何 寄存器 71h 71h – – – – – – 清除状态 寄存器 30h 30h – – – – – – 进入 4 字节 地址模式 B7h B7h – B7h – B7h – B7h 退出 4 字节 地址模式 E9h E9h – E9h – E9h – E9h 设置突发 长度 77h 77h 77h 77h – – – – 进入 QPI 模式 38h 38h 38h 38h – 35h 35h 35h 退出 QPI 模式 F5h F5h – – – F5h F5h F5h 读取学习 模式数据 41H 41H – – – – – – www.cypress.com 文档编号：002-04204 版本** 9 将 Winbond W25Q-FV、Micron N25Q-A 和 Macronix M25L-F 器件替换为赛普拉斯 S25FL-L 命令说明 S25FL128L S25FL256L W25Q128FV W25Q256FV N25Q128A N25Q256A MX25L12845G MX25L12845G 编程非易失 性学习数据 43h 43h – – – – – – 写入易失性 学习数据 4Ah 4Ah – – – – – – 写入状态 寄存器 2 – – 31h 31h – – – – 读取状态 寄存器 3 – – 15h 15h – – – – 写入状态 寄存器 3 – – 11h 11h – – – – 设置读取 参数 – – C0h C0h – – – – 读取扩展 地址寄存器 – – – C8h – C8h – C8h 写入扩展 地址寄存器 – – – C5h – C5h – C5h 读取锁定 寄存器 – – – – E8h E8h – – 写入锁定 寄存器 – – – – E5h E5h – – 读取标志 状态寄存器 – – – – 70h 70h – – 清除标志 状态寄存器 – – – – 50h 50h – – 读取配置 寄存器 – – – – 85h 85h – – 写入配置 寄存器 – – – – 81h 81h – – 读取增强 易失性配置 寄存器 – – – – 65h 65h – – 写入增强 易失性配置 寄存器 – – – – 61h 61h – – www.cypress.com 文档编号：002-04204 版本** 10 将 Winbond W25Q-FV、Micron N25Q-A 和 Macronix M25L-F 器件替换为赛普拉斯 S25FL-L 4.7 复位 所有器件都支持使用同一条命令来复位器件。赛普拉斯和 Winbond 器件都具有输入序列，用于退出输出的连续模式。 表 9. 复位命令表 命令说明 S25FL128L S25FL256L W25Q128FV W25Q256FV N25Q128A N25Q256A MX25L12845G MX25L12845G 软件复位 使能 66h 66h 66h 66h 66h 66h 66h 66h 软件复位 99H 99H 99H 99H 99H 99H 99H 99H 模式位复位 FFh FFh 25 26 – – – – 5 阵列保护 阵列保护是制造商实现不同机制的另一个区域。因此，修改器件时，务必要注意这些差别。保护机制可归为两大类， 每个制造商都会提供这两类机制。 5.1 传统的 SPI 闪存保护（块保护位） 通过使用状态寄存器中的 BP 位和修改状态寄存器（或其他寄存器）的比特位，所有器件都提供了某些形式的保护。 表 10. 传统保护表 命令说明 S25FL128L S25FL256L W25Q128FV W25Q256FV N25Q128A N25Q256A MX25L12845G MX25L12845G 状态寄存器中 BP 位的数量 3 4 3 4 4 4 4 4 开始保护（顶 部或底部） 有（在状态 寄存器中） 有（在状态 寄存器中） 有（在状态 寄存器中） 有（在状态 寄存器中） 有（在状态 寄存器中） 有（在状态 寄存器中） 有（在配置 寄存器中） 有（在配置 寄存器中） 状态寄存器中 扇区 （4 KB）或 块（64 KB） 区域大小 选择器 有 无 有 无 无 无 无 无 有 有 有 有 （在配置寄 存器 1 中） （在配置寄 存器 1 中） （在状态寄 存器 2 中） （在状态寄 存器 2 中） 无 无 无 无 补充位 5.2 其他保护机制 5.2.1 赛普拉斯 S25FL128L 和 S25FL256L 除了传统的保护机制外，赛普拉斯器件还提供了以下几种保护机制： 1. 一个易失性保护机制，用于锁定阵列中的所有块（64 KB），顶部和底部块（由扇区（4 KB）保护来弥补）除外。 2. 一个非易失性保护机制，用于锁定包含了从 0 到整个阵列的任意扇区（4 KB）数量的区域。 25 根据命令，在 8 到 16 个时钟内将‘1’输入到 IO0 内 26 根据命令，在 8 到 20 个时钟内将‘1’输入到 IO0 内 www.cypress.com 文档编号：002-04204 版本** 11 将 Winbond W25Q-FV、Micron N25Q-A 和 Macronix M25L-F 器件替换为赛普拉斯 S25FL-L 5.2.2 Winbond W25Q128FV 和 W25Q256V 除了传统的保护机制外，Winbond 器件还提供一个易失性保护机制，用于锁定阵列中的所有块（64 KB），顶部和底部 块（由扇区（4 KB）保护来弥补）除外。 5.2.3 Micron N25Q128A 和 N25Q256A 除了传统的保护机制外，Micron 器件还提供了一个易失性保护机制，用于锁定整个阵列。该机制可被锁定，直到到达 下一个电源周期为止。 5.2.4 Macronix MX25L12845G 和 MX25L12845G 除了传统的保护机制外，Micron 器件还提供了以下各种保护机制： 6 1. 一个易失性保护机制，用于锁定阵列中的所有块（64 KB），顶部和底部块（由扇区（4 KB）保护来弥补）除外。 2. 一个非易失性保护机制，用于锁定阵列中的所有块（64 KB），顶部和底部块（由扇区（4 KB）保护来弥补）除外。 总结 AN202471 介绍了 S25FL-L 系列器件与某些竞争对手的相应器件间的区别。 7 相关文档 赛普拉斯 S25FL128L 和 S25FL256L 数据手册（初步） Winbond W25Q128FV 数据手册（版本 L） Winbond W25Q256FV 数据手册（版本 H） Micron N25Q128A 数据手册（版本 R） Micron N25Q256A 数据手册（版本 U） Macronix MX25L12845G 数据手册（版本 1.0，2015 年 06 月 05 日） Macronix MX25L25645G 数据手册（版本 0.02，2014 年 11 月 27 日） www.cypress.com 文档编号：002-04204 版本** 12 将 Winbond W25Q-FV、Micron N25Q-A 和 Macronix M25L-F 器件替换为赛普拉斯 S25FL-L 文档修订记录 文档标题： AN202471 — 将 Winbond W25Q-FV、Micron N25Q-A 和 Macronix M25L-F 器件替换为赛普拉斯 S25FL-L 文档编号： 002-04204 版本 ECN 变更者 提交日期 ** 4984583 LAIW 11/11/2015 www.cypress.com 变更说明 本文档版本号为 Rev**，译自英文版 002-02471 Rev**。 文档编号：002-04204 版本** 13 将 Winbond W25Q-FV、Micron N25Q-A 和 Macronix M25L-F 器件替换为赛普拉斯 S25FL-L 全球销售和设计支持 赛普拉斯公司具有一个由办事处、解决方案中心、厂商代表和经销商组成的全球性网络。要想查找离您最近的办事处，请访问 赛普拉斯所在地。 PSoC®解决方案 产品 汽车级产品 cypress.com/go/automotive psoc.cypress.com/solutions 时钟与缓冲器 cypress.com/go/clocks PSoC 1 | PSoC 3 | PSoC 4 | PSoC 5LP 接口 cypress.com/go/interface 赛普拉斯开发者社区 照明与电源控制 cypress.com/go/powerpsoc 社区 | 论坛 | 博客 | 视频 | 培训 存储器 cypress.com/go/memory 技术支持 PSoC cypress.com/go/psoc 触摸感应 cypress.com/go/touch USB 控制器 cypress.com/go/usb 无线/射频 cypress.com/go/wireless cypress.com/go/support PSoC 是赛普拉斯半导体公司的注册商标，且 PSoC Creator 是赛普拉斯半导体公司的商标。此处引用的所有其他商标或注册商标归其各自所有者所有。 赛普拉斯半导体公司 198 Champion Court San Jose, CA 95134-1709 电话 传真 网址 ：408-943-2600 ：408-943-4730 ：www.cypress.com ©赛普拉斯半导体公司，2015。此处所包含的信息可能会随时更改，恕不另行通知。除赛普拉斯产品内嵌的电路外，赛普拉斯半导体公司不对任何其他电 路的使用承担任何责任。也不会根据专利权或其他权利以明示或暗示方式授予任何许可。除非与赛普拉斯签订明确的书面协议，否则赛普拉斯不保证产品 能够用于或适用于医疗、生命支持、救生、关键控制或安全应用领域。此外，对于可能发生运转异常和故障并对用户造成严重伤害的生命支持系统，赛普 拉斯不授权将其产品用作此类系统的关键组件。若将赛普拉斯产品用于生命支持系统中，则表示制造商将承担因此类使用而招致的所有风险，并确保赛普 拉斯免于因此而受到任何指控。 该源代码（软件和/或固件）均归赛普拉斯半导体公司（赛普拉斯）所有，并受全球专利法规（美国和美国以外的专利法规）、美国版权法以及国际条约 规定的保护和约束。赛普拉斯据此向获许可者授予适用于个人的、非独占性、不可转让的许可，用以复制、使用、修改、创建赛普拉斯源代码的派生作品、 编译赛普拉斯源代码和派生作品，并且其目的只能是创建自定义软件和/或固件，以支持获许可者仅将其获得的产品依照适用协议规定的方式与赛普拉斯 集成电路配合使用。除上述指定的用途外，未经赛普拉斯明确的书面许可，不得对此类源代码进行任何复制、修改、转换、编译或演示。 免责声明：赛普拉斯不针对此材料提供任何类型的明示或暗示保证，包括（但不限于）针对特定用途的适销性和适用性的暗示保证。赛普拉斯保留在不做 出通知的情况下对此处所述材料进行更改的权利。赛普拉斯不对此处所述之任何产品或电路的应用或使用承担任何责任。对于可能发生运转异常和故障， 并对用户造成严重伤害的生命支持系统，赛普拉斯不授权将其产品用作此类系统的关键组件。若将赛普拉斯产品使用于生命支持系统中，则表示制造商将 承担因此类使用而招致的所有风险，并确保赛普拉斯免于因此而受到任何指控。 产品使用可能受限于赛普拉斯软件许可协议。 www.cypress.com 文档编号：002-04204 版本** 14