THYRISTOR MODULE PK(PD,PE)200GB UL;E76102 （M） Power Thyristor/Diode Module PK200GB series are designed for various rectifier circuits and power controls. For your circuit application. following internal connections and wide voltage ratings up to 800V are available. 92 12 26 26 7 4-φ6（M5） ● di/dt 60 48 24 ● IT（AV）200A, IT（RMS）310A, ITSM 5500A 5 12 5 K1G1 K2G2 Isolated mounting base 200 A/μs 500V/μs ● dv/dt 2 18 Internal Configurations A1K2 2 1 （K2） K1 G1 （A2） K2 3 A1K2 2 1 （K2） K1 G1 （A2） K2 G2 3 A1K2 2 1 33 ♯110TAB （2.8.0.5T） 5 2 K2 G2 3 R8.0 M8×14 42max 34max （Applications） Various rectifiers AC/DC motor drives Heater controls Light dimmers Static switches K1 （A2） （K2） 80±0.3 PK PD Unit：A PE ■Maximum Ratings Ratings Symbol Item PK200GB40 PE200GB40 PD200GB40 PK200GB80 PE200GB80 PD200GB80 Unit VRRM ＊Repetitive Peak Reverse Voltage 400 800 V VRSM ＊Non-Repetitive Peak Reverse Voltage 480 960 V VDRM Repetitive Peak Off-State Voltage 400 800 V Symbol Item IT（AV） ＊Average On-State Current Conditions Single phase, half wave, 180°conduction, Tc：74℃ IT（RMS） ＊R.M.S. On-State Current Single phase, half wave, 180°conduction, Tc：74℃ ITSM ＊Surge On-State Current 1／cycle, 2 ＊I t Value for one cycle of surge current It 2 2 50Hz/60Hz, peak Value, non-reqetitive Ratings Unit 200 A 310 A 5000/5500 125000 A A2S PGM Peak Gate Power Dissipation 10 W PG（AV） Average Gate Power Dissipation 3 W IFGM Peak Gate Current 3 A VFGM Peak Gate Voltage（Forward） 10 V VRGM Peak Gate Voltage（Reverse） 5 V di/dt VISO Tj Tstg IG＝100mA，Tj＝25℃，VD＝1／2VDRM，dIG/dt＝0.1A/μs 200 A/μs 2500 V ＊Operating Junction Temperature −40 to ＋125 ℃ ＊Storage Temperature −40 to ＋125 ℃ 2.7（28） 11（115） N･ｍ （㎏f･B） 510 g Ratings Unit Critical Rate of Rise of On-State Current ＊Isolation Breakdown Voltage（R.M.S.） Mounting Torque A.C. 1 minute Mounting（M5） Recommended Value 1.5-2.5（15-25） Terminal（M8） Recommended Value 8.8-10 （90-105） Typical Value Mass ■Electrical Characteristics Symbol Item IDRM Repetitive Peak Off-State Current, max. at VDRM, Single phase, half wave, Tj＝125℃ IRRM ＊Repetitive Peak Reverse Current, max. at VDRM, Single phase, half wave, Tj＝125℃ VTM ＊Peak On-State Voltage, max. On-State Current 600A, Tj＝125℃ Inst. measurement IGT/VGT VGD tgt dv/dt IH IL Conditions 50 mA 50 mA 1.50 V 100/3 0.25 mA/V V Gate Trigger Current/Voltage, max. Non-Trigger Gate, Voltage. min. Tj＝25℃，IT＝1A，VD＝6V Turn On Time, max. IT＝200A，IG＝100mA，Tj＝25℃, VD＝1／2VDRM，dIG/dt＝0.1A/μs Critical Rate of Rise of Off-State Voltage, min. Tj＝125℃, VD＝2／3VDRM, Exponential wave. Holding Current, typ. Tj＝25℃ Lutching Current, typ. Tj＝25℃ 100 mA Junction to case 0.18 ℃/W Rth（j-c）＊Thermal Impedance, max. Tj＝125℃，VD＝1／2VDRM 10 μs 500 V/μs 50 mA ＊mark：Thyristor and Diode part. No mark：Thyristor part SanRex 50 Seaview Blvd. Port Washington, NY 11050-4618 PH.(516)625-1313 FAX(516)625-8845 E-mail: [email protected] ;; PK(PD,PE)200GB Pe P ak P （ eak owe Gat （ 10 G r e 10 W at W ） e Av Po ） er we ag r e Ga te Po we （ r 3W ） ２ Peak Forward Voltage （10V） Peak Gate Forward Gate Voltage（10V） ５ ２ １００ 25℃ 125℃ ２ ５ ２ １０２ ５ Maximum Gate Non-Trigger Voltage（3A） ２ １０１ ０． ５ −１ １０ １ １０ ５ １０２ ２ １０３ ５ ２ ５ １４０ Power Dissipation（W） ３． ０ ９ ０゜ ２００ Per one element １２０ DC １ ８ ０゜ １ ２ ０゜ １００ ６ ０゜ ３ ０゜ 0 １００ π ２π θ 360゜ ０ ０ １００ ２００ ３００ ４００ Transient Thermal Impedance θj-c（℃/W） Per one element Ｔ ｊ=２５℃ start ５０００ ４０００ 60Hz 50Hz ２０００ Tj 25℃ start １０００ ０ ０ １０ W3 ２ １０１ ５ ２ ５ １０２ Time（cycles） ８０ ID（Ar.m.s.） W1:Bidirectional connection ７０ W3 １５００ ８０ B6 Rth(f-a):0.5℃/W Rth(f-a):0.4℃/W Rth(f-a):0.3℃/W Rth(f-a):0.2℃/W Rth(f-a):0.1℃/W Rth(f-a):0.05℃/W １２００ ９００ ９０ １００ ６００ １１０ W1 ３００ Conduction Angle θ 180° ０ ０ ２５０ Rth(f-a): Thermal resistance between fin ambient ５００ ０ ２０ ４０ ６０ ８０ １００１２０ Output Current（A） 360゜ θ：Conduction Angle ６０ DC ２ ０゜ １ ８ ０゜ ３ ０゜ ６ ０゜ １ ０゜９ ４０ ０ ０． ２ １００ ２００ ３００ ４００ １２０ １２５ Ambient Temperature（℃） Transient Thermal Impedance Maximum ０． １ Junction to Case Per one element ０ -３ １０ ２ W１；Bidirectional connection ５ １０-２ ２ ５ １０-１ ２ Time t（sec） B２；Two Pluse bridge connection Allowable Case Temperature（℃） Output Current ２π θ Average On-state Current（A） Surge On-State Current Rating （Non-Repetitive） ３０００ π 0 Average On-State Current（A） Surge On-State Current（A） ２． ５ Average On-State Current Vs Maximum Allowable Case Temperature（Single phase half wave） θ：Conduction Angle Total Power Dissipation（W） ２． ０ Average On-State Current Vs Power Dissipation （Single phase half wave） ３００ １８００ １． ５ On-State Voltage（V） Per one element ６０００ １． ０ Gate Current（mA） Allowable Case Temperature（℃） ４００ ２ Rth(f-a):0.5℃/W Rth(f-a):0.4℃/W Rth(f-a):0.3℃/W Rth(f-a):0.2℃/W Rth(f-a):0.1℃/W Rth(f-a):0.05℃/W ７０ B6 ８０ W3 ７０ Id（Aav.） Id（Ar.m.s.） １００ １２０ １２５ Ambient Temperature（℃） ８０ ９０ ９０ １１０ ０ ２０ ４０ ６０ ８０ １００１２０ ５ １０１ B６；Six pulse bridge connection Ｗ３；Three phase bidiretional connection Id（Aav.） 総 損 失 （W） ５ １００ ２ Rth(f-a):0.5℃/W Rth(f-a):0.4℃/W Rth(f-a):0.3℃/W Rth(f-a):0.2℃/W Rth(f-a):0.1℃/W Rth(f-a):0.05℃/W ０ ２０ ４０ ６０ ８０ １００１２０ １００ １１０ １２０ １２５ Ambient Temperature（℃） Allowable Case Temperature（℃） ５ −30℃ Tj＝１２５℃ １０３ On-State Current（A） １０１ Gate Voltage（V） On-State Characteristics Gate Characteristics Peak Gate Current Current （3A） P eak Gate （3A） ２