THYRISTOR MODULE PK(PD,PE)200HB UL;E76102 （M） Power Thyristor/Diode Module PK200HB series are designed for various rectifier circuits and power controls. For your circuit application. following internal connections and wide voltage ratings up to 1,600V are available. 92 12 26 7 60 48 24 5 12 5 K1G1 K2G2 4-φ6（M5） Isolated mounting base ● IT（AV）200A, IT（RMS）310A, ITSM 5500A ● di/dt 200 A/μs ● dv/dt 500V/μs 2 18 Internal Configurations R8.0 M8×14 A1K2 2 1 （K2） K1 G1 （A2） K2 3 A1K2 2 1 （K2） K1 G1 （A2） K2 G2 3 A1K2 2 1 （K2） 5 2 K2 G2 3 33 ♯110TAB （2.8.0.5T） 42max 34max （Applications） Various rectifiers AC/DC motor drives Heater controls Light dimmers Static switches 26 K1 （A2） 80±0.3 PK PD Unit：A PE ■Maximum Ratings Symbol Item PK200HB120 PE200HB120 Ratings PD200HB120 PK200HB160 PE200HB160 PD200HB160 Unit VRRM ＊Repetitive Peak Reverse Voltage 1200 1600 V VRSM ＊Non-Repetitive Peak Reverse Voltage 1300 1700 V VDRM Repetitive Peak Off-State Voltage 1200 1600 V Symbol Item IT（AV） ＊Average On-State Current Conditions Single phase, half wave, 180°conduction, Tc：74℃ IT（RMS） ＊R.M.S. On-State Current Single phase, half wave, 180°conduction, Tc：74℃ ITSM ＊Surge On-State Current 1／cycle, 2 ＊I t Value for one cycle of surge current It 2 PGM PG（AV） 2 50Hz/60Hz, peak Value, non-reqetitive Peak Gate Power Dissipation Ratings Unit 200 A 310 A 5000/5500 125000 A A2S 10 W Average Gate Power Dissipation 3 W IFGM Peak Gate Current 3 A VFGM Peak Gate Voltage（Forward） 10 V VRGM Peak Gate Voltage（Reverse） 5 V di/dt VISO Tj Tstg IG＝100mA，Tj＝25℃，VD＝1／2VDRM，dIG/dt＝0.1A/μs 200 A/μs 2500 V ＊Operating Junction Temperature −40 to ＋125 ℃ ＊Storage Temperature −40 to ＋125 ℃ 2.7（28） 11（115） N･ｍ （㎏f･B） 510 g Ratings Unit Critical Rate of Rise of On-State Current ＊Isolation Breakdown Voltage（R.M.S.） Mounting Torque A.C. 1 minute Mounting（M5） Recommended Value 1.5-2.5（15-25） Terminal（M8） Recommended Value 8.8-10 （90-105） Typical Value Mass ■Electrical Characteristics Symbol Item IDRM Repetitive Peak Off-State Current, max. Conditions at VDRM, Single phase, half wave, Tj＝125℃ IRRM ＊Repetitive Peak Reverse Current, max. at VDRM, Single phase, half wave, Tj＝125℃ VTM ＊Peak On-State Voltage, max. On-State Current 750A, Tj＝125℃ Inst. measurement IGT/VGT VGD tgt dv/dt IH IL 50 mA 50 mA 1.50 V 100/3 0.25 mA/V V Gate Trigger Current/Voltage, max. Non-Trigger Gate, Voltage. min. Tj＝25℃，IT＝1A，VD＝6V Turn On Time, max. IT＝250A，IG＝100mA，Tj＝25℃，VD＝1／2VDRM，dIG/dt＝0.1A/μs Critical Rate of Rise of Off-State Voltage, min. Tj＝125℃，VD＝2／3VDRM，Exponential wave. Holding Current, typ. Tj＝25℃ Lutching Current, typ. Tj＝25℃ 100 mA Junction to case 0.18 ℃/W Rth（j-c） ＊Thermal Impedance, max. Tj＝125℃，VD＝1／2VDRM 10 μs 500 V/μs 50 mA ＊mark：Thyristor and Diode part. No mark：Thyristor part SanRex 50 Seaview Blvd. Port Washington, NY 11050-4618 PH.(516)625-1313 FAX(516)625-8845 E-mail: [email protected] ;; ２ Peak Forward Gate Voltage（10V） ５ ２ ０ １０ −30℃ 25℃ ５ 125℃ Tj＝125℃ １０３ １０１ ５ １０２ １０３ ５ ２ ２ １０１ ０． ５ ５ Power Dissipation（W） ２． ５ ３． ０ Average On-State Current Vs Maximum Allowable Case Temperature（Single phase half wave） １４０ ９ ０゜ ２００ １００ ６ ０゜ ３ ０゜ 0 １００ π ２π θ 360゜ θ：Conduction Angle ０ ０ １００ ２００ ３００ Per one element １２０ DC １ ８ ０゜ １ ２ ０゜ ４００ Transient Thermal Impedance θj-c（℃/W） Per one element Ｔ ｊ=２５℃ start ５０００ ４０００ 60Hz 50Hz ２０００ １０００ ０ １ ２ ５ １０ ２０ ５０ １００ Time（cycles） Output Current W１；Bidirectional connection ID（Ar.m.s.） W1:Bidirectional connection ７０ 360゜ θ：Conduction Angle ６０ W3 １５００ ８０ B6 Rth(f-a):0.5℃/W Rth(f-a):0.4℃/W Rth(f-a):0.3℃/W Rth(f-a):0.2℃/W Rth(f-a):0.1℃/W Rth(f-a):0.05℃/W １２００ ９００ B2 ９０ １００ ６００ １１０ W1 ３００ Conduction Angle θ 180° ０ ０ ２５０ Rth(f-a): Thermal resistance between fin ambient ５００ ０ ２０ ４０ ６０ ８０ １００１２０ Output Current（A） １２０ １２５ Ambient Temperature（℃） DC ２ ０゜ １ ８ ０゜ ３ ０゜ ６ ０゜ １ ０゜９ ４０ ０ １００ ２００ ０． ２ ３００ ４００ Transient Thermal Impedance Maximum ０． １ Junction to Case Per one element ０ -３ １０ ２ ５ １０-２ ２ ５ １０-１ ２ ５ １００ ２ ５ １０１ Time t（sec） B２；Two Pluse bridge connection Allowable Case Temperature（℃） １８００ ２π θ Average On-State Current（A） Surge On-State Current Rating （Non-Repetitive） ３０００ π 0 ８０ Average On-State Current（A） Surge On-State Current（A） ２． ０ Average On-State Current Vs Power Dissipation （Single phase half wave） ３００ Total Power Dissipation（W） １． ５ On-State Voltage（V） Per one element ６０００ １． ０ Gate Current（mA） Allowable Case Temperature（℃） ４００ ２ ５ ２ ー１ １０ ２ １０２ Maximum Gate Non-Trigger Voltage（3A） ２ ５ Id（Aav.） Rth(f-a):0.5℃/W Rth(f-a):0.4℃/W Rth(f-a):0.3℃/W Rth(f-a):0.2℃/W Rth(f-a):0.1℃/W Rth(f-a):0.05℃/W ７０ B6 ８０ W3 Id（Aav.） Id（Ar.m.s.） ９０ １００ １１０ ０ ２０ ４０ ６０ ８０ １００１２０ B６；Six pulse bridge connection Ｗ３；Three phase bidiretional connection １２０ １２５ Ambient Temperature（℃） ７０ ８０ ９０ Rth(f-a):0.5℃/W Rth(f-a):0.4℃/W Rth(f-a):0.3℃/W Rth(f-a):0.2℃/W Rth(f-a):0.1℃/W Rth(f-a):0.05℃/W ０ ２０ ４０ ６０ ８０ １００１２０ １００ １１０ １２０ １２５ Ambient Temperature（℃） Allowable Case Temperature（℃） PP （（1eeaakk 100 GG WW） aat te ） e P AAv Poo veer wwee raag gee rr GGa atte eP Poo wwe e（ r（ r3 3W W） ） On-State Current（A） １０１ Gate Voltage（V） On-State Characteristics Gate Characteristics Peak Gate Current（3A） ２ PK(PD,PE)200HB