HUASHAN A126AG-00

PNP
汕头华汕电子器件有限公司
SILICON
TRANSISTOR
1357 晶体管芯片说明书
█ 芯片简介
█ 管芯示意图
芯片尺寸:4 英寸(100mm)
芯片代码:A126AG-00
芯片厚度:240±20µm
管芯尺寸:1260×1260µm 2
焊位尺寸:B 极 308×308µm 2;E 极 308×385µm 2
电极金属:铝
背面金属:银
典型封装:2SA1357,H1357
█ 极限值(Ta=25℃)(封装形式:TO-126)
Tstg——贮存温度………………………………… -55~150℃
Tj——结温………………………………………………150℃
PC——集电极功率耗散(Tc=25℃)……………………… 10W
PC——集电极功率耗散(Ta=25℃)………………………1.5W
VCBO——集电极—基极电压……………………………-40V
VCEO——集电极—发射极电压…………………………-20V
VEBO——发射极—基极电压………………………………-8V
IC——集电极电流(DC)……………………………………-5A
I C ——集电极电流(脉冲)…………………………………-8A
IB——基极电流……………………………………………-1A
█ 电参数(Ta=25℃)(封装形式:TO-126)
参数符号
符
号
说
明
IEBO
hFE
集电极—发射极击穿电压
集电极—发射极截止电流
发射极—基极截止电流
直流电流增益
VCE(sat)
VBE(on)
集电极—发射极饱和电压
基极—发射极导通电压
fT
Cob
特征频率
共基极输出电容
V(BR)CEO
ICBO
最小值 典型值 最大值 单 位
-20
-100
-100
600
140
70
Pulse Test: PW=10mS(max),Duty Cycle=30%(min)
1.0
-1.5
170
60
V
nA
nA
V
V
MHz
pF
测
试
条
件
IC=-10mA,IB=0
VCE=-40V,IB=0
VEB=-8V,IC=0
VCE=-2V,IC=-500mA
VCE=-2V,IC=-4A
IC=-4A,IB=-100mA
VCE=-2V,IC=-4A
VCE=-2V,IE=-500mA
VCB=-10V,IE=0,
f=1MHz