ETC UNR1231(UN1231)

抵抗内蔵トランジスタ
UNR1231 (UN1231), UNR1231A (UN1231A)
シリコンNPNエピタキシャルプレーナ形
Unit : mm
低周波増幅用
■ 絶対最大定格 Ta = 25°C
コレクタ・ベース間
UNR1231
電圧(E 開放時)
UNR1231A
コレクタ・エミッタ間
UNR1231
電圧(B 開放時)
UNR1231A
定格
単位
VCBO
20
V
(1.0)
4.5±0.1
4.1±0.2
2.0±0.2
0.45±0.05
0.55±0.1
60
VCEO
20
3
V
2
(2.5)
1
1 : Base
2 :Collector
3 : Emitter
M-A1 Package
(2.5)
50
コレクタ電流
IC
0.7
A
尖頭コレクタ電流
ICP
1.5
A
PT
1.0
W
接合温度
Tj
150
°C
保存温度
Tstg
−55 ∼ +150
°C
*
2.4±0.2
(0.85)
記号
1.25±0.05
項目
R 0.9
R 0.7
1.0±0.1
• 直流電流増幅率 hFE が高い
• M 型モールドパッケージ
• 機器の小形化 , 部品点数の削減によりコストダウン可能
(1.0)
(1.5)
3.5±0.1
(0.4)
■ 特 長
全許容損失
2.5±0.1
6.9±0.1
(1.5)
内部接続図
注 ) * : プリント基板 ; コレクタ部分の銅箔面積 1cm2 以上，厚み 1.7mm
R1(1 kΩ)
B
C
R2
(47 KΩ)
E
■ 電気的特性 Ta = 25°C ± 3°C
項目
記号
コレクタ・ベース間
UNR1231
電圧(E 開放時)
UNR1231A
コレクタ・エミッタ間
UNR1231
電圧(B 開放時)
UNR1231A
VCBO
条件
IC = 10 µA, IE = 0
最小
標準
最大
20
単位
V
60
VCEO
IC = 1 mA, IB = 0
20
V
50
コレクタ・ベース間遮断電流(E 開放時)
ICBO
VCB = 15 V, IE = 0
1
µA
コレクタ・エミッタ間遮断電流(B 開放時)
ICEO
VCE = 15 V, IB = 0
10
µA
エミッタ・ベース間遮断電流 (C 開放時)
IEBO
VEB = 14 V, IC = 0
0.5
mA
hFE
VCE = 10 V, IC = 150 mA
2 100

VCE(sat)
IC = 500 mA, IB = 5 mA
直流電流増幅率
*
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
トランジション周波数
*
fT
800
0.4
VCB = 20 V, IE = −20 mA, f = 200 MHz
55
V
MHz
入力抵抗
R1
0.7
1
1.3
kΩ
抵抗比率
R1/R2
0.016
0.021
0.025

注 ) 1. 測定方法は，日本工業規格 JIS C 7030 トランジスタ測定方法によります。
2. * : パルス測定
注) 形名の( )内は , 従来品番です
発行年月 : 2003年10月
SJH00005BJD
1
UNR1231, UNR1231A
PT  Ta
IC  VCE
1.2
Copper plate at the collector
is more than 1 cm2 in area,
1.7 mm in thickness
コレクタ電流 IC (A)
全許容損失 PT (W)
Ta = 25°C
IB = 1.2 mA
1.0
1.2
0.8
VCE(sat)  IC
コレクタ・エミッタ間飽和電圧 VCE(sat) (V)
1.6
1.0 mA
0.8 mA
0.8
0.6 mA
0.6
0.4 mA
0.4
0.2 mA
0.4
0.2
0
0
0
40
80
120
0
160
hFE  IC
コレクタ出力容量(入力開放時) Cob (pF)
直流電流増幅率 hFE
Ta = 75°C
25°C
1 200
−25°C
800
400
0.1
1
コレクタ電流 IC (A)
2
8
10
12
Cob  VCB
2 000
0
0.01
6
30
VCE = 10 V
1 600
4
コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V)
周囲温度 Ta (°C)
2 400
2
10
25
20
15
10
5
0
0.1
1
10
100
コレクタ・ベース間電圧 VCB (V)
SJH00005BJD
100
IC / IB = 100
10
Ta = 75°C
1
−25°C
25°C
0.1
0.01
0.01
0.1
1
コレクタ電流 IC (A)
10
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2003 SEP