ETC 2SK0615(2SK615)

シリコン MOS FET (小信号)
2SK0615 (2SK615)
シリコンNチャネルMOS形
スイッチング用
Unit : mm
■特 長
2.4±0.2
1.0±0.1
単位
VDS
80
V
ゲート· ソース電圧
VGSO
20
V
ドレイン電流
ID
±0.5
A
最大ドレイン電流
IDP
±1
A
*
1
(2.5)
許容損失
PD
1
W
チャネル部温度
Tch
150
°C
保存温度
Tstg
−55 ~ +150
°C
0.45±0.05
0.55±0.1
1.25±0.05
定格
4.1±0.2
2.0±0.2
4.5±0.1
3.5±0.1
R 0.9
(0.85)
記号
ドレイン·ソース電圧
プリント基板:
(1.5)
R 0.7
■ 絶対最大定格 (Ta = 25°C)
項目
(1.0)
(1.0)
(0.4)
● 低いオン抵抗
● スイッチング速度が速い。
● CMOS, TTL で直接駆動
● M型パッケージで自動挿入、
手挿入が容易、P板に自立固定で
きる。
*
2.5±0.1
6.9±0.1
(1.5)
2
1: Source
2: Drain
3: Gate
EIAJ: SC-71
M-A1 Package
3
(2.5)
ドレイン部分の銅箔面積 1cm2 以上、厚み 1.7mm
■ 電気的特性 (Ta = 25°C)
項目
記号
条件
最小
標準
最大
単位
ドレイン·ソースしゃ断電流
IDSS
VDS = 60V, VGS = 0
10
µA
ゲート·ソース漏れ電流
IGSS
VGS = 20V, VDS = 0
0.1
µA
ドレイン·ソース降伏電圧
VDSS
IDS = 100µA, VGS = 0
80
ゲートしきい値電圧
Vth
ID = 1mA, VDS = VGS
1.5
ドレイン·ソース間オン抵抗
RDS(on)
順方向伝達アドミタンス
| Yfs |
*1
ID = 0.5A, VGS = 10V
V
3.5
2
ID = 0.2A, VDS = 15V, f = 1kHz
4
V
Ω
300
mS
45
pF
30
pF
入力容量 (ソース接地)
Ciss
出力容量 (ソース接地)
Coss
帰還容量 (ソース接地)
Crss
8
pF
ターンオン時間
ton*1, 2
15
ns
ターンオフ時間
toff*1, 2
20
ns
*1
*2
VDS = 10V, VGS = 0, f = 1MHz
パルス測定
ton, toff 測定回路
Vout
Vin = 10V
t = 1µS
f = 1MHZ
Vin
68Ω
50Ω
VDD = 30V
10%
Vin
10%
90%
90% V
Vout
out
ton
toff
注 ) ( )内は , 従来品番です
1
シリコンMOS FET (小信号)
2SK0615
PD  Ta
ID  VDS
1.6
1.2
1.2
Ta=25˚C
ドレイン電流 ID (A)
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
VDS=10V
Ta=25˚C
VGS=5.5V
1.0
1.0
5V
0.8
4.5V
0.6
4V
0.4
ドレイン電流 ID (A)
Copper plate at the Drain is
more than 1cm2 in area,
1.7mm in thickness.
1.4
許容損失 PD (W)
ID  VGS
0.8
0.6
0.4
3.5V
0.2
0.2
0.2
3V
0
0
20
40
60
80 100 120 140 160
0
0
周囲温度 Ta (˚C)
VDS=15V
f=1kHz
Ta=25˚C
500
400
300
200
100
入力容量（ソース接地）, 出力容量（ソース接地）,
帰還容量（ソース接地） Ciss, Coss, Crss (pF)
順方向伝達アドミタンス |Yfs| (mS)
6
120
1
2
3
4
5
6
ゲート・ソース電圧 VGS (V)
RDS(on)  Ta
6
ID=500mA
5
4
VGS=5V
3
10V
2
1
0
–50
–25
0
25
10
0
2
100
80
60
40
Ciss
20
Coss
Crss
50
周囲温度 Ta (˚C)
75
1
3
10
30
100
4
6
8
10
ゲート・ソース電圧 VGS (V)
RDS(on)  VGS
VGS=0
f=1MHz
Ta=25˚C
0
0
8
Ciss, Coss, Crss  VDS
0
ドレイン・ソース間オン抵抗 RDS(on) (Ω)
4
ドレイン・ソース電圧 VDS (V)
| Yfs |  VGS
600
2
2
ドレイン・ソース間オン抵抗 RDS(on) (Ω)
0
6
ID=500mA
5
4
3
Ta=75˚C
2
25˚C
–25˚C
1
0
300
1000
ドレイン・ソース電圧 VDS (V)
0
4
8
12
16
ゲート・ソース電圧 VGS (V)
20
本資料に記載の技術情報および半導体のご使用にあたってのお願いと注意事項
(1)
本資料に記載の製品および技術で、
「外国為替及び外国貿易法」に該当するものを輸出する時、
ま
たは、国外に持ち出す時は、日本政府の許可が必要です。
(2)
本資料に記載の技術情報は製品の代表特性および応用回路例などを示したものであり、
弊社もし
くは第三者の知的財産権その他の権利に対する保証または実施権の許諾を意味するものではあり
ません。
(3)
上記に起因する第三者所有の権利にかかわる問題が発生した場合、
当社はその責を負うものでは
ありません。
(4)
本資料に記載されている製品は、
標準用途 — 一般電子機器(事務機器、
通信機器、
計測機器、
家電
製品など)に使用されることを意図しております。
特別な品質、
信頼性が要求され、
その故障や誤動作が直接人命を脅かしたり、
人体に危害を及ぼす
恐れのある用途 — 特定用途(航空・宇宙用、交通機器、燃焼機器、生命維持装置、安全装置など)に
ご使用をお考えのお客様および当社が意図した標準用途以外にご使用をお考えのお客様は、
事前に
弊社営業窓口までご相談願います。
(5)
本資料に記載しております製品および製品仕様は、
改良などのために予告なく変更する場合があ
りますのでご了承ください。
したがって、
最終的な設計、
ご購入、
ご使用に際しましては、
事前に最新
の製品規格書または仕様書をお求め願い、ご確認ください。
(6)
設計に際して、
特に最大定格、
動作電源電圧範囲、
放熱特性については保証範囲内でご使用いただ
きますようお願い致します。
保証値を超えてご使用された場合、
その後に発生した機器の欠陥につ
いては弊社として責任を負いません。
また、
保証値内のご使用であっても、
半導体製品について通常予測される故障発生率、
故障モード
をご考慮の上、
弊社製品の動作が原因でご使用機器が人身事故、
火災事故、
社会的な損害などを生じ
させない冗長設計、
延焼対策設計、
誤動作防止設計などのシステム上の対策を講じて頂きますよう
お願い致します。
(7)
防湿包装を必要とする製品につきましては、
個々の仕様書取り交わしの折、
取り決めた条件 (保存
期間、
開封後の放置時間など)を守ってご使用ください。
(8)
本資料の一部または全部を弊社の文書による承諾なしに、
転載または複製することを堅くお断り
いたします。
2002 JUL