ＩＧＢＴ Ｍｏｄｕｌｅ－Ｃｈｏｐｐｅｒ □ 外 形 寸 法 図 ： ＯＵＴＬＩＮＥ ＤＲＡＷＩＮＧ 3-M6 (C1) 3 7(G2) 6(E2) 1 4-Ø 6.5 7 3 2 6 62 11 13 20 (E2) 2 108 93 ± 0 .2 5 14 11 14 11 14 6 48 ± 0 .2 5 □ 回 路 図 ： ＣＩＲＣＵＩＴ (C2E1) 1 ＰＲＨＭＢ４００Ｂ１２ ４００ Ａ，１２００Ｖ 25 9 16 9 24 16 30 +1.0 - 0.5 8 16 25 7 23 LABEL Dimension:［mm］ □ 最 大 定 格 ： ＭＡＸＩＭＵＭ ＲＡＴＩＮＧＳ （ＴＣ＝２５℃） Ｉｔｅｍ コレクタ・エミッタ間電圧 Ｃollector-Ｅmitter Ｖoltage ゲ ー ト・エ ミ ッ タ 間 電 圧 Ｇate-Ｅmitter Ｖoltage Ｒａｔｅｄ Ｓｙｍｂｏｌ Ｖａｌｕｅ Ｕｎｉｔ ＶＣＥＳ １，２００ Ｖ ＶＧＥＳ ±２０ Ｖ ＩＣ ＩＣＰ ４００ ８００ Ａ コ レ ク タ 損 失 Ｃollector Ｐower Ｄissipation ＰＣ １，９００ Ｗ 接 合 温 度 Ｊunction Ｔemperature Ｒange Ｔｊ －４０～＋１５０ ℃ 保 存 温 度 Ｓtorage Ｔemperature Ｒange Ｔｓｔｇ －４０～＋１２５ ℃ ＤＣ １ｍｓ コ レ ク タ 電 流 Ｃollector Ｃurrent 絶 縁 耐 圧(Ｔerminal to Ｂase ＡＣ,１ｍinute) Ｉsolation Ｖoltage Ｍodule Ｂase to Ｈeatsink 締 め 付 け ト ル ク Ｍounting Ｔorque Ｂusbar to Ｍain Ｔerminal □ 電 気 的 特 性 ＶＩＳＯ ２,５００ Ｖ（ＲＭＳ） Ｆｔｏｒ ３（３０.６） Ｎ・ｍ (kgf･cm) ： ＥＬＥＣＴＲＩＣＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ （ＴＣ＝２５℃） Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ コ レ ク タ 遮 断 電 流 Ｃollector-Ｅmitter Ｃut-Ｏff Ｃurrent ゲ ー ト 漏 れ 電 流 Ｇate-Ｅmitter Ｌeakage Ｃurrent Ｓｙｍｂｏｌ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ Ｍｉｎ. Ｔｙｐ. Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ ＩＣＥＳ ＶＣＥ= 1200V,ＶＧＥ= 0V － － ８.０ ｍＡ ＩＧＥＳ ＶＧＥ= ±20V,ＶＣＥ= 0V － － １.０ μＡ コレクタ・エミッタ間飽和電圧 Ｃollector-Ｅmitter Ｓaturation Ｖoltage ＶＣＥ（ｓａｔ） ＩＣ= 400A,ＶＧＥ= 15V － １.９ ２.４ Ｖ ゲ ー ト し き い 値 電 圧 Ｇate-Ｅmitter Ｔhreshold Ｖoltage ＶＧＥ（ｔｈ） ＶＣＥ= 5V,ＩＣ= 400mA ４ － ８ Ｖ Ｃｉｅｓ ＶＣＥ= 10V,ＶＧＥ= 0V,ｆ= 1MHＺ － 25,000 － ｐＦ ｔｒ ｔｏｎ ｔｆ ｔｏｆｆ ＶＣＣ= 600V ＲL= 1.5Ω ＲG= 1Ω ＶＧＥ= ±15V － － － － ０.２５ ０.４０ ０.２５ ０.８０ ０.４５ ０.７０ ０.３５ １.１０ μｓ 入 力 容 量 Ｉnput Ｃapacitance 上 昇 時 間 ターンオン時間 下 降 時 間 ターンオフ時間 スイッチング時間 Ｓwitching Ｔime Ｒise Ｔurn-on Ｆall Ｔurn-off □フリーホイーリングダイオードの 特 性： ＦＲＥＥ Ｔime Ｔime Ｔime Ｔime ＷＨＥＥＬＩＮＧ ＤＩＯＤＥ ＲＡＴＩＮＧＳ ＆ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ（ＴＣ＝２５℃） Ｉｔｅｍ 順 電 流 Ｆorward Ｃurrent ＤＣ １ｍｓ Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ 順 電 圧 Ｐeak Ｆorward Ｖoltage 逆 回 復 時 間 Ｒeverse Ｒecovery Ｔime □ 熱 的 特 性 Ｒａｔｅｄ Ｖａｌｕｅ ４００ ８００ Ｓｙｍｂｏｌ ＩＦ ＩＦＭ Ｓｙｍｂｏｌ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ Ｕｎｉｔ Ａ Ｍｉｎ. Ｔｙｐ. Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ ＶＦ ＩＦ= 400A,ＶＧＥ= 0V － １.９ ２.４ Ｖ ｔｒｒ ＩＦ= 400A,ＶＧＥ= -10V ｄi/ｄt= 800A/μs － ０.２ ０.３ μｓ Ｍｉｎ. － － Ｔｙｐ. － － ： ＴＨＥＲＭＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ 熱 抵 抗 ＩＧＢＴ Ｔhermal Ｉmpedance Ｄiode Ｓｙｍｂｏｌ Ｒth(j-c) Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ Junction to Case 日本インター株式会社 Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ ０.０６５ ℃／Ｗ ０.１２ ＰＲＨＭＢ４００Ｂ１２ Fig.2- Collector to Emitter On Voltage vs. Gate to Emitter Voltage (Typical) Fig.1- Output Characteristics (Typical) TC=25℃ VGE =20V 12V I C=200A 10V 15V Collector Current I C (A) 600 9V 400 8V 200 7V 0 0 2 TC=25℃ 16 Collector to Emitter Voltage V CE (V) 800 4 6 8 14 400A 12 10 8 6 4 2 0 10 0 4 Fig.3- Collector to Emitter On Voltage vs. Gate to Emitter Voltage (Typical) Collector to Emitter Voltage V CE (V) Collector to Emitter Voltage V CE (V) 12 10 8 6 4 2 4 8 12 16 16 RL=1.5Ω TC=25℃ 700 14 600 12 500 10 8 400 VCE =600V 6 300 400V 200 2 100 0 20 0 500 1000 10000 Coes 5000 2000 Cres 500 tOFF 1 0.8 tf 0.6 0.4 0.2 0.5 1 2 5 10 20 0 3000 V CC=600V R G= 1.0 Ω V GE =±15V TC=25℃ 1.2 Switching Time t (μs) Capacitance C (pF) 20000 0.2 2500 1.4 VGE=0V f=1MHZ TC=25℃ Cies 0.1 2000 Fig.6- Collector Current vs. Switching Time (Typical) Fig.5- Capacitance vs. Collector to Emitter Voltage (Typical) 200 1500 Total Gate Charge Qg (nC) 100000 1000 4 200V Gate to Emitter Voltage V GE (V) 50000 20 50 100 200 0 tON tr 0 100 200 Collector Current IC (A) Collector to Emitter Voltage V CE (V) 日本インター株式会社 300 400 Gate to Emitter Voltage V GE (V) 400A 0 16 800 800A 14 0 12 Fig.4- Gate Charge vs. Collector to Emitter Voltage (Typical) TC=125℃ I C=200A 8 Gate to Emitter Voltage V GE (V) Collector to Emitter Voltage V CE (V) 16 800A ＰＲＨＭＢ４００Ｂ１２ Fig.8- Forward Characteristics of Free Wheeling Diode (Typical) Fig.7- Series Gate Impedance vs. Switching Time (Typical) 800 10 VCC=600V I C=400A VGE =±15V TC=25℃ TC=25℃ toff ton 2 tr 1 tf 0.5 0.2 0.1 0.05 600 500 400 300 200 100 0.5 1 2 5 10 20 0 50 0 1 2 3 4 Forward Voltage V F (V) Series Gate Impedance R G (Ω) Fig.9- Reverse Recovery Characteristics (Typical) Fig.10- Reverse Bias Safe Operating Area 1000 5000 IF=400A TC=25℃ R G=1Ω V GE=±15V TC≦125℃ 2000 1000 500 500 300 Collector Current I C (A) trr 200 100 50 I RrM 200 100 50 20 10 2 1 20 0.5 0.2 400 800 1200 1600 2000 0.1 2400 0 400 -di/dt (A/μs) 800 Fig.11- Transient Thermal Impedance 5x10 -1 2x10 -1 1x10 -1 5x10 -2 FRD IGBT 2x10 -2 1x10 -2 5x10 -3 2x10 -3 1x10 -3 TC=25℃ 5x10 -4 2x10 1 Shot Pulse -4 10 -5 1200 Collector to Emitter Voltage V CE (V) 1 (℃/W) 0 (J-C) 10 Transient Thermal Impedance Rth Peak Reverse Recovery Current I RrM (A) Reverse Recovery Time trr (ns) TC=125℃ 700 Forward Current I F (A) Switching Time t (μs) 5 10 -4 10 -3 10 -2 10 -1 Time t (s) 日本インター株式会社 1 10 1 1600