Technische Information / Technical Information Schnelle Gleichrichterdiode Fast Diode D 138 S 08...10 S Elektrische Eigenschften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische Spitzensperrspannung repetitive peak forward reverse voltage T vj = - 25°C...Tvj max VRRM 800 900 1000 V V V Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak reverse voltage T vj = + 25°C...Tvj max VRSM 900 1000 1100 V V V IFRMSM 230 A IFAVM 138 146 A A IFSM 1950 1600 A A Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert RMS forward current Dauergrenzstrom mean forward current T C =85°C Stoßstrom-Grenzwert surge foward current T vj = 25°C, tp = 10 ms Grenzlastintegral I²t-value T vj = 25°C, tp = 10ms T C =82°C T vj = Tvj max, tp = 10 ms I²t 19000 12800 T vj = Tvj max, tp = 10ms A²s A²s Charakteristische Werte / Characteristic values Durchlaßspannung forward voltage T vj = Tvj max, iF = 450 A vF max. 2,4 V Schleusenspannung threshold voltage T vj = Tvj max V(TO) 1,32 V Ersatzwiderstand forward slope resistance T vj = Tvj max rT 2,2 mΩ Spitzenwert der Durchlaßverzögerungsspannung peak value of forward recovery voltage IEC 747-2 VFRM 9,5 V 1) 1) T vj = Tvj max diF/dt=100A/µs, vR=0V Durchlaßverzögerungszeit forward recovery time IEC 747-2, Methode / method II tfr max. 1,1 µs iR max. max. 5 40 mA mA IRM 47 A 1) Qr 32 µAs 1) trr 1,1 µs 1) T vj = Tvj max, iFM=diF/dt*tfr diF/dt=100A/µs, vR=0V Sperrstrom reverse current T vj = 25°C, Rückstromspitze peak reverse recovery current DIN IEC 747-2, Tvj=Tvj max vR=VRRM T vj = Tvj max, vR = VRRM iFM =225A,-diF/dt=100A/µs vR=0,5 VRRM, vRM=0,8 VRRM Sperrverzögerungsladung recovered charge DIN IEC 747-2, Tvj=Tvj max iFM =225 A,-diF/dt=100A/µs vR=0,5 VRRM, vRM=0,8 VRRM Sperrverzögerungszeit reverse recovered time DIN IEC 747-2, Tvj=Tvj max iFM =225A,-diF/dt=100A/µs vR=0,5 VRRM, vRM=0,8 VRRM Sanftheit Softness T vj = Tvj max SR 0,003 iFM =225A,-diF/dt=100A/µs vR=0,5 VRRM, vRM=0,8 VRRM 1) Richtwert für obere Streubereichsgrenze / Upper limit of scatter range (standard value) 2) Richtwert für untere Streubereichsgrenze / Lower limit of scatter range (standard value) SZ-M / 30. April 1993 , R.Jöeke A 13/ 93 Seite/page 1 µs/A 2) Technische Information / Technical Information Schnelle Gleichrichterdiode Fast Diode D 138 S 08...10 S Thermische Eigenschaften / Thermal properties Innerer Wärmewiderstand thermal resitance, junction to case Kühlfläche / cooling surface beidseitig / two-sided, Θ =180°sin RthJC beidseitig / two-sided, DC Anode / anode, Θ =180°sin Anode / anode, DC Kathode / cathode, Θ =180°sin Kathode / cathode, DC Übergangs- Wärmewiderstand thermal resitance, case to heatsink Kühlfläche / cooling surface max. max. max. max. max. max. 0,141 0,133 0,224 0,216 0,344 0,336 °C/W °C/W °C/W °C/W °C/W °C/W max. max. 0,015 0,030 °C/W °C/W RthCK beidseitig / two-sided einseitig / single-sided Höchstzulässige Sperrschichttemperatur max. junction temperature T vj max 125 °C Betriebstemperatur operating temperature T c op -40...+125 °C Lagertemperatur storage temperature T stg -40...+150 °C Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Gehäuse, siehe Anlage case, see appendix Si-Element mit Druckkontakt Si-pellet with pressure contact Seite 3 page 3 Durchmesser/diameter 15mm Anpreßkraft clamping force F Gewicht weight G 1,7...3,4 typ. Kriechstrecke creepage distance Feuchteklasse humidity classification DIN 40040 Schwingfestigkeit vibration resistance f = 50Hz 65 g 17 mm C 50 Kühlkörper / heatsinks: K0,12F ; K0,17F ; K0,22F ; K0,36S ; K0,65S Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen./ The technical Information specifies semiconductors devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes. SZ-M / 30. April 1993 , R. Jörke kN Seite/page 2 m/s² Technische Information / Technical Information Schnelle Gleichrichterdiode Fast Diode SZ-M / 30. April 1993 , R. Jöeke D 138 S 08...10 S Seite/page 3 Technische Information / Technical Information Schnelle Gleichrichterdiode Fast Diode D 138 S 08...10 S Kühlung Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes ZthJC für DC cooling Analytical ementes of transient thermal impedance ZthJC for DC Pos.n 1 2 3 4 5 6 beidseitig Rthn [°C/W] 0,00694 0,0131 0,023 0,0335 0,0552 two-sided τ n [s] 0,0011 0,000727 0,00909 0,0281 0,134 0,529 2,27 anodenseitig Rthn [°C/W] 0,00755 0,0246 0,0215 0,0799 0,0683 0,0141 anode-sided τ n [s] 0,000812 0,0132 0,064 0,412 1,88 10,8 kathodenseitig Rthn [°C/W] 0,00784 0,0277 0,022 0,0947 0,115 cathode-sided τ n [s] 0,0691 0,000855 0,0143 0,123 0,473 2,17 10 n max Analytische Funktion / analytical function : ZthJC = =∑ Rthn ( 1 - EXP ( - t / τn )) n=1 SZ-M / 30. April 1993, R.Jörke Seite/page 4 7 Technische Information / Technical Information Schnelle Gleichrichterdiode Fast Diode D 138 S 08...10 S 600 500 iF[A] 400 300 200 100 0 0,5 1 1,5 2 2,5 3 vF [V] Grenzdurchlaßkennlinie / Limiting 0n-state characteristic iF=f(vF) Tvj = T vj max SZ-M / 30. April 1993 , R. Jörke Seite/page 5