ETC D211U14SEITE1BIS5

Technische Information / Technical Information
Schnelle Gleichrichterdiode
Fast Diode
D 211 U 10...14
U
Elektrische Eigenschften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak forward reverse voltage
T vj = - 25°C...Tvj max
VRRM
1000
1200
1400
V
V
V
Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage
T vj = + 25°C...Tvj max
VRSM
1100
1300
1500
V
V
V
IFRMSM
400
A
IFAVM
150
211
255
A
A
A
IFSM
4700
3900
9910
8230
A
A
A
A
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
RMS forward current
Dauergrenzstrom
T C =100°C
T C =71°C
mean forward current
T C =48°C
Stoßstrom-Grenzwert
surge foward current
T vj = 25°C, tp = 10 ms
T vj = Tvj max, tp = 10 ms
T vj = 25°C, tp = 1 ms
T vj = Tvj max, tp = 1 ms
Grenzlastintegral
T vj = 25°C, tp = 10ms
I²t
110450
76050
49100
33870
T vj = Tvj max, tp = 10ms
T vj = 25°C, tp = 1ms
I²t-value
T vj = Tvj max, tp = 1ms
A²s
A²s
A²s
A²s
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
forward voltage
T vj = Tvj max, iF = 800 A
vF
Schleusenspannung
threshold voltage
T vj = Tvj max
Ersatzwiderstand
forward slope resistance
Typischer Wert der Durchlaßverzögerungsspannung
typical value of forward recovery voltage
max.
1,9
V
V(TO)
1
V
T vj = Tvj max
rT
1
mΩ
IEC 747-2
VFRM
typ
3,9
V
1)
tfr
typ
4,1
µs
1)
iR
max.
max.
10
100
mA
mA
T vj = Tvj max
diF/dt=50A/µs, vR=0V
Durchlaßverzögerungszeit
forward recovery time
IEC 747-2, Methode / method II
T vj = Tvj max, iFM=1400A
diF/dt=50 A/µs, vR=0V
Sperrstrom
reverse current
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
T vj = 25°C,
vR=VRRM
T vj = Tvj max, vR = VRRM
DIN IEC 747-2, Tvj=Tvj max
A
1)
210
µAs
1)
3,45
µs
1)
IRM
75
Qr
trr
iFM =465A,-diF/dt=50A/µs
vR=100V, vRM<=200 V
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
DIN IEC 747-2, Tvj=Tvj max
iFM =465 A,-diF/dt=50A/µs
vR=100V, vRM<=200 V
Sperrverzögerungszeit
reverse recovered time
DIN IEC 747-2, Tvj=Tvj max
iFM =465A,-diF/dt=50A/µs
vR=100 V; vRM<=200V
Sanftheit
Softness
T vj = Tvj max
µs/A 2)
SR
iFM =A,-diF/dt=A/µs
vR<=0,5 VRRM, vRM=0,8 VRRM
1) Richtwert für obere Streubereichsgrenze / Upper limit of scatter range (standard value)
2) Richtwert für untere Streubereichsgrenze / Lower limit of scatter range (standard value)
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Technische Information / Technical Information
Schnelle Gleichrichterdiode
Fast Diode
D 211 U 10...14
U
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resitance, junction to case
Kühlfläche / cooling surface
Θ =180°sin
RthJC
DC
Übergangs- Wärmewiderstand
thermal resitance, case to heatsink
Kühlfläche / cooling surface
max. 0,24
max. 0,245
°C/W
°C/W
max.
0,04
°C/W
150
°C
RthCK
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
max. junction temperature
T vj max
Betriebstemperatur
operating temperature
T c op
-40...+150
°C
Lagertemperatur
storage temperature
T stg
-40...+150
°C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see appendix
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
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Durchmesser/diameter 21mm
Anzugsdrehmoment für mechanische Befestigung
mounting torque
M
Gewicht
weight
G
Kriechstrecke
creepage distance
20
typ.
175
12
Feuchteklasse
humidity classification
DIN 40040
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50Hz
g
mm
C
5x9,81
Kühlkörper / heatsinks: KL 42 ; KL 91
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt
in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen./ The technical Information specifies semiconductors devices but
promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.
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Nm
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m/s²
Technische Information / Technical Information
Schnelle Gleichrichterdiode
Fast Diode
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D 211 U 10...14
U
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Technische Information / Technical Information
Schnelle Gleichrichterdiode
Fast Diode
D 211 U 10...14
U
Kühlung
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes ZthJC für DC
cooling
Analytical ementes of transient thermal impedance ZthJC for DC
Pos.n
1
2
3
4
5
0,00992
0,00962
0,151
0,0691
0,000089 0,00154
0,0335
0,422
3,274
Rthn [°C/W] 0,00036
τ n [s]
6
Rthn [°C/W]
τ n [s]
Rthn [°C/W]
τ n [s]
n max
Analytische Funktion / analytical function : ZthJC =
=∑
Rthn ( 1 - EXP ( - t / τn ))
n=1
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Technische Information / Technical Information
Schnelle Gleichrichterdiode
Fast Diode
D 211 U 10...14
U
1.000
900
800
700
iF [A]
600
500
400
300
200
100
0
0,5
1
1,5
2
2,5
vF [V]
Grenzdurchlaßkennlinie / Limiting 0n-state characteristic iF=f(vF)
Tvj = T vj max
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