Technische Information / Technical Information Schnelle Gleichrichterdiode Fast Diode D 211 U 10...14 U Elektrische Eigenschften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische Spitzensperrspannung repetitive peak forward reverse voltage T vj = - 25°C...Tvj max VRRM 1000 1200 1400 V V V Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak reverse voltage T vj = + 25°C...Tvj max VRSM 1100 1300 1500 V V V IFRMSM 400 A IFAVM 150 211 255 A A A IFSM 4700 3900 9910 8230 A A A A Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert RMS forward current Dauergrenzstrom T C =100°C T C =71°C mean forward current T C =48°C Stoßstrom-Grenzwert surge foward current T vj = 25°C, tp = 10 ms T vj = Tvj max, tp = 10 ms T vj = 25°C, tp = 1 ms T vj = Tvj max, tp = 1 ms Grenzlastintegral T vj = 25°C, tp = 10ms I²t 110450 76050 49100 33870 T vj = Tvj max, tp = 10ms T vj = 25°C, tp = 1ms I²t-value T vj = Tvj max, tp = 1ms A²s A²s A²s A²s Charakteristische Werte / Characteristic values Durchlaßspannung forward voltage T vj = Tvj max, iF = 800 A vF Schleusenspannung threshold voltage T vj = Tvj max Ersatzwiderstand forward slope resistance Typischer Wert der Durchlaßverzögerungsspannung typical value of forward recovery voltage max. 1,9 V V(TO) 1 V T vj = Tvj max rT 1 mΩ IEC 747-2 VFRM typ 3,9 V 1) tfr typ 4,1 µs 1) iR max. max. 10 100 mA mA T vj = Tvj max diF/dt=50A/µs, vR=0V Durchlaßverzögerungszeit forward recovery time IEC 747-2, Methode / method II T vj = Tvj max, iFM=1400A diF/dt=50 A/µs, vR=0V Sperrstrom reverse current Rückstromspitze peak reverse recovery current T vj = 25°C, vR=VRRM T vj = Tvj max, vR = VRRM DIN IEC 747-2, Tvj=Tvj max A 1) 210 µAs 1) 3,45 µs 1) IRM 75 Qr trr iFM =465A,-diF/dt=50A/µs vR=100V, vRM<=200 V Sperrverzögerungsladung recovered charge DIN IEC 747-2, Tvj=Tvj max iFM =465 A,-diF/dt=50A/µs vR=100V, vRM<=200 V Sperrverzögerungszeit reverse recovered time DIN IEC 747-2, Tvj=Tvj max iFM =465A,-diF/dt=50A/µs vR=100 V; vRM<=200V Sanftheit Softness T vj = Tvj max µs/A 2) SR iFM =A,-diF/dt=A/µs vR<=0,5 VRRM, vRM=0,8 VRRM 1) Richtwert für obere Streubereichsgrenze / Upper limit of scatter range (standard value) 2) Richtwert für untere Streubereichsgrenze / Lower limit of scatter range (standard value) SZ-M / 12.02.1987 Seite/page 1 Technische Information / Technical Information Schnelle Gleichrichterdiode Fast Diode D 211 U 10...14 U Thermische Eigenschaften / Thermal properties Innerer Wärmewiderstand thermal resitance, junction to case Kühlfläche / cooling surface Θ =180°sin RthJC DC Übergangs- Wärmewiderstand thermal resitance, case to heatsink Kühlfläche / cooling surface max. 0,24 max. 0,245 °C/W °C/W max. 0,04 °C/W 150 °C RthCK Höchstzulässige Sperrschichttemperatur max. junction temperature T vj max Betriebstemperatur operating temperature T c op -40...+150 °C Lagertemperatur storage temperature T stg -40...+150 °C Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Gehäuse, siehe Anlage case, see appendix Si-Element mit Druckkontakt Si-pellet with pressure contact Seite 3 page 3 Durchmesser/diameter 21mm Anzugsdrehmoment für mechanische Befestigung mounting torque M Gewicht weight G Kriechstrecke creepage distance 20 typ. 175 12 Feuchteklasse humidity classification DIN 40040 Schwingfestigkeit vibration resistance f = 50Hz g mm C 5x9,81 Kühlkörper / heatsinks: KL 42 ; KL 91 Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen./ The technical Information specifies semiconductors devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes. SZ-M / 12.02.1987 Nm Seite/page 2 m/s² Technische Information / Technical Information Schnelle Gleichrichterdiode Fast Diode SZ-M / 12.02.1987 D 211 U 10...14 U Seite/page 3 Technische Information / Technical Information Schnelle Gleichrichterdiode Fast Diode D 211 U 10...14 U Kühlung Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes ZthJC für DC cooling Analytical ementes of transient thermal impedance ZthJC for DC Pos.n 1 2 3 4 5 0,00992 0,00962 0,151 0,0691 0,000089 0,00154 0,0335 0,422 3,274 Rthn [°C/W] 0,00036 τ n [s] 6 Rthn [°C/W] τ n [s] Rthn [°C/W] τ n [s] n max Analytische Funktion / analytical function : ZthJC = =∑ Rthn ( 1 - EXP ( - t / τn )) n=1 SZ-M / 12.02.1987 Seite/page 4 7 Technische Information / Technical Information Schnelle Gleichrichterdiode Fast Diode D 211 U 10...14 U 1.000 900 800 700 iF [A] 600 500 400 300 200 100 0 0,5 1 1,5 2 2,5 vF [V] Grenzdurchlaßkennlinie / Limiting 0n-state characteristic iF=f(vF) Tvj = T vj max SZ-M / 12.02.1987 Seite/page 5