ETC 56DN06

Technische Information / Technical Information
Netz Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
56 DN 02...06
N
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Vorläufige Daten
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Preliminary data
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak forward reverse voltage
Tvj = - 40°C...Tvj max
VRRM
200
400
600
V
V
Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage
Tvj = + 25°C...Tvj max
VRSM
250
450
650
V
V
10050
A
IFAVM
6400
A
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
RMS forward current
Dauergrenzstrom
mean forward current
IFRMSM
TC = 126 °C
Stoßstrom-Grenzwert
surge foward current
Tvj = 25°C, tp = 10 ms
Tvj = Tvj max, tp = 10 ms
IFSM
81000
70000
A
A
Grenzlastintegral
I²t-value
Tvj = 25°C, tp = 10ms
Tvj = Tvj max, tp = 10ms
I²t
32.800
24.500
A²s*103
A²s*103
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
forward voltage
Tvj = Tvj max ,
iF =
vF
Schleusenspannung
threshold voltage
Tvj = Tvj max
V(TO)
Ersatzwiderstand
forward slope resistance
Tvj = Tvj max
rT
10 kA
max.
vT = A + B ⋅ iT + C ⋅ Ln (iT + 1) + D ⋅ iT
Sperrstrom
reverse current
4,1720E-01
2,0017E-05
7,4408E-03
4,1902E-03
A=
B=
C=
D=
Tvj = Tvj max, vR = VRRM
V
0,7
V
0,04
Tvj = Tvj max
Durchlaßkennlinie
on-state voltage
1,15
iR
mΩ
Tvj = 25 °C
0,79326
1,6157E-05
-8,0905E-03
3,9268E-03
max.
100
mA
max.
max.
max.
max.
max.
max.
0,0062
0,0055
0,0107
0,0100
0,0127
0,0121
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
max.
max.
0,0025
0,005
°C/W
°C/W
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resitance, junction to case
Kühlfläche / cooling surface
RthJC
beidseitig / two-sided,Θ=180°sin
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, Θ =180°sin
Anode / anode, DC
Kathode / cathode, Θ =180°sin
Kathode / cathode, DC
Übergangs- Wärmewiderstand
thermal resitance, case to heatsink
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
einseitig / single-sided
RthCK
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
max. junction temperature
Tvj max
Betriebstemperatur
operating temperature
Tc op
-40...+180
°C
Lagertemperatur
storage temperature
Tstg
-40...+180
°C
SZ-M / 11.11.98 K.-A.Rüther
A119/98
180
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°C
Technische Information / Technical Information
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
56 DN 02 ... 06
N
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Vorläufige Daten
Preliminary data
Gehäuse, siehe Anlage
case, see appendix
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Si-Elemente mit Druckkontakt
Si-pellets with pressure contact
Anpreßkraft
clamping force
F
Gewicht
weight
G
40...60
typ.
110
Kriechstrecke
creepage distance
kN
g
mm
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50Hz
50
m/s²
Hinweis :
Wir empfehlen die Diode mit einem temperaturbeständigen O-Ring zu schützen.
Notice:
We recommend to protect the diode with a temperture resistant O-Rin g.
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung
mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen. / This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics.
It is valid in combination with the belonging technical notes.
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Technische Information / Technical Information
Netz Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
SZ-M / 11.11.98 K.-A.Rüther
56 DN 02 ... 06
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Z. Nr.: 1
N
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Technische Information / Technical Information
Netz Gleichrichterdiode
Rectifier DiodeThyristor
56 DN 02...06
N
Kühlung
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes ZthJC für DC
cooling
Analytical ementes of transient thermal impedance ZthJC for DC
Pos.n
1
2
3
4
beidseitig
Rthn [°C/W]
0,000019
0,00032
0,00105
0,004146
two-sided
τ n [s]
0,00001
0,00145
0,014031
0,071
anodenseitig
Rthn [°C/W]
0,006829
0,00137
0,001608
0,000192
anode-sided
τ n [s]
0,191251
0,274178
0,012721
0,00072
kathodenseitig
Rthn [°C/W]
0,00605
0,004228
0,00146
0,000362
cathode-sided
τ n [s]
0,293298
0,142663
0,02118
0,001357
5
6
n max
Analytische Funktion / analytical function : ZthJC =
= ∑ Rthn ( 1 - EXP ( - t / τn ))
n=1
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Technische Information / Technical Information
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
56 DN 02 ... 06
N
25.000
20.000
i F [A]
15.000
Tvj = Tvj max
10.000
Tvj = 25 °C
5.000
0
0,5
1
1,5
2
VF [V]
Grenzdurchlaßkennlinie / Limiting 0n-state characteristic iF=f(v T)
SZ-M / 11.11.98 K.-A.Rüther
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Z. Nr.: 2
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Technische Information / Technical Information
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
56 DN 02...06
N
12000
Parameter
a - Gleichstrom
b - M 1 - ,M 2 -, B 2 - Schaltung
c - B 6 -, M 3 -, M 3.2 - Schaltung
d - M 6 - Schaltung
e - M 1 -, M 2 -, B 2 - Schaltung bei
Gegenspannungsbelastung Θ ~ 60° el
f - M 1 -, M 2 -, B 2 - Schaltung bei
Gegenspannungsbelastung Θ ~ 30° el
10000
a
b
c
8000
d
PFAV [W]
e
6000
f
4000
2000
0
0
2000
4000
6000
8000
10000
IFAV [A]
Durchlaßverlustleistung / On-state power loss PFAV = f(IFAV)
SZ-M / 11.11.98 K.-A.Rüther
A119/98
Z.Nr.: 3
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Technische Information / Technical Information
Netz Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
56 DN 02...06
N
0,014
0,012
3
0,010
Z (th) JC [°C/W]
2
0,008
0,006
1
0,004
0,002
0,000
0,001
0,01
0,1
1
10
t [s]
Transienter innerer Wärmewiderstand / Transient thermal impedance Z(th)JC = f(t), DC
1 - Beidseitige Kühlung / two-sided cooling
2 - Anodenseitige Kühlung / anode side cooling
3 - Kathodenseitige Kühlung / cathode side cooling
SZ-M / 11.11.98 K.-A.Rüther
A119/98
Z. Nr.: 4
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Technische Information / Technical Information
Netz Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
56 DN 02...06
N
0,0045
0,004
0,0035
∆ RthJC [°C/W]
0,003
0,0025
0,002
0,0015
0,001
0,0005
0
30
60
90
120
150
Θ [ °el]
Differenz zwischen den Wärmewiderständen für Pulsstrom und DC / Difference between the values
of thermal for pulse current and DC
Parameter: Stromkurvenform / Current waveform
SZ-M / 11.11.98 K.-A.Rüther
#BEZUG!
Z. Nr.: 5
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Technische Information / Technical Information
Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
56 DN 02 ... 06
N
1
0,9
0,8
∫ i² dt (normiert)
0,7
0,6
0,5
0,4
0,3
0,2
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
tp [ms]
Normiertes Grenzlastintegral als Funktion der Halbschwingungsdauer tp
Normalized ∫ i²dt rating as a function of the duration of a half-cycle tp
SZ-M / 11.11.98 K.-A.Rüther
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Z. Nr.: 6
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Technische Information / Technical Information
Netz Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
56 DN 02...06
N
iFM [ A ]
10.000
6400
3200
1600
800
400
Qr [ µAs ]
200
1.000
100
0,1
1
10
100
1000
- diF / dt [A/µs ]
Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Qr = f(-diF/dt)
Tvj = Tvjmax; VR = 0,5 VRRM; VRM = 0,8 VRRM
Parameter: Durchlaßstrom / Foward current iFM
RC-Glied / RC network : R = 1,5 Ω , C = 3,3 µF
SZ-M / 11.11.98 K.-A.Rüther
A119/98
Z. Nr.: 7
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