Technische Information / Technical Information Netz Gleichrichterdiode Rectifier Diode 56 DN 02...06 N Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Vorläufige Daten Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Preliminary data Periodische Spitzensperrspannung repetitive peak forward reverse voltage Tvj = - 40°C...Tvj max VRRM 200 400 600 V V Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak reverse voltage Tvj = + 25°C...Tvj max VRSM 250 450 650 V V 10050 A IFAVM 6400 A Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert RMS forward current Dauergrenzstrom mean forward current IFRMSM TC = 126 °C Stoßstrom-Grenzwert surge foward current Tvj = 25°C, tp = 10 ms Tvj = Tvj max, tp = 10 ms IFSM 81000 70000 A A Grenzlastintegral I²t-value Tvj = 25°C, tp = 10ms Tvj = Tvj max, tp = 10ms I²t 32.800 24.500 A²s*103 A²s*103 Charakteristische Werte / Characteristic values Durchlaßspannung forward voltage Tvj = Tvj max , iF = vF Schleusenspannung threshold voltage Tvj = Tvj max V(TO) Ersatzwiderstand forward slope resistance Tvj = Tvj max rT 10 kA max. vT = A + B ⋅ iT + C ⋅ Ln (iT + 1) + D ⋅ iT Sperrstrom reverse current 4,1720E-01 2,0017E-05 7,4408E-03 4,1902E-03 A= B= C= D= Tvj = Tvj max, vR = VRRM V 0,7 V 0,04 Tvj = Tvj max Durchlaßkennlinie on-state voltage 1,15 iR mΩ Tvj = 25 °C 0,79326 1,6157E-05 -8,0905E-03 3,9268E-03 max. 100 mA max. max. max. max. max. max. 0,0062 0,0055 0,0107 0,0100 0,0127 0,0121 °C/W °C/W °C/W °C/W °C/W °C/W max. max. 0,0025 0,005 °C/W °C/W Thermische Eigenschaften / Thermal properties Innerer Wärmewiderstand thermal resitance, junction to case Kühlfläche / cooling surface RthJC beidseitig / two-sided,Θ=180°sin beidseitig / two-sided, DC Anode / anode, Θ =180°sin Anode / anode, DC Kathode / cathode, Θ =180°sin Kathode / cathode, DC Übergangs- Wärmewiderstand thermal resitance, case to heatsink Kühlfläche / cooling surface beidseitig / two-sided einseitig / single-sided RthCK Höchstzulässige Sperrschichttemperatur max. junction temperature Tvj max Betriebstemperatur operating temperature Tc op -40...+180 °C Lagertemperatur storage temperature Tstg -40...+180 °C SZ-M / 11.11.98 K.-A.Rüther A119/98 180 Seite/page 1 °C Technische Information / Technical Information Netz-Gleichrichterdiode Rectifier Diode 56 DN 02 ... 06 N Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Vorläufige Daten Preliminary data Gehäuse, siehe Anlage case, see appendix Seite 3 page 3 Si-Elemente mit Druckkontakt Si-pellets with pressure contact Anpreßkraft clamping force F Gewicht weight G 40...60 typ. 110 Kriechstrecke creepage distance kN g mm Schwingfestigkeit vibration resistance f = 50Hz 50 m/s² Hinweis : Wir empfehlen die Diode mit einem temperaturbeständigen O-Ring zu schützen. Notice: We recommend to protect the diode with a temperture resistant O-Rin g. Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen. / This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes. SZ-M / 11.11.98 K.-A.Rüther A119/98 Seite/page 2 Technische Information / Technical Information Netz Gleichrichterdiode Rectifier Diode SZ-M / 11.11.98 K.-A.Rüther 56 DN 02 ... 06 A119/98 Z. Nr.: 1 N Seite/page 3 Technische Information / Technical Information Netz Gleichrichterdiode Rectifier DiodeThyristor 56 DN 02...06 N Kühlung Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes ZthJC für DC cooling Analytical ementes of transient thermal impedance ZthJC for DC Pos.n 1 2 3 4 beidseitig Rthn [°C/W] 0,000019 0,00032 0,00105 0,004146 two-sided τ n [s] 0,00001 0,00145 0,014031 0,071 anodenseitig Rthn [°C/W] 0,006829 0,00137 0,001608 0,000192 anode-sided τ n [s] 0,191251 0,274178 0,012721 0,00072 kathodenseitig Rthn [°C/W] 0,00605 0,004228 0,00146 0,000362 cathode-sided τ n [s] 0,293298 0,142663 0,02118 0,001357 5 6 n max Analytische Funktion / analytical function : ZthJC = = ∑ Rthn ( 1 - EXP ( - t / τn )) n=1 SZ-M / 11.11.98 K.-A.Rüther A119/98 Seite/page 4 7 Technische Information / Technical Information Netz-Gleichrichterdiode Rectifier Diode 56 DN 02 ... 06 N 25.000 20.000 i F [A] 15.000 Tvj = Tvj max 10.000 Tvj = 25 °C 5.000 0 0,5 1 1,5 2 VF [V] Grenzdurchlaßkennlinie / Limiting 0n-state characteristic iF=f(v T) SZ-M / 11.11.98 K.-A.Rüther A119/98 Z. Nr.: 2 Seite/page 5 Technische Information / Technical Information Netz-Gleichrichterdiode Rectifier Diode 56 DN 02...06 N 12000 Parameter a - Gleichstrom b - M 1 - ,M 2 -, B 2 - Schaltung c - B 6 -, M 3 -, M 3.2 - Schaltung d - M 6 - Schaltung e - M 1 -, M 2 -, B 2 - Schaltung bei Gegenspannungsbelastung Θ ~ 60° el f - M 1 -, M 2 -, B 2 - Schaltung bei Gegenspannungsbelastung Θ ~ 30° el 10000 a b c 8000 d PFAV [W] e 6000 f 4000 2000 0 0 2000 4000 6000 8000 10000 IFAV [A] Durchlaßverlustleistung / On-state power loss PFAV = f(IFAV) SZ-M / 11.11.98 K.-A.Rüther A119/98 Z.Nr.: 3 Seite/page 6 Technische Information / Technical Information Netz Gleichrichterdiode Rectifier Diode 56 DN 02...06 N 0,014 0,012 3 0,010 Z (th) JC [°C/W] 2 0,008 0,006 1 0,004 0,002 0,000 0,001 0,01 0,1 1 10 t [s] Transienter innerer Wärmewiderstand / Transient thermal impedance Z(th)JC = f(t), DC 1 - Beidseitige Kühlung / two-sided cooling 2 - Anodenseitige Kühlung / anode side cooling 3 - Kathodenseitige Kühlung / cathode side cooling SZ-M / 11.11.98 K.-A.Rüther A119/98 Z. Nr.: 4 Seite/page 7 Technische Information / Technical Information Netz Gleichrichterdiode Rectifier Diode 56 DN 02...06 N 0,0045 0,004 0,0035 ∆ RthJC [°C/W] 0,003 0,0025 0,002 0,0015 0,001 0,0005 0 30 60 90 120 150 Θ [ °el] Differenz zwischen den Wärmewiderständen für Pulsstrom und DC / Difference between the values of thermal for pulse current and DC Parameter: Stromkurvenform / Current waveform SZ-M / 11.11.98 K.-A.Rüther #BEZUG! Z. Nr.: 5 Seite/page 8 180 Technische Information / Technical Information Gleichrichterdiode Rectifier Diode 56 DN 02 ... 06 N 1 0,9 0,8 ∫ i² dt (normiert) 0,7 0,6 0,5 0,4 0,3 0,2 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 tp [ms] Normiertes Grenzlastintegral als Funktion der Halbschwingungsdauer tp Normalized ∫ i²dt rating as a function of the duration of a half-cycle tp SZ-M / 11.11.98 K.-A.Rüther A119/98 Z. Nr.: 6 Seite/page 9 10 Technische Information / Technical Information Netz Gleichrichterdiode Rectifier Diode 56 DN 02...06 N iFM [ A ] 10.000 6400 3200 1600 800 400 Qr [ µAs ] 200 1.000 100 0,1 1 10 100 1000 - diF / dt [A/µs ] Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Qr = f(-diF/dt) Tvj = Tvjmax; VR = 0,5 VRRM; VRM = 0,8 VRRM Parameter: Durchlaßstrom / Foward current iFM RC-Glied / RC network : R = 1,5 Ω , C = 3,3 µF SZ-M / 11.11.98 K.-A.Rüther A119/98 Z. Nr.: 7 Seite/page 10