EUPEC D658S10

Technische Information / Technical Information
Schnelle Gleichrichterdiode
Fast Diode
D 658 S 10...14
S
Elektrische Eigenschften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak forward reverse voltage
T vj = - 25°C...Tvj max
VRRM
1000
1200
1400
V
V
V
Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage
T vj = + 25°C...Tvj max
VRSM
1100
1300
1500
V
V
V
IFRMSM
1400
A
658
900
A
A
12200
10100
25750
21300
A
A
A
A
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
RMS forward current
Dauergrenzstrom
mean forward current
T C =100°C
IFAVM
Stoßstrom-Grenzwert
surge foward current
T vj = 25°C, tp = 10 ms
T C =71°C
IFSM
T vj = Tvj max, tp = 10 ms
T vj = 25°C, tp = 1 ms
T vj = Tvj max, tp = 1 ms
Grenzlastintegral
T vj = 25°C, tp = 10ms
I²t
744200
510050
331530
226850
T vj = Tvj max, tp = 10ms
T vj = 25°C, tp = 1ms
I²t-value
T vj = Tvj max, tp = 1ms
A²s
A²s
A²s
A²s
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
forward voltage
T vj = Tvj max, iF = 2700 A
vF
max.
2,25
V
Schleusenspannung
threshold voltage
T vj = Tvj max
V(TO)
1
V
Ersatzwiderstand
forward slope resistance
T vj = Tvj max
rT
Typischer Wert der Durchlaßverzögerungsspannung
typical value of forward recovery voltage
IEC 747-2
VFRM
typ
2,9
tfr
typ
5
iR
max.
max.
0,45
mΩ
V
1)
µs
1)
T vj = Tvj max
diF/dt=50A/µs, vR=0V
Durchlaßverzögerungszeit
forward recovery time
IEC 747-2, Methode / method II
T vj = Tvj max, iFM=2700A
diF/dt=50 A/µs, vR=0V
Sperrstrom
reverse current
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
T vj = 25°C,
vR=VRRM
T vj = Tvj max, vR = VRRM
DIN IEC 747-2, Tvj=Tvj max
20
200
mA
mA
A
1)
285
µAs
1)
4,5
µs
1)
IRM
87
Qr
trr
iFM =900A,-diF/dt=50A/µs
vR=100V, vRM<=200 V
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
DIN IEC 747-2, Tvj=Tvj max
iFM =900 A,-diF/dt=50A/µs
vR=100V, vRM<=200 V
Sperrverzögerungszeit
reverse recovered time
DIN IEC 747-2, Tvj=Tvj max
iFM =900A,-diF/dt=50A/µs
vR=100 V; vRM<=200V
Sanftheit
Softness
T vj = Tvj max
µs/A 2)
SR
iFM =A,-diF/dt=A/µs
vR<=0,5 VRRM, vRM=0,8 VRRM
1) Richtwert für obere Streubereichsgrenze / Upper limit of scatter range (standard value)
2) Richtwert für untere Streubereichsgrenze / Lower limit of scatter range (standard value)
SZ-M / 17.02.87
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Technische Information / Technical Information
Schnelle Gleichrichterdiode
Fast Diode
D 658 S 10...14
S
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resitance, junction to case
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided, Θ =180°sin
RthJC
max.
max.
max.
max.
max.
max.
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, Θ =180°sin
Anode / anode, DC
Kathode / cathode, Θ =180°sin
Kathode / cathode, DC
Übergangs- Wärmewiderstand
thermal resitance, case to heatsink
Kühlfläche / cooling surface
0,044
0,041
0,073
0,070
0,103
0,100
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
max. 0,0075
max.
0,015
°C/W
°C/W
RthCK
beidseitig / two-sided
einseitig / single-sided
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
max. junction temperature
T vj max
150
°C
Betriebstemperatur
operating temperature
T c op
-40...+150
°C
Lagertemperatur
storage temperature
T stg
-40...+150
°C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see appendix
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
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Durchmesser/diameter 30mm
Anpreßkraft
clamping force
F
Gewicht
weight
G
6...14,5
typ.
100
Kriechstrecke
creepage distance
17
Feuchteklasse
humidity classification
DIN 40040
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50Hz
g
mm
C
5x9,81
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt
in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen./ The technical Information specifies semiconductors devices but
promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.
SZ-M / 17.02.87
kN
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m/s²
Technische Information / Technical Information
Schnelle Gleichrichterdiode
Fast Diode
SZ-M / 15.08.78
D 658 S 10...14
S
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Technische Information / Technical Information
Schnelle Gleichrichterdiode
Fast Diode
D 658 S 10...14
S
Kühlung
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes ZthJC für DC
cooling
Analytical ementes of transient thermal impedance ZthJC for DC
Pos.n
1
2
3
4
5
6
beidseitig
Rthn [°C/W]
0,00009
0,00256
0,00415
0,0142
0,02
two-sided
τ n [s]
0,000194
0,000683
0,00404
0,0641
0,336
anodenseitig
Rthn [°C/W]
0,00009
0,00263
0,00469
0,0227
0,0385
0,00139
anode-sided
τ n [s]
0,000194
0,000689
0,00459
0,1
3,059
8,731
kathodenseitig
Rthn [°C/W]
0,00009
0,00265
0,00456
0,0187
0,0052
cathode-sided
τ n [s]
0,0688
0,000194
0,000692
0,00462
0,0841
1,171
2,458
n max
Analytische Funktion / analytical function : ZthJC =
=∑
Rthn ( 1 - EXP ( - t / τn ))
n=1
SZ-M / 08.05.85
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7
Technische Information / Technical Information
Schnelle Gleichrichterdiode
Fast Diode
D 658 S 10...14
S
4.000
3.500
3.000
iF [A]
2.500
2.000
1.500
1.000
500
0
0,5
1
1,5
2
2,5
3
vF [V]
Grenzdurchlaßkennlinie / Limiting 0n-state characteristic iF=f(vF)
Tvj = T vj max
SZ-M / 04.02.87
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