MOSFET MODULE FCA50CC50 UL;E76102 （M） FCA50CC50 is a dual power MOSFET module designed for fast swiching applications of high voltage and current.（2 devices are serial connected with a fast recovery diode （trr≦100ns）reverse connected across each MOSFET.） The mounting base of the module is electrically isolated from semiconductor elements for simple heatsink construction. 17 3 23 30max D2 S1 q S2 w 31max TAB=110（T0.5） （Applications） UPS （CVCF） , Motor Control, Switching Power Supply, etc. NAME PLATE i G2 u S2 e D1 y S1 t G1 ■Maximum Ratings Unit：A （Tj＝25℃ unless otherwise specified） Item Symbol 4 2 23 56 1 Ratings Conditions Unit FCA50CC50 VDSS Drain-Source Voltage 500 V VGSS Gate-Source Voltage ±20 V ID DC IDP Drain Current -ID Source Current PT Total Power Dissipation Tj Channel Temperature Tstg Storage Temperature VISO Isolation Voltage（R.M.S.） Mounting Torque Duty 55% 50 Pulse A 100 50 A 330 W −40 to ＋150 ℃ −40 to ＋125 ℃ 2500 V Tc＝25℃ A.C. 1minute Mounting（M6） Recommended Value 2.5-3.9（25-40） 4.7（48） Terminal（M5） Recommended Value 1.5-2.5（15-25） 2.7（28） N･m （kgf･B） 240 g Mass Typical Value ■Electrical Charactistics Symbol （Tj＝25℃ unless otherwise specified） Item Conditions Ratings Min. IGSS Gate Leakage Current VGS＝±20V，VDS＝0V IDSS Zero Gate Voltage Drain Current VGS＝0V，VDS＝500V （BR） DSS V Darin-Source Breakdown Voltage VGS＝0V，ID＝1mA 500 VGS（th） Gate-Source Threshold Voltage VDS＝VGS，ID＝10mA 1.0 RDS（on） Drain-Source On-State Resistance VDS（on） Drain-Source On-State Voltage Typ. Max. Unit ±1.0 μA 1.0 mA V 5.0 V ID＝25A，VGS＝15V 140 mΩ ID＝25A，VGS＝15V 3.5 V gfs Forward Transconductance VDS＝10V，ID＝25A Ciss Input Capacitance VGS＝0V，VDS＝25V，f＝1.0MHz 10000 pF Coss Output Capacitance VGS＝0V，VDS＝25V，f＝1.0MHz 1900 pF Crss Reverse Transfer Capacitance VGS＝0V，VDS＝25V，f＝1.0MHz 750 pF td（on） tr td （off） tf Turn-on Delay Time Switching Time 35±0.6 VDSS＝500V ● Suitable for high speed switching applications. ● Low ON resistance. ● Wide Safe Operating Areas. ● trr≦100ns fast recovery diode for free wheel. 78 2・φ6.5 ● ID＝50A, 4 107.5±0.6 93±0.3 3ｰM5 Rise Time Turn-off Delay Time S 60 VDD＝300V，VGS＝15V ID＝25A，RG＝5Ω Fall Time 100 ns 520 140 VSDS Diode Forward Voltage IS＝25A，VGS＝0V trr Reverse Recovery Time IS＝25A，VGS＝−5V，di/dt＝100A/μs Rth（j-c） Thermal Resistance 30 80 2.0 V 100 ns MOSFET 0.38 Diode 1.67 ℃/W SanRex 50 Seaview Blvd. Port Washington, NY 11050-4618 PH.(516)625-1313 FAX(516)625-8845 E-mail: [email protected] FCA50CC50 Output Characteristics（Typical） Forward Transfer Characteristics（Typical） １００ ５０ Tj＝25℃ VDS 10V Pulse Test １５V １０V ８V ６V ６０ ５V ４０ VGs＝４V ４０ Drain Current ID（A） Drain Current ID（A） Pulse Test ８０ ３０ ２０ １０ ０ ０ ２ ４ ６ ８ ０ ０ １０ ３ 25℃ ２０ Typical VDS 25V Pulse Test １０ ５ ２ ２ ５ １０ ２０ ５０ １００ Drain CurrentＩＤ （A） １００００ Drain-Source On-State Resistance ＲＤＳ （ｏｎ） （Ω） Forward Transconductance ｇｆ ｓ （S） Forward Transconductance Vs. Drain Current Tj ４ ５ ６ Gate-Source Voltage VＧＳ （V） Drain-Source Voltage VDＳ （V） ５０ 25℃ Tj ２０ Drain-Source On-State Resistance Vs. Drain Current ０． ３ Pulse Test Typical ０． ２ Tj 100℃ Tj 25℃ ０． １ Tj ０ 0 25 25℃ 5０ 75 100 125 １5０ （A） Drain CurrentＩＤ Input Capacitance, Output Capacitance, Reverse Transfer Capacitance（Typical） Safe Operating Area ２ Ciss VGs 0V f 1MHz Tj 25℃ １０００ Coss Crss Drain Current ID（A） Capacitance Ｃ （ＰＦ） １０２ ４０ ８０ １２０ １６０ Drain-Source Voltage VＤＳ （V） SanRex ２００ ２４０ 10μ s 100μ s 1m s Pw Pw ２ Pw １０１ D.C . ５ 10m s ２ １００ ５ １００ ０ Pw ５ ２ Tc 25℃ Non-Repetitive ５ １０１ ２ ５ １０２ ２ ５ １０３ Drain-Source Voltage VＤＳ （V） ® 50 Seaview Blvd. Port Washington, NY 11050-4618 PH.(516)625-1313 FAX(516)625-8845 E-mail: [email protected] Forward Voltage of Free Wheeling Diode ８０ Typical VGs 0V Pulse Test ６０ Tj Reverse Recovery CurrentＩ ｒ ｒ （A） Source Current -IＳ （A） １００ 25℃ ４０ Tj 125℃ ２０ ０ ０ ０． ５ １． ０ １． ５ ２． ０ ４０ ２０ lrr ２ １０-１ 50μsec-10sec ５ ２ Timeｔ （sec） SanRex ５ｍ １０ｍ ２０ｍ ５０ｍ ５ １０ Thermal Impedance θ ｊ-ｃ （℃/Ｗ） Thermal Impedance θ ｊ-ｃ （℃/Ｗ） Max. ２ｍ ２ ５０ lrr ５ 25℃ 150℃ ５ １０ ５０ ２０ ２０ １００ （A） Source Current -ＩＳ 50msec-10sec １０-２ ５０μ１００μ２００μ ５００μ １ｍ ５０ｍ１００ｍ２００ｍ ５００ｍ １ １００ trr Transient Thermal Impedance（ＭＯＳＦＥＴ） ５ ２００ trr １０ Drain-Source Voltage VＳＤＳ （V） １０ ４００ Typical dis/dt 100A/μs VGS ー5V ２ ２． ５ Reverse Recovery Characteristics ５ Transient Thermal Impedance（ＤＩＯＤＥ） Max. ２ 50msec-10sec １００ ５ 1msec-50msec ２ １０-１ ５ １ｍ ５０ｍ１００ｍ２００ｍ ５００ｍ １ ２ｍ ２ ５ｍ １０ｍ ２０ｍ ５０ｍ ５ １０ Timeｔ （sec） ® 50 Seaview Blvd. Port Washington, NY 11050-4618 PH.(516)625-1313 FAX(516)625-8845 E-mail: [email protected] Reverse Recovery Time tｒ ｒ （ns） FCA50CC50