SBDブリッジダイオード シングルインライン型 Single In-line Package SBD Bridge Diode ■外形寸法図 OUTLINE DIMENSIONS Unit : mm Weight：3.9g（typ.） Package：3S D4SBN20 管理番号（例） Control No. ロット記号（例） Date code C3 D4SBN 20 0264 ② ③ ④ 1.25±0.2 ∼ Feature ∼ − ±0.2 1.7 1.0±0.1 ●Thin-SIP ●SBD Bridge ●Low VF・Low IR 7.5±0.2 ① 7.5±0.2 ② 4 + 1.9±0.2 3.5 ① 2.7±0.2 17.5±0.5 ＋ ∼ ∼ − ±0.2 ●薄型SIPパッケージ ●SBDブリッジ ●低VF・低IR 9.5±0.2 15±0.3 特長 ＋0.2 4.6±0.2 3.6±0.2 25±0.3 φ3.2−0.1 200V 4A 品名 Type No. 0.7±0.1 7.5±0.2 ③ ④ （製品上の表示については、捺印仕様をご確認ください） ■定格表 RATINGS ●絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings（指定のない場合は Tc= 25℃／unless otherwise specified ） 項 目 Item 保存温度 Storage Temperature 接合部温度 Operation Junction Temperature せん頭逆電圧 Maximum Reverse Voltage 出力電流 Average Rectified Forward Current 品 名 Type No. 記号 条 件 Symbol Conditions D4SBN20 単位 Unit Tstg −55∼150 ℃ Tj 150 ℃ VRM 200 V IO せん頭サージ順電流 Peak Surge Forward Current IFSM 絶縁耐圧 Dielectric Strength 締め付けトルク Mounting Torque Vdis TOR 50Hz 正弦波，抵抗負荷 50Hz sine wave, Resistance load フィン付き With heatsink フィンなし Without heatsink 50Hz 正弦波，非繰り返し1サイクルせん頭値，Tj=25℃ 50Hz sine wave, Non-repetitive 1cycle peak value, Tj=25℃ Tc=103℃ 4.0 Ta=25℃ 2.2 一括端子・ケース間，AC１分間印加 Terminals to Case, AC 1 minute （推奨値：0.5 N・m） （Recommended torque : 0.5 N・m） A 60 A 2.0 kV 0.8 N・m ●電気的・熱的特性 Electrical Characteristics（指定のない場合は Tc= 25℃／unless otherwise specified ） VF IF =2A, 逆電流 Reverse Current IR VR =200V, 接合容量 Junction Capacitance Cj f=1MHz, VR=10V, 熱抵抗 Thermal Resistance 142 パルス測定，一素子当たりの規格値 Pulse measurement, per diode パルス測定，一素子当たりの規格値 Pulse measurement, per diode 順電圧 Forward Voltage （J 514 - 6） 0.90 V MAX 1.5 μA TYP 60 pF θjc 接合部・ケース間，フィン付き junction to case, With heatsink MAX 6.0 θjl 接合部・リード間 junction to lead MAX 8.0 θja 接合部・ 周囲間 junction to ambient MAX 35 一素子当たりの規格値 per diode www.shindengen.co.jp/product/semi/ MAX ℃/W D4SBN20 ■特性図 CHARACTERISTIC DIAGRAMS 順方向特性 順電力損失曲線 せん頭サージ順電流耐量 Forward Voltage Forward Power Dissipation Peak Surge Forward Current Capability 1 〔 0.1 0 1 2 〔 Pulse measurement per diode 3 4 D=0.8 0.5 8 SIN 0.3 0.2 6 0.1 0.05 4 Io tp 2 T Tj=150℃ 0 0 5 1 2 3 4 5 D=tp/T 6 60 40 sine wave 0 IFSM Forward Power Dissipation PF〔W〕 Forward Current IF〔A〕 Tc=150℃ （MAX） Tc=150℃ （TYP） Tc=25℃ （MAX） Tc=25℃ （TYP） DC 10 80 10ms 10ms 20 〔 0 7 〔 1 10 逆方向特性 逆電力損失曲線 接合容量 Reverse Current Reverse Power Dissipation Junction Capacitance 0.8 （TYP ） Tc=150℃ 100 （ TYP） Tc=125℃ 10 （ Tc=100℃ TYP） （ TYP） Tc=75℃ 1 （TYP ） Tc=50℃ 0.1 〔 0 50 150 0.7 T Tj=150℃ 0.6 0.3 0.5 0.4 0.5 0.3 0.2 SIN 0.8 0 0 200 Io 0 0 VR tp T 4 P.C.B DC 3 D=0.8 + D=tp/T ∼ ∼ − on glass-epoxy substrate Soldering land 5mmφ 0.5 SIN 2 0.3 〔 V ＝V 〕 R 0.2 RM 0.1 1 0 0.05 0 20 40 60 80 100 120 140 Ambient Temperature Ta〔℃〕 〔 100 f=1MHz Tc=25℃ TYP per diode 50 20 50 100 150 10 0.1 200 160 ディレーティングカーブTcーIo Derating Curve TcーIo 100 200 VR tp T D=tp/T heatsink Tc-sensing point Tc DC 6 10 Io 0 0 8 1 Reverse Voltage VR〔V〕 Reverse Voltage VR〔V〕 Average Rectified Forward Current IO〔A〕 Average Rectified Forward Current IO〔A〕 Derating Curve TaーIo D=tp/T 0.2 Reverse Voltage VR〔V〕 ディレーティングカーブTaーIo DC D=0.05 0.1 0.1 Pulse measurement per diode 100 VR tp 〔 0.01 200 0 Junction Capacitance Cj〔pF〕 Reverse Power Dissipation PR〔W〕 Reverse Current IR〔μA〕 1000 100 Number of Cycles Average Rectified Forward Current IO〔A〕 Forward Voltage VF〔V〕 1cycle non-repetitive Tj＝25℃ 〔 10 Peak Surge Forward Current IFSM〔A〕 12 50 D=0.8 0.5 SIN 4 0.3 0.2 0.1 2 0.05 〔 V ＝V 〕 R 0 0 20 RM 40 60 80 100 120 140 160 Case Temperature Tc〔℃〕 ・Sine waveは50Hzで測定しています。 ・50Hz sine wave is used for measurements. ・半導体製品の特性は一般的にバラツキを持っております。Typicalは統計的な実力を表しています。 ・Semiconductor products generally have characteristic variation. Typical is a statistical average of the device’s ability. www.shindengen.co.jp/product/semi/ （J 514 - 6） 143