SHINDENGEN M2F60

面実装デバイス 単体型
一般整流ダイオード
Surface Mounting Device Single Diode
Rectifier Diode
■外形寸法図 OUTLINE DIMENSIONS
Package:M2F
ロット記号
(例)
Date code
品名略号
Type No.
4.4±0.3
①
特長
●耐湿性に優れ高信頼
●自動実装対応
ソルダーリングパッドの参考パターン
Soldering pad
(1.78)(2.29)(1.78)
V6
196
2.0±0.1
3.75±0.3
600V 1.2A
(2.29)
M2F60
Unit : mm
Weight:0.072g(typ.)
②
カソードマーク
Cathode mark
Feature
管理番号(例)
Control No.
①
②
5.1±0.3
1.0±0.3
0.1±0.1
1.45
2.0 MAX
●High-Reliability
●for Auto-Mount
1.0±0.3
(製品上の表示については、捺印仕様をご確認ください)
■定格表
RATINGS
●絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings(指定のない場合は Tl = 25℃/unless otherwise specified )
項 目
Item
保存温度
Storage Temperature
接合部温度
Operation Junction Temperature
せん頭逆電圧
Maximum Reverse Voltage
出力電流
Average Rectified Forward Current
せん頭サージ順電流
Peak Surge Forward Current
電流二乗時間積
Current Squared Time
品 名
Type
No.
記号
条 件
Symbol Conditions
M2F60
単位
Unit
Tstg
−55∼150
℃
Tj
150
℃
VRM
600
V
IO
IFSM
2
It
50Hz 正弦波,抵抗負荷,
50Hz sine wave, Resistance load
プリント基板実装
Ta=55℃
On glass-epoxy substrate
アルミナ基板実装
Ta=51℃
On alumina substrate
0.9
A
1.2
50Hz 正弦波,非繰り返し1サイクルせん頭値,Tj=25℃
50Hz sine wave, Non-repetitive 1cycle peak value, Tj=25℃
50
A
1ms≦ t< 10ms Tj= 25℃
7.4
A2s
●電気的・熱的特性 Electrical Characteristics(指定のない場合は Tl = 25℃/unless otherwise specified )
順電圧
Forward Voltage
逆電流
Reverse Current
熱抵抗
Thermal Resistance
198
(J 514 - 6)
VF
IR
IF =1.2A,
パルス測定
Pulse measurement
MAX
0.97
VR =600V,
パルス測定
Pulse measurement
MAX
10
θjl
接合部・ケース間
Junction to Case
MAX
33
θja
接合部・周囲間,アルミナ基板実装
Junction to Ambient, On alumina substrate
MAX
90
θja
接合部・周囲間,プリント基板実装
Junction to Ambient, On glass-epoxy substrate
MAX
120
www.shindengen.co.jp/product/semi/
V
μA
℃/W
M2F60
■特性図 CHARACTERISTIC DIAGRAMS
せん頭サージ順電流耐量
順方向特性
順電力損失曲線
Forward Voltage
Forward Power Dissipation
50
1
0.5
0.2
0.1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
〔
〔
sine wave
Tj=150℃
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
1.6
0.2
0.4
0.6
0.8
ディレーティングカーブ Ta−Io
Derating Curve Ta−Io
ディレーティングカーブ TaーIo
Average Rectified Forward Current IO〔A〕
Average Rectified Forward Current IO〔A〕
〔
on glass-epoxy substrate
Soldering land : 2 mm
conductor layer : 35μ
0.8
0.6
0.4
0.2
〔 V =600V〕
R
0
0
20
40
60
80
1.4
30
sine wave
20
0
10ms 10ms
10
〔
0
1
1cycle
non-repetitive
Tj=25℃
2
5
〔
10
20
50
100
Number of Cycles
Derating Curve TaーIo
1.2
〔
1.2
Average Rectified Forward Current IO〔A〕
Forward Voltage VF〔V〕
sine wave
R-load
free in air
1
40
IFSM
Tl =150℃
〔TYP〕
Tl =25℃
〔TYP〕
2
1.2
Peak Surge Forward Current IFSM〔A〕
Forward Power Dissipation PF〔W〕
Forward Current IF〔A〕
5
1
Peak Surge Forward Current Capability
1.4
10
100
120
140
Ambient Temperature Ta
〔℃〕
160
1.5
on alumina substrate
Soldering land : 2 mm
conductor layer : 20μ
Substrate thickness : 0.64 t
1
0.5
〔 V =600V〕
R
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
Ambient Temperature Ta〔℃〕
・Sine waveは50Hzで測定しています。
・50Hz sine wave is used for measurements.
・半導体製品の特性は一般的にバラツキを持っております。Typicalは統計的な実力を表しています。
・Semiconductor products generally have characteristic variation. Typical is a statistical average
of the device’s ability.
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(J 514 - 6)
199