ON Semiconductort MC74VHC574 Octal D−Type Flip−Flop with 3−State Output The MC74VHC574 is an advanced high speed CMOS octal flip−flip with 3−state output fabricated with silicon gate CMOS technology. It achieves high speed operation similar to equivalent Bipolar Schottky TTL while maintaining CMOS low power dissipation. This 8−bit D−type flip−flop is controlled by a clock input and an output enable input. When the output enable input is high, the eight outputs are in a high impedance state. The internal circuit is composed of three stages, including a buffer output which provides high noise immunity and stable output. The inputs tolerate voltages up to 7V, allowing the interface of 5V systems to 3V systems. • High Speed: fmax = 180MHz (Typ) at VCC = 5V • Low Power Dissipation: ICC = 4μA (Max) at TA = 25°C • High Noise Immunity: VNIH = VNIL = 28% VCC • Power Down Protection Provided on Inputs • Balanced Propagation Delays • Designed for 2V to 5.5V Operating Range • Low Noise: VOLP = 1.2V (Max) • Pin and Function Compatible with Other Standard Logic Families • Latchup Performance Exceeds 300mA • ESD Performance: HBM > 2000V; Machine Model > 200V • Chip Complexity: 266 FETs or 66.5 Equivalent Gates w DW SUFFIX 20−LEAD SOIC WIDE PACKAGE CASE 751D−05 DT SUFFIX 20−LEAD TSSOP PACKAGE CASE 948E−02 M SUFFIX 20−LEAD SOIC EIAJ PACKAGE CASE 967−01 ORDERING INFORMATION MC74VHCXXXDW SOIC WIDE MC74VHCXXXDT TSSOP MC74VHCXXXM SOIC EIAJ These devices are available in Pb−free package(s). Specifications herein apply to both standard and Pb−free devices. Please see our website at www.onsemi.com for specific Pb−free orderable part numbers, or contact your local ON Semiconductor sales office or representative. © Semiconductor Components Industries, LLC, 2006 March, 2006 − Rev. 5 1 Publication Order Number: MC74VHC574/D D0 D1 D2 DATA INPUTS D3 D4 D5 D6 D7 CP OE 2 19 3 18 4 17 5 16 6 15 7 14 8 13 9 12 Q0 Q1 OE 1 20 VCC Q2 D0 2 19 Q0 Q3 D1 3 18 Q1 D2 4 17 Q2 D3 5 16 Q3 D4 6 15 Q4 D5 7 14 Q5 D6 8 13 Q6 D7 9 12 Q7 10 11 CP Q4 NONINVERTING OUTPUTS Q5 Q6 Q7 11 GND 1 Figure 1. LOGIC DIAGRAM Figure 2. PIN ASSIGNMENT FUNCTION TABLE INPUTS OE L L L H OUTPUT CP D Q L, H, X H L X X H L No Change Z http://onsemi.com 2 ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ MAXIMUM RATINGS* Symbol Value Unit VCC DC Supply Voltage Parameter – 0.5 to + 7.0 V Vin DC Input Voltage – 0.5 to + 7.0 V Vout DC Output Voltage – 0.5 to VCC + 0.5 V IIK Input Diode Current − 20 mA IOK Output Diode Current ± 20 mA Iout DC Output Current, per Pin ± 25 mA ICC DC Supply Current, VCC and GND Pins ± 75 mA PD Power Dissipation in Still Air, 500 450 mW Tstg Storage Temperature – 65 to + 150 _C SOIC Packages† TSSOP Package† This device contains protection circuitry to guard against damage due to high static voltages or electric fields. However, precautions must be taken to avoid applications of any voltage higher than maximum rated voltages to this high−impedance circuit. For proper operation, Vin and Vout should be constrained to the range GND v (Vin or Vout) v VCC. Unused inputs must always be tied to an appropriate logic voltage level (e.g., either GND or V CC ). Unused outputs must be left open. * Absolute maximum continuous ratings are those values beyond which damage to the device may occur. Exposure to these conditions or conditions beyond those indicated may adversely affect device reliability. Functional operation under absolute−maximum−rated conditions is not implied. †Derating — SOIC Packages: – 7 mW/_C from 65_ to 125_C TSSOP Package: − 6.1 mW/_C from 65_ to 125_C ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎ ÎÎÎ ÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS Symbol Parameter VCC DC Supply Voltage Vin DC Input Voltage Vout DC Output Voltage TA Operating Temperature tr, tf Input Rise and Fall Time VCC = 3.3V VCC = 5.0V Min Max Unit 2.0 5.5 V 0 5.5 V 0 VCC V − 40 + 85 _C 0 0 100 20 ns/V DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS VCC V Symbol Parameter Test Conditions VIH Minimum High−Level Input Voltage 2.0 3.0 to 5.5 VIL Maximum Low−Level Input Voltage 2.0 3.0 to 5.5 VOH Minimum High−Level Output Voltage Vin = VIH or VIL IOH = − 50μA Vin = VIH or VIL IOH = − 4mA IOH = − 8mA VOL Maximum Low−Level Output Voltage Vin = VIH or VIL IOL = 50μA TA = 25°C Min Min 1.9 2.9 4.4 3.0 4.5 2.58 3.94 3.0 4.5 http://onsemi.com Max 1.50 VCC x 0.7 0.50 VCC x 0.3 2.0 3.0 4.5 3 Max 1.50 VCC x 0.7 2.0 3.0 4.5 Vin = VIH or VIL IOL = 4mA IOL = 8mA Typ TA = − 40 to 85°C 2.0 3.0 4.5 Unit V 0.50 VCC x 0.3 V V 1.9 2.9 4.4 2.48 3.80 0.0 0.0 0.0 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.36 0.36 0.44 0.44 V ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS VCC V TA = 25°C Max Unit Iin Maximum Input Leakage Current Vin = 5.5V or GND 0 to 5.5 ± 0.1 ± 1.0 μA IOZ Maximum Three−State Leakage Current Vin = VIL or VIH Vout = VCC or GND 5.5 ± 0.25 ± 2.5 μA ICC Maximum Quiescent Supply Current Vin = VCC or GND 5.5 4.0 40.0 μA Symbol Parameter Test Conditions Min TA = − 40 to 85°C Typ Max Min AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Input tr = tf = 3.0ns) TA = 25°C Symbol fmax tPLH, tPHL tPZL, tPZH tPLZ, tPHZ tOSLH, tOSHL Parameter Maximum Clock Frequency (50% Duty Cycle) Maximum Propagation Delay, CP to Q Output Enable Time, OE to Q Output Disable Time, OE to Q Output to Output Skew Test Conditions TA = − 40 to 85°C Min Typ Max Min Max Unit ns VCC = 3.3 ± 0.3V CL = 15pF CL = 50pF 80 50 125 75 — — 65 45 — — VCC = 5.0 ± 0.5V CL = 15pF CL = 50pF 130 85 180 115 — — 110 75 — — VCC = 3.3 ± 0.3 CL = 15pF CL = 50pF — — 8.5 11.0 13.2 16.7 1.0 1.0 15.5 19.0 VCC = 5.0 ± 0.5V CL = 15pF CL = 50pF — — 5.6 7.1 8.6 10.6 1.0 1.0 10.0 12.0 VCC = 3.3 ± 0.3V RL = 1kΩ CL = 15pF CL = 50pF — — 8.2 10.7 12.8 16.3 1.0 1.0 15.0 18.5 VCC = 5.0 ± 0.5V RL = 1kΩ CL = 15pF CL = 50pF — — 5.9 7.4 9.0 11.0 1.0 1.0 10.5 12.5 VCC = 3.3 ± 0.3V RL = 1kΩ CL = 50pF — 11.0 15.0 1.0 17.0 VCC = 5.0 ± 0.5V RL = 1kΩ CL = 50pF — 7.1 10.1 1.0 11.5 VCC = 3.3 ± 0.3V (Note 1) CL = 50pF — — 1.5 — 1.5 ns VCC = 5.0 ± 0.5V (Note 1) CL = 50pF — — 1.0 — 1.0 ns ns ns ns Cin Maximum Input Capacitance — 4 10 — 10 pF Cout Maximum Three−State Output Capacitance, Output in High−Impedance State — 6 — — — pF Typical @ 25°C, VCC = 5.0V 28 CPD Power Dissipation Capacitance (Note 2) pF 1. Parameter guaranteed by design. tOSLH = |tPLHm − tPLHn|, tOSHL = |tPHLm − tPHLn|. 2. CPD is defined as the value of the internal equivalent capacitance which is calculated from the operating current consumption without load. Average operating current can be obtained by the equation: ICC(OPR) = CPD VCC fin + ICC / 8 (per flip−flop). CPD is used to determine the no−load dynamic power consumption; PD = CPD VCC2 fin + ICC VCC. http://onsemi.com 4 NOISE CHARACTERISTICS (Input tr = tf = 3.0ns, CL = 50pF, VCC = 5.0V) TA = 25°C Symbol Parameter Typ Max Unit VOLP Quiet Output Maximum Dynamic VOL 0.9 1.2 V VOLV Quiet Output Minimum Dynamic VOL − 0.9 − 1.2 V VIHD Minimum High Level Dynamic Input Voltage — 3.5 V VILD Maximum Low Level Dynamic Input Voltage — 1.5 V TIMING REQUIREMENTS (Input tr = tf = 3.0ns) TA = − 40 to 85°C TA = 25°C Symbol CP Parameter Test Conditions Typ Limit Limit Unit tsu Minimum Setup Time, D to CP VCC = 3.3 ± 0.3 V VCC = 5.0 ± 0.5 V — — 3.5 3.5 3.5 3.5 ns th Minimum Hold Time, CP to D VCC = 3.3 ± 0.3 V VCC = 5.0 ± 0.5 V — — 1.5 1.5 1.5 1.5 ns tw Minimum Pulse Width, CP VCC = 3.3 ± 0.3 V VCC = 5.0 ± 0.5 V — — 5.0 5.0 5.5 5.0 ns VCC 50% OE GND tw tPZL 1/fmax tPLH Q VCC 50% tPHL Q Q HIGH IMPEDANCE 50% VCC tPZH 50% VCC GND tPLZ VOL +0.3V tPHZ VOH −0.3V HIGH IMPEDANCE 50% VCC Figure 3. Switching Waveforms VALID D 50% tsu CP TEST POINT VCC th 50% OUTPUT GND DEVICE UNDER TEST VCC C L* GND *Includes all probe and jig capacitance Figure 4. Figure 5. http://onsemi.com 5 D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 2 C Q D 19 3 C Q D 18 4 C Q D 17 5 C Q D 16 6 C Q D 15 7 C Q D 14 8 C Q D 13 9 C Q D 12 CP OE Q0 Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q7 11 1 Figure 6. Expanded Logic Diagram TEST POINT OUTPUT DEVICE UNDER TEST 1 kΩ C L* CONNECT TO VCC WHEN TESTING tPLZ AND tPZL. CONNECT TO GND WHEN TESTING tPHZ AND tPZH. INPUT *Includes all probe and jig capacitance Figure 7. Test Circuit Figure 8. INPUT EQUIVALENT CIRCUIT http://onsemi.com 6 OUTLINE DIMENSIONS DW SUFFIX SOIC CASE 751D−05 ISSUE F A 20 q X 45 _ E h H M 10X 0.25 NOTES: 1. DIMENSIONS ARE IN MILLIMETERS. 2. INTERPRET DIMENSIONS AND TOLERANCES PER ASME Y14.5M, 1994. 3. DIMENSIONS D AND E DO NOT INCLUDE MOLD PROTRUSION. 4. MAXIMUM MOLD PROTRUSION 0.15 PER SIDE. 5. DIMENSION B DOES NOT INCLUDE DAMBAR PROTRUSION. ALLOWABLE PROTRUSION SHALL BE 0.13 TOTAL IN EXCESS OF B DIMENSION AT MAXIMUM MATERIAL CONDITION. 11 B M D 1 10 20X DIM A A1 B C D E e H h L q B B 0.25 M T A S B S L A 18X e SEATING PLANE A1 C T MILLIMETERS MIN MAX 2.35 2.65 0.10 0.25 0.35 0.49 0.23 0.32 12.65 12.95 7.40 7.60 1.27 BSC 10.05 10.55 0.25 0.75 0.50 0.90 0_ 7_ DT SUFFIX TSSOP CASE 948E−02 ISSUE A 20X 0.15 (0.006) T U 2X L K REF 0.10 (0.004) S L/2 20 M T U S V S K K1 ÍÍÍÍ ÍÍÍÍ ÍÍÍÍ 11 J J1 B −U− PIN 1 IDENT SECTION N−N 1 10 0.25 (0.010) N 0.15 (0.006) T U S M A −V− NOTES: 1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI Y14.5M, 1982. 2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER. 3. DIMENSION A DOES NOT INCLUDE MOLD FLASH, PROTRUSIONS OR GATE BURRS. MOLD FLASH OR GATE BURRS SHALL NOT EXCEED 0.15 (0.006) PER SIDE. 4. DIMENSION B DOES NOT INCLUDE INTERLEAD FLASH OR PROTRUSION. INTERLEAD FLASH OR PROTRUSION SHALL NOT EXCEED 0.25 (0.010) PER SIDE. 5. DIMENSION K DOES NOT INCLUDE DAMBAR PROTRUSION. ALLOWABLE DAMBAR PROTRUSION SHALL BE 0.08 (0.003) TOTAL IN EXCESS OF THE K DIMENSION AT MAXIMUM MATERIAL CONDITION. 6. TERMINAL NUMBERS ARE SHOWN FOR REFERENCE ONLY. 7. DIMENSION A AND B ARE TO BE DETERMINED AT DATUM PLANE −W−. N F DETAIL E −W− C D G H DETAIL E 0.100 (0.004) −T− SEATING PLANE http://onsemi.com 7 DIM A B C D F G H J J1 K K1 L M MILLIMETERS MIN MAX 6.40 6.60 4.30 4.50 −−− 1.20 0.05 0.15 0.50 0.75 0.65 BSC 0.27 0.37 0.09 0.20 0.09 0.16 0.19 0.30 0.19 0.25 6.40 BSC 0_ 8_ INCHES MIN MAX 0.252 0.260 0.169 0.177 −−− 0.047 0.002 0.006 0.020 0.030 0.026 BSC 0.011 0.015 0.004 0.008 0.004 0.006 0.007 0.012 0.007 0.010 0.252 BSC 0_ 8_ OUTLINE DIMENSIONS M SUFFIX SOIC EIAJ CASE 967−01 ISSUE O 20 NOTES: 1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI Y14.5M, 1982. 2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER. 3. DIMENSIONS D AND E DO NOT INCLUDE MOLD FLASH OR PROTRUSIONS AND ARE MEASURED AT THE PARTING LINE. MOLD FLASH OR PROTRUSIONS SHALL NOT EXCEED 0.15 (0.006) PER SIDE. 4. TERMINAL NUMBERS ARE SHOWN FOR REFERENCE ONLY. 5. THE LEAD WIDTH DIMENSION (b) DOES NOT INCLUDE DAMBAR PROTRUSION. ALLOWABLE DAMBAR PROTRUSION SHALL BE 0.08 (0.003) TOTAL IN EXCESS OF THE LEAD WIDTH DIMENSION AT MAXIMUM MATERIAL CONDITION. DAMBAR CANNOT BE LOCATED ON THE LOWER RADIUS OR THE FOOT. MINIMUM SPACE BETWEEN PROTRUSIONS AND ADJACENT LEAD TO BE 0.46 ( 0.018). LE 11 Q1 E HE 1 M_ L 10 DETAIL P Z D e VIEW P A A1 b 0.13 (0.005) c M 0.10 (0.004) DIM A A1 b c D E e HE L LE M Q1 Z MILLIMETERS MIN MAX −−− 2.05 0.05 0.20 0.35 0.50 0.18 0.27 12.35 12.80 5.10 5.45 1.27 BSC 7.40 8.20 0.50 0.85 1.10 1.50 10 _ 0_ 0.70 0.90 −−− 0.81 INCHES MIN MAX −−− 0.081 0.002 0.008 0.014 0.020 0.007 0.011 0.486 0.504 0.201 0.215 0.050 BSC 0.291 0.323 0.020 0.033 0.043 0.059 0_ 10 _ 0.028 0.035 −−− 0.032 ON Semiconductor and are registered trademarks of Semiconductor Components Industries, LLC (SCILLC). SCILLC reserves the right to make changes without further notice to any products herein. SCILLC makes no warranty, representation or guarantee regarding the suitability of its products for any particular purpose, nor does SCILLC assume any liability arising out of the application or use of any product or circuit, and specifically disclaims any and all liability, including without limitation special, consequential or incidental damages. “Typical” parameters which may be provided in SCILLC data sheets and/or specifications can and do vary in different applications and actual performance may vary over time. All operating parameters, including “Typicals” must be validated for each customer application by customer’s technical experts. SCILLC does not convey any license under its patent rights nor the rights of others. SCILLC products are not designed, intended, or authorized for use as components in systems intended for surgical implant into the body, or other applications intended to support or sustain life, or for any other application in which the failure of the SCILLC product could create a situation where personal injury or death may occur. Should Buyer purchase or use SCILLC products for any such unintended or unauthorized application, Buyer shall indemnify and hold SCILLC and its officers, employees, subsidiaries, affiliates, and distributors harmless against all claims, costs, damages, and expenses, and reasonable attorney fees arising out of, directly or indirectly, any claim of personal injury or death associated with such unintended or unauthorized use, even if such claim alleges that SCILLC was negligent regarding the design or manufacture of the part. SCILLC is an Equal Opportunity/Affirmative Action Employer. This literature is subject to all applicable copyright laws and is not for resale in any manner. PUBLICATION ORDERING INFORMATION LITERATURE FULFILLMENT: N. American Technical Support: 800−282−9855 Toll Free Literature Distribution Center for ON Semiconductor USA/Canada P.O. Box 61312, Phoenix, Arizona 85082−1312 USA Phone: 480−829−7710 or 800−344−3860 Toll Free USA/Canada Japan: ON Semiconductor, Japan Customer Focus Center 2−9−1 Kamimeguro, Meguro−ku, Tokyo, Japan 153−0051 Fax: 480−829−7709 or 800−344−3867 Toll Free USA/Canada Phone: 81−3−5773−3850 Email: [email protected] http://onsemi.com 8 ON Semiconductor Website: http://onsemi.com Order Literature: http://www.onsemi.com/litorder For additional information, please contact your local Sales Representative. MC74VHC574/D